濕法化學(xué)腐蝕是最早用于微機(jī)械結(jié)構(gòu)制造的加工方法。所謂濕法腐蝕，就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，在腐蝕過程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學(xué)反應(yīng)逐步浸蝕溶掉。用于化學(xué)腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，堿性腐蝕劑以及有機(jī)腐蝕劑等。

濕法腐蝕工藝由于其低成本，高產(chǎn)出，高可靠性以及其優(yōu)良的選擇比是其優(yōu)點(diǎn)而仍被廣泛接受和使用。華林科納經(jīng)過多年的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)的不斷改良，使得我們的設(shè)備在工藝路徑及技術(shù)要求上得到穩(wěn)步的提高，濕法腐蝕設(shè)備正朝著以下方向發(fā)展：

a.自動化

b.在微處理器控制下提高在腐蝕狀態(tài)下的重復(fù)性，以幫助工藝工程師提供更良好的控制，阻止人為因素的影響。

c.點(diǎn)控制過濾控制，以減小腐蝕過程中缺陷的產(chǎn)生

d.自動噴淋設(shè)備的開發(fā)。

所有這些，都使?jié)穹ǜg有一個更美好的前景。

濕法腐蝕機(jī)理

濕法腐蝕的產(chǎn)生一般可分為3步：

1:反應(yīng)物（指化學(xué)藥劑）擴(kuò)散到反應(yīng)表面

2:實(shí)際反應(yīng)（化學(xué)反應(yīng)）

3:反應(yīng)生成物通過擴(kuò)散脫離反應(yīng)表面

在實(shí)際應(yīng)用中，濕法腐蝕通常用來在SI襯底或薄膜上生成一定的圖形，光刻版是典型的被用于覆蓋所期望的表面區(qū)域防止被腐蝕液腐蝕掉，而光刻版在腐蝕后常被去掉，因此在線擇濕法腐蝕工藝時，必須線擇腐蝕液，合適的形成版的材料（光刻膠）必須具有良好的抗腐蝕能力，良好的完整覆蓋特性，光刻膠常被用來作為版層材料，但有時邊緣的黏附性差，常采用HMDS以增強(qiáng)其黏附性

濕法腐蝕反應(yīng)時可能存在多種反應(yīng)機(jī)理，許多反應(yīng)是一種或多種反應(yīng)共同作用的結(jié)果，最簡單的一種是在溶液中溶解。

影響濕法腐蝕的因素

濕法腐蝕質(zhì)量的好壞，取決于多種因素，主要的影響因素有：

1:掩膜材料（主要指光刻膠）

顯影不清和曝光強(qiáng)度不夠，會使顯影時留有殘膠，通常會使腐蝕不凈。

2:須腐蝕膜的類型（指如SIO2.POLY,SILICON等）

3:腐蝕速率：腐蝕速率的變化會使腐蝕效果發(fā)生改變，經(jīng)常會導(dǎo)致腐蝕不凈或嚴(yán)重過腐蝕，從而造成異常

4:浸潤與否：由于在濕法腐蝕時由于腐蝕液與膜間存在表面張力，從而使腐蝕液難于到達(dá)或進(jìn)入被腐蝕表面和孔，難于實(shí)現(xiàn)腐蝕的目的，大多數(shù)情況下，為減小表面張力的影響，會在腐蝕槽中加入一定量的浸潤。

?由于濕法腐蝕的特性，在對不同的材料進(jìn)行腐蝕時必須選擇相應(yīng)的腐蝕藥液和工藝條件，在開發(fā)濕法腐蝕和清洗菜單時必須注意此藥液對硅片上其它膜層和材料的影響，同時必須考慮濕法腐蝕特性所帶來的一些其它問題。

華林科納作為非標(biāo)濕法設(shè)備制造商，會滿足客戶的一切技術(shù)要求，并能給客戶提供最理想的方案以及后期的維護(hù)及追蹤。