2014年9月，國(guó)家大基金一期成立，總投資額1387億，帶動(dòng)新增社會(huì)融資約5000億，實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的全覆蓋。近日國(guó)家大基金披露，二期基金已到位，11月開(kāi)始投資。實(shí)際募資2000億左右，按照1∶3的撬動(dòng)比，所撬動(dòng)的社會(huì)資金規(guī)模在6000億左右。二期基金投資的布局重點(diǎn)在集成電路裝備、材料領(lǐng)域。
2019年1-6月，我國(guó)集成電路進(jìn)口額1376.2億美元，同比下降6.9%；集成電路出口額457.5億美元，同比增長(zhǎng)17.1%。這說(shuō)明隨著我國(guó)集成電路技術(shù)的進(jìn)步，以及產(chǎn)能的擴(kuò)張，我國(guó)集成電路進(jìn)口替代取得了顯著的效果。我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)從前期大力投入，開(kāi)始進(jìn)入收獲季節(jié)，相關(guān)公司開(kāi)始增收增利。
近日爆發(fā)的日韓貿(mào)易戰(zhàn)中，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就因日本限制了關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口，而被鎖住了命運(yùn)的咽喉，半導(dǎo)體材料也因此成為了各界所關(guān)注的焦點(diǎn)。在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，半導(dǎo)體材料處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，是整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的重要支撐。在集成電路芯片制造過(guò)程中，每一個(gè)步驟都需要用到相應(yīng)的材料。半導(dǎo)體材料主要包括晶圓制造材料與封裝測(cè)試材料兩大類。其中，晶圓制造材料主要包括硅晶圓、光刻膠、掩膜版、電子特種氣體、濕電子化學(xué)品、濺射靶材、CMP 拋光材料等；封裝材料包括引線框架、基板、陶瓷封裝材料、鍵合絲、封裝樹(shù)脂、芯片貼裝材料等(圖 1)。
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圖 1 半導(dǎo)體材料涉及工藝流程(紅色為濕電子化學(xué)品應(yīng)用環(huán)節(jié))
一濕電子化學(xué)品簡(jiǎn)述
濕電子化學(xué)品指為微電子、光電子濕法工藝（主要包括濕法刻蝕、清洗、顯影、互聯(lián)等）制程中使用的各種電子化工材料。濕電子化學(xué)品按用途可分為通用化學(xué)品（又稱超凈高純?cè)噭┖凸δ苄曰瘜W(xué)品（以光刻膠配套試劑為代表）。
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超凈高純?cè)噭?/span>
??一般要求化學(xué)試劑中控制顆粒的粒徑在0.5μm以下，雜質(zhì)含量低于ppm級(jí)，是化學(xué)試劑中對(duì)顆?？刂?、雜質(zhì)含量要求最高的試劑。
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功能性化學(xué)品
指通過(guò)復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類或復(fù)配類化學(xué)品。功能性化學(xué)品一般配合光刻膠用，包括顯影液、漂洗液、剝離液等。
????從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來(lái)看，超凈高純?cè)噭┬枨罅空急冗_(dá)88%，功能性化學(xué)品占比達(dá)12%。其中，超凈高純?cè)噭┲?，占比較大的依次是，硫酸、雙氧水、氨水、氫氟酸、異丙醇、硝酸以及磷酸；功能性化學(xué)品中，占比較大的依次是，半導(dǎo)體用顯影液、刻蝕液、面板用顯影液、剝離液以及緩沖刻蝕液。
????濕電子化學(xué)品下游行業(yè)多為半導(dǎo)體、顯示面板、太陽(yáng)能電池等技術(shù)密集型行業(yè)，按照應(yīng)用領(lǐng)域不同，對(duì)產(chǎn)品的純度、潔凈度也有不同要求，本文僅以半導(dǎo)體領(lǐng)域?yàn)槔M(jìn)行簡(jiǎn)析。
一、在晶圓制造過(guò)程中，濕電子化學(xué)品主要用于清洗顆粒、有機(jī)殘留物、金屬離子、自然氧化層等污染物。
二、通過(guò)蝕刻液與特定薄膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而除去光刻膠未覆蓋區(qū)域的薄膜，實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移，獲得器件的結(jié)構(gòu)。
三、濕電子化學(xué)品也應(yīng)用于后段高端封裝領(lǐng)域的清洗、濺射、黃光、蝕刻等工藝環(huán)節(jié)。
半導(dǎo)體對(duì)濕電子化學(xué)品的微量金屬雜質(zhì)含量、顆粒粒徑和數(shù)量、陰離子雜質(zhì)含量等方面有嚴(yán)格要求。根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的濕電子化學(xué)品集中在SEMIG3、G4水平，且集成電路線寬越窄，所需標(biāo)準(zhǔn)越高 （表1）。
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表1 ?濕電子化學(xué)品SEMI標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)
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