1.2、異質(zhì)結(jié)電池工藝流程簡(jiǎn)潔，擁有更高開(kāi)路電壓：
異質(zhì)結(jié)的工藝流程更為簡(jiǎn)潔，獨(dú)特工藝是非晶硅薄膜沉積和TCO膜沉積。異質(zhì)結(jié)電池全稱(chēng)為本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer），又稱(chēng)HIT、HJT或SHJ電池。其工藝流程十分簡(jiǎn)潔，主要是清洗制絨、非晶硅薄膜沉積、TCO膜沉積以及絲網(wǎng)印刷四道工序。與需要10余項(xiàng)流程的PERC+以及TOPCon相比，HJT工藝流程相當(dāng)簡(jiǎn)潔。而且其中清洗制絨和絲網(wǎng)印刷都是傳統(tǒng)硅晶電池的工藝，HJT獨(dú)特的工藝在于非晶硅薄膜沉積以及TCO膜沉積。
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從技術(shù)原理來(lái)看，HIT擁有更低的載流子復(fù)合速率和更低的接觸阻抗造就了更高的開(kāi)路電壓。獲得更高開(kāi)路電壓的兩個(gè)重要條件是避免少數(shù)載流子與多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合，同時(shí)還要降低電阻促進(jìn)多數(shù)載流子更有效運(yùn)輸。PERC技術(shù)由于其不可避免的開(kāi)槽工藝造成了多子橫向輸運(yùn)損耗，同時(shí)在開(kāi)槽處金屬極與Si局域接觸仍然有較高的復(fù)合。而ITO薄膜（氧化銦錫薄膜，TCO薄膜中性能最好的材料）的特性是載流子復(fù)合速率高，但其接觸電阻率低，而非晶硅薄膜（a-Si:H）的特性是載流子復(fù)合速率低，但接觸電阻率高。異質(zhì)結(jié)電池中薄膜沉積的順序是非晶硅薄膜偏中間而ITO在最外層，這一順序決定了異質(zhì)結(jié)電池完美地結(jié)合了兩者的優(yōu)點(diǎn)。
具體而言，非晶硅薄膜在偏中間位置，當(dāng)光照到電池內(nèi)時(shí)，光生伏特效應(yīng)下產(chǎn)生了電子-空穴對(duì)，在P-N結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，電子向N區(qū)定向移動(dòng)，空穴則向P區(qū)。以P區(qū)為例，這個(gè)過(guò)程中，在P區(qū)靠近內(nèi)建電場(chǎng)處，由于本征激發(fā)的電子（P區(qū)的少子）受內(nèi)建電場(chǎng)作用可能往N區(qū)移動(dòng)，P區(qū)的電子和來(lái)自向P區(qū)定向移動(dòng)的空穴就可能互相靠近發(fā)生復(fù)合。在異質(zhì)結(jié)電池中，可能發(fā)生復(fù)合的區(qū)域則沉積了非晶硅薄膜（a-Si:H），低載流子復(fù)合率的優(yōu)勢(shì)就發(fā)揮出來(lái)了，同時(shí)由于在內(nèi)部并沒(méi)有與金屬極接觸，高接觸電阻的劣勢(shì)并沒(méi)有顯現(xiàn)。光生伏特產(chǎn)生的電流導(dǎo)出到金屬電極則經(jīng)過(guò)ITO薄膜，此時(shí)ITO的低接觸電阻優(yōu)勢(shì)發(fā)揮出來(lái)。因此，異質(zhì)結(jié)電池?fù)碛懈叩霓D(zhuǎn)化效率。
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薄膜沉積是異質(zhì)結(jié)工藝的核心。異質(zhì)結(jié)電池制造工藝主要是清洗制絨、非晶硅薄膜沉積、TCO薄膜沉積和絲網(wǎng)印刷，其中核心工藝是非晶硅薄膜沉積和TCO薄膜沉積。由于高溫易使雜質(zhì)擴(kuò)散而影響非晶硅薄膜質(zhì)量，從而影響鈍化效果，異質(zhì)結(jié)電池制造過(guò)程采用低溫工藝，一般電池制造可能高達(dá)800℃，而異質(zhì)結(jié)電池制造一般不超過(guò)200℃。不僅僅是薄膜沉積是低溫工藝，絲網(wǎng)印刷也采用低溫銀漿，這就保證了非晶硅薄膜的質(zhì)量。相對(duì)PERC工藝更為簡(jiǎn)潔和精密，并借鑒半導(dǎo)體工藝。就BSF電池以及在其基礎(chǔ)上改進(jìn)的PERC而言，其工藝流程步驟相對(duì)繁瑣，但異質(zhì)結(jié)電池的工藝僅四步。異質(zhì)結(jié)電池更多地借鑒了半導(dǎo)體工藝，在清洗制絨階段，使用半導(dǎo)體的RCA工藝。由于需要進(jìn)行薄膜沉積，異質(zhì)結(jié)電池工藝使用的PECVD和CVD也更為精密，更偏向半導(dǎo)體工藝。
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2.1、清洗制絨：
從借鑒半導(dǎo)體RCA工藝到新型臭氧工藝異質(zhì)結(jié)電池對(duì)硅片表面清潔度要求更高，主流清洗工藝為RCA工藝，新興工藝為臭氧清洗工藝。硅片經(jīng)過(guò)前期的工序加工后，表面可能受到有機(jī)雜質(zhì)、顆粒、金屬離子等沾污，在制作電池的第一步都是對(duì)硅片進(jìn)行清洗。同時(shí)為了增加對(duì)光的能量吸收以及提升鈍化效果，在硅片表面腐蝕出金字塔形貌以作為陷光結(jié)構(gòu)也非常重要。異質(zhì)結(jié)電池要形成高鈍化的a-Si:H/ｃ-Si(n)界面，硅面表面清潔度要更高，因此相比BSF和PERC電池而言，異質(zhì)結(jié)電池對(duì)清洗制絨的要求也會(huì)更高一些。清洗主流工藝為RCA法。RCA法最早由美國(guó)RadioCorporationofAmerica研發(fā)用于半導(dǎo)體晶圓清洗工藝，該工藝包含SC1和SC2兩個(gè)步驟，分別使用NH4OH、H2O2和HCl、H2O2。由于NH4OH和H2O2本身的揮發(fā)性較強(qiáng)，而RCA工藝溫度高于60℃更是加劇了其揮發(fā)，從而引起更高的清洗成本。以臭氧為基礎(chǔ)的工藝則成為新的關(guān)注點(diǎn)，臭氧去離子水（DIO3）不僅可以更高效地去除有機(jī)雜質(zhì)和金屬雜質(zhì)，同時(shí)減少化學(xué)品的消耗，而且
不會(huì)產(chǎn)生含氮廢水。根據(jù)德國(guó)Fraunhofer研究所，臭氧清洗的異質(zhì)結(jié)電池轉(zhuǎn)化效率比RCA最高可高出絕對(duì)值0.45%。臭氧清洗工藝已于2015年開(kāi)始在異質(zhì)結(jié)規(guī)?；a(chǎn)中進(jìn)行推廣，但在國(guó)內(nèi)的應(yīng)用還不廣泛。
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