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引言

? ? ? 用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物硅在HF-HClCl2混合物中的擴散控制溶解過程通過改變流量形成各種形態(tài) 蝕刻混合物的速度[4，5]超聲波輔助導(dǎo)致蝕刻的高速運動 晶片表面的混合物

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參數(shù)影響

? ? ? 高濃度的高頻導(dǎo)致拋光晶片表面紋理化，大量的鹽酸氯氣濃度需要提高晶片表面和蝕刻率，超聲輔助表面的高流速有利于紋理化和增加蝕刻率超聲輔助導(dǎo)致溫度上升，因為能量輸入高，溫度升高降低了氯氣在蝕刻混合物中的溶解度，降低了蝕刻率和反射率。?

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反射率測量

? ? ? 氯氣注入高頻-HCl溶液之前和蝕刻單晶硅片高蝕刻率高達(dá)0.45μmmin-1片分別浸入水平或25垂直蝕刻溶液超聲波場從底部或兩側(cè)蝕刻槽反射率下降到6.3%。超聲波場在撞擊固體物體時減弱，形態(tài)從晶圓邊緣到中間變化，因為相鄰晶圓的聲影在晶圓中間蝕刻多個晶片時反射率在薄片中惡化，之間距離較低，同時從底部用超聲波場水平蝕刻，效果最好。

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結(jié)果

? ? ? HF-HCl-Cl2溶液允許各向異性蝕刻過程，產(chǎn)生比氫氧化鉀標(biāo)準(zhǔn)紋理反射低的隨機倒金字塔，導(dǎo)致低反射值至6.3%的陰影效應(yīng)，導(dǎo)致晶圓邊緣到中間的形態(tài)變化，通過超聲輔助化學(xué)蝕刻(USACE)紋理單晶硅晶圓在在線蝕刻過程中似乎是最可行的。