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本文涉及一種感光膜去除方法，通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡(jiǎn)化后處理序列，從而縮短前工藝處理時(shí)間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。

圖1是示出澆口蝕刻過(guò)程中過(guò)量生成的聚合物的圖。 圖2a內(nèi)地圖2b為本發(fā)明澆口蝕刻后的感光膜去除方法的工藝剖面圖。 圖3是從設(shè)備方面說(shuō)明本發(fā)明的感光膜去除方法的概要的圖，該方法將在Asher的工藝室內(nèi)進(jìn)行。

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制造工藝，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及一種在澆口蝕刻后能夠順利地去除聚合物和感光膜的方法，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每一步都必須寫照相工藝。 該照相工藝將感光劑均勻涂布在晶片上， 使用步進(jìn)器等曝光設(shè)備， 是指將蒙版或復(fù)制品上的圖案縮小投影曝光后，經(jīng)過(guò)顯影過(guò)程，形成所需二維圖案的感光膜的所有工序。 在照相過(guò)程中形成圖案后， 使用感光膜作為掩膜，實(shí)施蝕刻或離子注入工程等，之后實(shí)施去除不必要的感光膜的工程，稱為感光膜去除。 為了解決上述問(wèn)題， 本發(fā)明的目的在于針對(duì)澆口蝕刻后生成的聚合物的特性，首先順暢地去除聚墨，從而提供一種能夠簡(jiǎn)化感光膜去除工藝的感光膜去除方法。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明包括:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 提供一種澆口蝕刻后的感光膜去除方法，其特征是包括和RCA清洗步驟。 由此，圍繞感光膜的聚合物被順利去除，從而使隨后的感光膜去除工藝得以簡(jiǎn)化。 在以下，使本發(fā)明參照所附圖紙進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。 在形成了小晶的下部結(jié)構(gòu)的硅基板的上部沉積了澆口氧化膜和澆口多晶硅后，利用照相工藝和蝕刻工藝形成澆口。

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圖1

當(dāng)形成如上所述的澆口蝕刻后，如圖1所都市化的那樣，Si/Carbon系列聚合物將在澆口多晶硅）和感光膜周圍過(guò)多形成。 后來(lái)，為了去除感光膜和澆口蝕刻過(guò)程中形成的聚合物，進(jìn)行了感光膜去除工藝。

圖2a至圖2b為本發(fā)明澆口蝕刻后的感光膜去除方法的工藝剖面圖； 首先，在門式蝕刻工藝結(jié)束后，晶片將被移送到亞舍的工藝室內(nèi)。 此時(shí)，晶片被四個(gè)升降引腳在抬起的狀態(tài)下移送。 然后， 在晶片安放在板上之前，即在被斜頂引腳抬起的情況下，進(jìn)行CF4+O2等離子體處理。 這是因?yàn)樵谌コ泄饽r(shí)，放置晶片板的溫度為250℃， 因?yàn)槿绻麑⒕苯影卜旁诎迳?，聚合物就?huì)發(fā)生硬化，從而給以后去除聚合物帶來(lái)困難。

根據(jù)本發(fā)明的澆口蝕刻后的感光膜去除方法，可以在RCA清洗前順利去除澆口蝕刻過(guò)程中大量產(chǎn)生的聚合物。 只需1次RCA清潔就可以完全去除殘余聚合物。根據(jù)本發(fā)明，不僅可以簡(jiǎn)化感光膜去除的工藝序列，而且可以縮短全工藝處理時(shí)間，此外， 根據(jù)本發(fā)明，可以防止清潔設(shè)備污染，因?yàn)榫酆衔餁埩粑餆o(wú)法完全去除感光膜而可能造成的污染，也可以防止聚合物殘留在晶片上。 此外， 根據(jù)本發(fā)明， 由于在RCA清潔時(shí)不需要使用化學(xué)滴管，因此可以減少化學(xué)物質(zhì)絲的用量，從而達(dá)到降低成本和防止環(huán)境污染的效果。