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一、前處理
檢驗(yàn)完成后送入背蒸間，蒸發(fā)工序接收?qǐng)A片時(shí)要檢查片子表面有無(wú)異常情況，特別是鋁層有無(wú)減薄現(xiàn)象、中測(cè)針跡的深度等，檢驗(yàn)合格后進(jìn)行前處理。
（1） 清洗：各種圓片在減薄后，背面蒸發(fā)前都要清洗，步驟如下：
1、一槽：ABZOL溶液，加熱至（55±5）℃，加超聲；
2、二槽：ABZOL溶液；
3、三槽：甲醇，目的是去除ABZOL溶液；
4、四槽：甲醇；
5、溢流槽：沖水，去除甲醇；
6、厚度大于200μm 的片子在離心甩干機(jī)中甩干，角片有隱裂和厚度小于200μm 的片子用甲醇脫水后在氮?dú)夂嫦浜娓伞?/span>
（2） 泡酸：對(duì)于減薄片用5%的HF水溶液，對(duì)于噴砂片用冰乙酸：氟化銨=1：3的氟化銨溶液。泡酸后必須充分沖水，使硅片上的酸液在極短的時(shí)間內(nèi)沖走，以免部分酸液停留在引線孔內(nèi)或中測(cè)點(diǎn)上導(dǎo)致部分地方過(guò)腐蝕。將片架放到離心甩干機(jī)中甩干。
角片沖水后經(jīng)甲醇脫水后在氮?dú)夂嫦渲泻娓伞?/span>
（3） 金砷工藝背蒸前處理：清洗同前，泡酸步驟為：
1、背面單面泡5%的HF溶液16s左右；
2、沖純水；
3、甩干。
金砷蒸發(fā)在背面蒸發(fā)專用金砷工藝蒸發(fā)臺(tái)中進(jìn)行，金源要使用有坩堝套的。?
二、背蒸
背蒸是在離子束蒸發(fā)臺(tái)中進(jìn)行，背蒸工藝根據(jù)背面金屬化結(jié)構(gòu)來(lái)命名，具體工藝如下：
工藝名稱 | 工藝方法 | 材料名 |
J方式 | 五層工藝 （1.2-1.6）μm | V |
Ni |
AuGe |
AuGeSb |
Au |
S方式 | 四層工藝 （2.4-3.0）μm | Ti |
Ni |
SnCu |
SnCu |
SnCu |
Au |
N方式 | 三層工藝 最外層為金 |
|
Y方式 | 三層工藝 最外層為銀 （0.75-1.05）μm | Ti |
Ni |
Ag |
YA方式 | 三層工藝 最外層為銀 （0.6-0.9）μm | Ti |
Ni |
Ag |
MC方式 | 新四層工藝 （1.1-1.4）μm | Ti |
AuGe |
AuGeSb |
Au |
LT方式 | 四層工藝 最外層為銀 （3.5±0.3）μm | Ti |
Ni |
Sn |
Ag |
Au | 單層金工藝 （800±100）A | Au |
金砷工藝 | 單層金工藝要摻入砷 （1.4±1.6）μm | Au |
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以上工藝的真空度要求小于4×10-4Pa，V、Ni、AuGe 、SnCu、AuGeSb的純度為99.99%，?Au、Ag的純度為99.999%。
采用多層金屬工藝主要是為了節(jié)約成本，其他金屬相對(duì)金來(lái)說(shuō)價(jià)格便宜，但是有些金屬不能和硅共熔，所以要淀積中間金屬進(jìn)行過(guò)渡。進(jìn)行單層金工藝和金砷工藝的背金硅片需要進(jìn)行金擴(kuò)散。
金砷工藝是在背面蒸發(fā)的金中含有微量的砷。
三、金擴(kuò)散
為了使金層與硅片結(jié)合更牢固，在背面蒸金后還需要在擴(kuò)散爐進(jìn)行金擴(kuò)散，金擴(kuò)散比較重要的控制參數(shù)有：溫度（一般為1000℃左右）、時(shí)間、氣流速度等，金擴(kuò)散后需要在王水中浸泡進(jìn)行后處理；而金砷工藝背蒸后需要進(jìn)行合金化，金砷合金是在氮?dú)夂蜌錃鈿夥障逻M(jìn)行，工藝溫度在425℃左右，合金后在HF溶液中進(jìn)行后處理。背面蒸金后都是擴(kuò)散爐中進(jìn)行。
為了防止重金屬（金等）污染，金擴(kuò)散工藝專業(yè)在一個(gè)獨(dú)立的車間內(nèi)進(jìn)行，并且片架、轉(zhuǎn)移盒都不能用在其他產(chǎn)品上。?
