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在半導(dǎo)體制造過程中的每個過程之前和之后執(zhí)行的清潔過程是最重要的過程之一，約占總過程的30%，基于RCA清洗的濕式清洗工藝對于有效地沖洗清洗化學(xué)物質(zhì)以使它們不會在學(xué)位處理后殘留在晶片表面上，以及諸如化學(xué)物質(zhì)的過度使用、設(shè)備的巨大化和由于廢水造成的環(huán)境污染的問題，以及防止諸如水斑的污染物被再次污染是重要的。

現(xiàn)有的以烘房公司為中心的旋轉(zhuǎn)干燥方法存在問題，即在晶片表面留下水點，在晶片上傳播應(yīng)力，并導(dǎo)致由靜電力引起的污染物的再污染，并且IPA蒸汽干燥方法被認為存在蒸汽不穩(wěn)定和著火的風(fēng)險。因此，在最近的濕法清洗工藝中，正在努力減少化學(xué)物質(zhì)和超純水的量，回收并開發(fā)新的清洗工藝，在干燥工藝中，正在引入使用超純水和IPA分離層的marangoni干燥方法。在這項研究中，與傳統(tǒng)的馬蘭戈尼方法不同，考慮了使用超純水和異丙醇的混合溶液干燥矮星表面和去除污染顆粒。

超純水和異丙醇混合溶液的浴槽是自制的，安裝在100級空氣的潔凈室中，在單獨的罐中進行預(yù)混合，以制備一定濃度的混合溶液，并保持混合溶液以3 LPM的流速恒定地注入浴中。還進行熱N2吹氣以促進晶片的干燥，為了觀察通路器的干燥和清潔性能，在將p-型100裸硅晶片放入混合溶液浴之前和之后觀察p-型100裸硅晶片，并且觀察每一方的數(shù)量，并且使用KLA-騰科公司的surfScan 5500表面掃描儀。

隨著異丙醇濃度的變化，觀察到矮化表面污染顆粒的增加，當(dāng)異丙醇添加量為低濃度和高濃度時，可以觀察到良好的結(jié)果，并且將晶片從槽中取出到基座時的卸載速度并沒有顯著影響晶片表面上的污染顆粒的數(shù)量，但是它極大地影響了晶片底部水滴的形成，綜上所述，這表明它與干顎密切相關(guān)。此外，發(fā)現(xiàn)即使通過重復(fù)使用超純水和IPA混合溶液進行該過程，晶片表面上存在的顆粒數(shù)量也保持在一定水平而沒有增加，根據(jù)干燥過程中吹來的熱N2的溫度變化，不同部件觀察到的晶片表面溫度不同，但沒有特別的影響。