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本文研究了兆頻超聲波輸入功率、溶液化學(xué)、浴溫和浸泡時(shí)間的影響，在高兆頻超聲波輸入功率和中高溫下進(jìn)行的充分稀釋的化學(xué)反應(yīng)被證明對(duì)小顆粒再利用非常有效，浴組成數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)在中等溫度(例如45℃)下使用高純度化學(xué)品時(shí)，可以獲得延長(zhǎng)的壽命，過渡金屬表面濃度和表面粗糙度已經(jīng)在稀釋的SC-1處理后進(jìn)行了測(cè)量，并與傳統(tǒng)SC-1處理后的金屬污染進(jìn)行了比較。

在低功率下，清洗效率隨溫度的升高而迅速變化，但在高功率下，清洗效率與溫度無(wú)關(guān)，在確定的實(shí)驗(yàn)空間內(nèi)，化學(xué)比對(duì)粒子去除只有中等的影響（見下圖），驗(yàn)證性實(shí)驗(yàn)是在實(shí)驗(yàn)空間內(nèi)進(jìn)行的，這樣之前的運(yùn)行就不會(huì)被重復(fù)。

實(shí)驗(yàn)工作表明，大量稀釋的SC-1化學(xué)物質(zhì)可能會(huì)非常有效地去除亞于0.15_m的顆粒，此外還注意到清潔效率是氫氧化銨與過氧化氫比值的函數(shù)，由于化學(xué)比例影響清洗效率，有必要確定在稀釋的化學(xué)浴中可以保持高清洗效率的壽命，用1：10：130（NI-HOH：H20_：H20）SC-I進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，至45°C，浴缸在溫度下保持了7個(gè)小時(shí)，在此期間，對(duì)污染了硝化硅的晶片進(jìn)行了清洗和測(cè)量，以提高顆粒去除效率。

使用稀釋化學(xué)清洗腐蝕劑已被證明等于或優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)清洗，由于用水量是濕臺(tái)擁有成本的重要一部分，因此比較稀釋清潔劑的沖洗時(shí)間與標(biāo)準(zhǔn)化化學(xué)的對(duì)比是很有趣的，將完整的晶片浸入SC-I溶解液中，并在級(jí)溢出浴中沖洗，記錄了不同清潔溶液達(dá)到15毫里厘米的時(shí)間，這些實(shí)驗(yàn)總共重復(fù)了5次。

表面表征測(cè)量采用固體化學(xué)清潔(45°C，200W功率下1：10：130)和標(biāo)準(zhǔn)SC-1清潔(65°C，200W功率下1：1：5)進(jìn)行比較，根據(jù)TXRF和AFM分析，AFM數(shù)據(jù)報(bào)告精確到：1：0.05A，重金屬污染的重離子背散射光譜(HIBS)，表面粗糙度的能量散散x射線反射率(EDXRR)，這些數(shù)據(jù)證實(shí)了TXRF和AFM的測(cè)量結(jié)果，顯然，稀釋化學(xué)清潔中較少的表面粗糙，而較少的化學(xué)暴露導(dǎo)致金屬表面污染較低。

本研究結(jié)果表明，具有足夠大能量的稀釋劑化學(xué)物質(zhì)可以非常有效地去除小(<0.15_tm)無(wú)機(jī)顆粒，現(xiàn)有技術(shù)（浸入式超氣體）應(yīng)用于未來(lái)再生裝置的制造，此外，使用稀釋的、高純度的化學(xué)品將減少化學(xué)品和沖洗水的使用，從而降低擁有成本，由于這些結(jié)果強(qiáng)烈依賴于超大型輸入力，因此結(jié)果也可能非常依賴于工具，還發(fā)現(xiàn)顆粒組成和形貌影響清洗結(jié)果。