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---華林科納CSE 小編
隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展、集成度的不斷提高、線寬的不斷減小，對(duì)硅片表面的潔凈度及表面態(tài)的要求也越來(lái)越高。要得到高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件，僅僅除去硅片表面的沾污已不再是最終的要求。在清洗過程中造成的表面化學(xué)態(tài)、氧化膜厚度、表面粗糙度等已成為同樣重要的參數(shù)。
目前，通常應(yīng)用的清洗方法是濕式化學(xué)清洗法，蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司（CSE）多年經(jīng)驗(yàn)專注于半導(dǎo)體濕式清洗工藝解決方案。即利用有機(jī)溶劑、堿性溶液、酸性溶液、表面活性劑等化學(xué)試劑，配合兆聲、超聲、加熱等物理措施，使有機(jī)物、顆粒、金屬等沾污脫離硅片表面，然后用大量的去離子水沖洗，獲得潔凈的硅片表面的清洗方法。
沉積在硅片表面的粒子、金屬、有機(jī)物、濕氣分子和自然氧化膜的一種或幾種而形成了硅片表面沾污；因?yàn)橛袡C(jī)物會(huì)遮蓋部分硅片表面，使氧化層和與之相關(guān)的沾污難以去除。?
在濕式清洗工藝中，硅片表面都有一層化學(xué)氧化膜，這層氧化膜是主要的沾污源。如果沒有這層氧化膜可大大降低金屬、有機(jī)物等沾污?？捎肏F清洗或簡(jiǎn)化常規(guī)工藝后最后用HF清洗，可通過降低與周圍環(huán)境的接觸來(lái)獲得一個(gè)理想的鈍化表面，減少顆粒吸附在敏感的疏水性表面上。這就對(duì)清洗工藝設(shè)備提出了多方面的要求。
目前華林科納半導(dǎo)體設(shè)備公司（CSE）的清洗設(shè)備，則是將所有的清洗工藝步驟（清洗和干燥）結(jié)合在一個(gè)工藝槽中，大大地減少了硅片與空氣的接觸。將HF作為最后一道清洗液，采用了標(biāo)準(zhǔn)的刻蝕（采用了使用HF/HNO3, KOH, H3PO4, BOE, DHF, SPM, SOM等），表面也不存在水印，清洗效果非常好。
伴隨著硅片的大直徑化，器件結(jié)構(gòu)的超微小化、高集成化，對(duì)硅片的潔凈程度、表面的化學(xué)態(tài)、微粗糙度、氧化膜厚度等表面狀態(tài)的要求越來(lái)越高。同時(shí)，要求用更經(jīng)濟(jì)的、給環(huán)境帶來(lái)更少污染的工藝獲得更高性能的硅片。華林科納CSE專業(yè)的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)多年一直專注致力于中高端半導(dǎo)體清洗設(shè)備的研究，其濕式腐蝕、刻蝕清洗、電鍍?cè)O(shè)備、CDS供液系統(tǒng)、IPA干燥系統(tǒng)等設(shè)備被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓芯片、光電子器件、MEMS和集成電路等領(lǐng)域；優(yōu)良的設(shè)備和良好的服務(wù)贏得了行業(yè)用戶的贊許和信賴。
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