1、金擴(kuò)散及其后處理：
將背面已蒸金的圓片進(jìn)行金擴(kuò)散以及擴(kuò)散后背面金屬的去除，具體步驟如下：
(1) 前處理：將圓片放入清洗槽中沖水后甩干。
(2) 將待擴(kuò)散的圓片背向進(jìn)氣口方向按一定間距擺放在石英舟中，將石英舟推至爐管恒溫區(qū)；按工藝條件進(jìn)行金擴(kuò)散。
(3) 工藝設(shè)定時(shí)間達(dá)到后出爐。
(4) 后處理：將腐蝕柜中槽中的王水（濃鹽酸：濃硝酸=3：1）加熱至沸騰，將金擴(kuò)散后的圓片在王水中浸泡后放入沖水槽中沖水，甩干后放入專用片架內(nèi)。
2、金砷工藝合金
金砷工藝中圓片背面合金作業(yè)步驟：
（1）?前處理：用5%的HF溶液浸泡十幾秒后沖水，甩干。
（2）?操作步驟和金擴(kuò)散步驟相同，按照工藝條件進(jìn)行。
（3）?后處理：用5%的HF溶液浸泡后沖水，甩干。
四、背蒸后QC檢驗(yàn)
背蒸后要進(jìn)行QC檢驗(yàn)，主要有：
1）蒸金屬厚度：通常用Alpha-step IQ臺(tái)階測(cè)試儀測(cè)試陪片的金屬厚度，從而得到圓片背蒸金屬的厚度；
2）粘附性測(cè)試：通常利用蘸錫來(lái)測(cè)試背面金屬的潤(rùn)濕性，如果潤(rùn)濕性太差會(huì)影響裝片的牢度；通過(guò)貼藍(lán)膜熱處理之后揭膜來(lái)測(cè)試背面金屬的粘附性，以防止在劃片貼膜時(shí)由于膜的粘性將背部金屬揭去（蘸錫實(shí)驗(yàn)已經(jīng)取消，現(xiàn)改做揭膜試驗(yàn)）。
3）表面檢驗(yàn)：主要是背面金屬層是否劃傷、沾污、白霧、突起、銀層表面發(fā)黃等，以免影響裝片質(zhì)量。?
五、背蒸返工處理
背面蒸發(fā)片檢查不合格以及由于其他原因造成沒(méi)有完成蒸發(fā)全過(guò)程的返工處理。步驟為：
1、將圓片正面貼上藍(lán)膜或者UV膜（大功率管是涂上光刻膠），以防止酸腐蝕硅片正面鋁層。
2、將帶膜硅片放入王水中腐蝕，以去除背面蒸發(fā)層直至干凈為止。
3、取出硅片放入沖水槽中，將上面的酸沖去。
4、去除膜或者膠，裝入專用清洗片架內(nèi)，繼續(xù)沖水。
5、放入烘箱內(nèi)烘干。
?出廠檢驗(yàn)
所有芯片工序結(jié)束后，進(jìn)行出廠檢驗(yàn)，檢驗(yàn)的項(xiàng)目有：
1、圓片的正反面。
2、抽測(cè)每批芯片的參數(shù)：
二極管：正向電流，反向漏電流，擊穿電壓
三極管：電流特性，擊穿特性，飽和特性，HFE，ts等
檢查完畢后進(jìn)入中轉(zhuǎn)庫(kù)后出廠。
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