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本文涉及一種基板處理方法，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及一種用于清洗基板的基板清洗方法。上述稀釋氨水提供的基板清潔方法，溫度為20℃至70℃，包含上述硫酸和過(guò)氧化氫的混合液(SPM)是一種基板清潔方法，其混合比例為110℃至130℃硫酸和常溫過(guò)氧化氫為2:1至6:1。

一般情況下，半導(dǎo)體設(shè)備是在基板上以薄膜形式沉積多種物質(zhì)，并將其墊片制造而成，蝕刻工藝是去除在基板上形成的膜質(zhì)的工藝，清潔工藝是去除半導(dǎo)體制造的各端上工藝進(jìn)行后殘留在基板表面的污染物的工藝，蝕刻工藝及洗凈工藝按工藝進(jìn)行方式分為濕法方式和干法方式，濕法方式分為布局型式和自旋型式。

本發(fā)明的實(shí)施例試圖在特定的基板清洗工藝中降低基板上的輕視污染物生成率，根據(jù)本發(fā)明的一方面，第一步驟，通過(guò)向基板提供包含硫酸和過(guò)氧化氫的混合液(SPM)，對(duì)上述基板進(jìn)行藥液處理； 在上述第一階段之后，將稀釋的氨水供給上述基板，對(duì)上述基板進(jìn)行藥液處理的第二階段； 在上述第二階段之后，對(duì)上述基板進(jìn)行護(hù)發(fā)素的第三階段； 及在上述第3階段之后，可提供一種包括干燥上述基板的第4階段的基板清潔方法。 此外，包含上述硫酸和過(guò)氧化氫的混合液(SPM)可由110℃至130℃硫酸與常溫過(guò)氧化氫以2:1至6:1的比例混合而成，上述稀釋的氨水可與去離子水(DIW)和氨水以20:1至300:1的比例混合。 此外，上述稀釋后的氨水可提供20℃至70℃。

參照以下所附圖紙?jiān)敿?xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板清洗方法，在說(shuō)明本發(fā)明中，如果認(rèn)為有關(guān)的公告構(gòu)成或功能的具體說(shuō)明可能會(huì)模糊本發(fā)明的要旨，則省略該詳細(xì)說(shuō)明。

圖2是示出基板處理裝置一例的剖面圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板清洗方法的工藝流程圖。 圖4是示出經(jīng)過(guò)SPM(SPM)處理后，未經(jīng)過(guò)第一標(biāo)準(zhǔn)清潔液（SC-1）處理的基板上的輕型污染物產(chǎn)生量的圖表。 圖5是示出經(jīng)SPM(SPM)處理后經(jīng)稀釋氨水（dNH4OH）處理的基板上的經(jīng)時(shí)污染物產(chǎn)生量的圖。

在以下，描述了利用具有上述配置的基板處理裝置來(lái)處理基板的工藝，?基板處理工藝，例如，可以是埃辛工藝后對(duì)基板進(jìn)行清洗的工藝，圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板清洗方法的工藝流程圖。

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圖3

參照?qǐng)D2和圖3，基板被加載到自旋頭（340）上，基板由自旋頭的旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)。 分絲構(gòu)件向旋轉(zhuǎn)的基板上提供SPM。 SPM由硫酸（H2SO4）和過(guò)氧化氫（H2O 2）以2:1至6:1的比例混合而成。 SPM的供應(yīng)時(shí)間可以是25到35秒，供應(yīng)給基板的SPM去除埃辛工藝后殘留在基板上的有機(jī)污染物（S10），在利用SPM(SPM)的基板處理工藝后，噴射構(gòu)件（380）向旋轉(zhuǎn)的基板上提供[0030]稀釋的氨水（dNH4OH）。 此時(shí)，提供SPM(SPM)的噴射構(gòu)件（380）與提供稀釋氨水（dNH4OH）的噴射構(gòu)件（380）可以是不同的。稀釋后的氨水（dNH4OH）由超純(DIW)和氨水以20:1至300:1的比例混合提供。稀釋的氨水（dNH4OH）的供應(yīng)時(shí)間例如可以是15秒至30秒（S20）。

可以看出，在基板清潔工藝時(shí)，經(jīng)過(guò)SPM(SPM)處理后，未處理第一標(biāo)準(zhǔn)清潔液（SC-1），經(jīng)過(guò)2小時(shí)的基板上的輕視污染物產(chǎn)生量急劇增加。