刻蝕是把進(jìn)行光刻前所淀積的薄膜中未被光 刻膠覆蓋的部分用化學(xué)或物理的方式去除，用以完成掩模圖像的轉(zhuǎn)移?？涛g是半導(dǎo)體器件和集成 電路的基本制造工藝，分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 濕法刻蝕是通過(guò)化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的 化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來(lái)的方法；干法刻 蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面 薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面 使之被腐蝕的工藝。雖然濕法刻蝕在保證細(xì)小圖 形轉(zhuǎn)移后的保真性方面不如干法刻蝕，但由于生 產(chǎn)成本低、產(chǎn)能高、適應(yīng)性強(qiáng)、表面均勻性好、對(duì)硅片損傷少、其優(yōu)良的選擇比在去氧化硅、去除殘留 物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕等方面有著廣 泛的應(yīng)用。濕法刻蝕的特點(diǎn)是：反應(yīng)生成物必須是氣體或能溶于刻蝕劑的物質(zhì)，否則會(huì)造成反應(yīng)物沉 淀，影響刻蝕的正常進(jìn)行；濕法刻蝕一般為各向同性，即水平方向和垂直方向的速率是相同的，這樣會(huì)導(dǎo)致側(cè)向出現(xiàn)腐蝕。因此，刻蝕后得到的圖形結(jié)構(gòu)不是理想的垂直墻；濕法刻蝕過(guò)程常伴有放熱和放氣現(xiàn)象，影響刻蝕速率，使得刻蝕效 果變差。
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?提高濕法設(shè)備刻蝕均勻性的方法
刻蝕均勻性是一種衡量刻蝕工藝在晶片內(nèi)及晶片之間刻蝕一致性的參數(shù)，是保證芯片產(chǎn)品質(zhì)
量的關(guān)鍵指標(biāo)之一?？涛g速率和刻蝕剖面與圖形 尺寸及密度是影響刻蝕均勻性的原因，刻蝕均勻性與選擇比有密切的關(guān)系，非均勻性刻蝕會(huì)產(chǎn)生額外的過(guò)刻蝕。
刻蝕溶液的溫度控制
刻蝕溶液溫度是硅濕法刻蝕工藝重要工藝參 數(shù)之一，對(duì)硅刻蝕速率產(chǎn)生較大影響。一般隨著溶
液溫度的升高，刻蝕速率急劇增大，刻蝕同樣深度 所需的時(shí)間相應(yīng)減少。通常硅濕法刻蝕是在刻蝕 工藝槽內(nèi)完成，為了提高產(chǎn)能，一次需要處理幾十片，并且刻蝕過(guò)程化學(xué)反應(yīng)劇烈，為放熱反應(yīng)，伴有大量熱量放出，導(dǎo)致刻蝕溶液溫度迅速升高，腐 蝕速率加快，影響刻蝕效果，甚至產(chǎn)生過(guò)刻蝕現(xiàn) 象。工藝溫度越高，刻蝕的晶片數(shù)量越多，刻蝕反 應(yīng)越劇烈，溫度越難以控制。
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?槽體的溢流循環(huán)
刻蝕工藝槽體一般為內(nèi)外槽溢流結(jié)構(gòu). 利用循環(huán)泵將外槽溶液吸出，流經(jīng)熱交換器冷卻處理 后，由內(nèi)槽底部通過(guò)勻流板的均勻化處理注入到 槽內(nèi)。隨著內(nèi)槽溶液的增加，內(nèi)槽液面不斷上升，溶液以溢流的方式再流入到外槽，如此不斷往復(fù)，達(dá)到穩(wěn)定工藝溫度，提高溶液溫度均勻性和溶液 濃度均勻性的目的。如果在循環(huán)管路上加裝過(guò)濾 裝置，可以過(guò)濾掉刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的雜質(zhì)，完成對(duì)槽內(nèi)溶液的潔凈化處理。溶液循環(huán)流量是刻蝕需要控制的重要參數(shù)，流量的大小和穩(wěn)定性影響到刻蝕的均勻性。在刻蝕過(guò)程需要保證流量的穩(wěn)定性，可以通過(guò)采用變頻磁力泵和流量計(jì)進(jìn)行控制。循環(huán)流量過(guò)小時(shí)，溶液交換次數(shù)少，反應(yīng)放出的熱量不能及時(shí)擴(kuò)散，溶液得不到補(bǔ)充，溫度和溶液濃度均勻性較差，刻蝕均勻性不佳。提高循環(huán)流量，溶液交換次數(shù)增多，溫度和溶液濃度均勻性得到提高，可以改善刻蝕 的均勻性。但是，實(shí)驗(yàn)證明：當(dāng)循環(huán)流量增加到一定值時(shí)，系統(tǒng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，提高流量對(duì)刻蝕均勻性的改善已不明顯?？涛g槽溢流方式也是影響刻蝕均勻性的因素。
??以上是華林科納（江蘇）所述的提高刻蝕均勻性的措施，其實(shí)質(zhì)就是保證晶片刻蝕過(guò)程中刻蝕溶液溫度和濃度的均勻性以及流場(chǎng)的穩(wěn)定性。抖動(dòng)頻率、抖動(dòng)行程、旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速等參數(shù)均需要在工藝調(diào)試過(guò)程中進(jìn)行試驗(yàn)和合理匹配，以便達(dá)到最佳的刻蝕效果