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導(dǎo)讀：?隨著聯(lián)電廈門子公司聯(lián)芯的 28 納米先進(jìn)制程計(jì)劃在今年第二季正式量產(chǎn)，TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，中國(guó)本土晶圓代工廠今年將沖刺在 28 納米最先進(jìn)制程的布局，進(jìn)度最快的本土晶圓代工廠為中芯國(guó)際與華力微電子...
隨著聯(lián)電廈門子公司聯(lián)芯的 28 納米先進(jìn)制程計(jì)劃在今年第二季正式量產(chǎn)，TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，中國(guó)本土晶圓代工廠今年將沖刺在 28 納米最先進(jìn)制程的布局，進(jìn)度最快的本土晶圓代工廠為中芯國(guó)際與華力微電子，然而，隨著外資紛紛于中國(guó)大陸地區(qū)設(shè)立晶圓廠，本土晶圓代工廠面臨技術(shù)、人才、市場(chǎng)上的直接競(jìng)爭(zhēng)壓力。
拓墣指出，中國(guó)大陸地區(qū)純晶圓代工廠商目前最先進(jìn)的量產(chǎn)制程為 28 納米，根據(jù)統(tǒng)計(jì)，中芯國(guó)際 28 納米晶圓產(chǎn)品 2016 年的年晶圓產(chǎn)能全球占比不足 1％，與 28 納米制程市占率分別為 66．7％、16．1％ 與 8．4％ 的前三大純晶圓代工廠商臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電仍有較大差距。
不過，根據(jù)中芯國(guó)際季報(bào)顯示，2016 年第四季 28 納米營(yíng)收占比達(dá)到 3．5％。中芯國(guó)際首席CEO邱慈云在 2 月 15 日的法說會(huì)上表示，28 納米以下制程會(huì)是 2017 年中芯的成長(zhǎng)動(dòng)能之一，預(yù)期 2017 年底 28 納米以下制程，將占公司營(yíng)收比重達(dá)到 7％～9％。甫公布的中芯國(guó)際 2016 年業(yè)績(jī)報(bào)告中，也展望 2017 年底 28 納米季營(yíng)收占比接近 10％。
觀察華力微電子的制程布局進(jìn)度，雖然華力微電子宣布與聯(lián)發(fā)科合作的 28 納米移動(dòng)通訊芯片已順利流片，但距量產(chǎn)仍有一段距離。華力微電子二期項(xiàng)目已于 2016 年底開工，計(jì)劃 2018 年完工試產(chǎn)，預(yù)期將導(dǎo)入 28 納米生產(chǎn)線，后期逐漸過渡至 20 納米、14 納米，華力微電子二期項(xiàng)目也有導(dǎo)入 22 納米 FD－SOI 制程的考慮計(jì)劃。
拓墣指出，目前正值中國(guó)大陸地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展時(shí)期，除了本土晶圓制造廠商大力擴(kuò)張發(fā)展外，受地方政府及地方資本的追捧，外資廠商也紛紛登陸，各廠商都寄望在大陸集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵之際提前布局，占據(jù)有利市場(chǎng)地位。根據(jù)外資廠商進(jìn)駐大陸的技術(shù)布局習(xí)慣，一般會(huì)授權(quán)（N－1）代的技術(shù)，然而，這些技術(shù)往往又會(huì)對(duì)同期中國(guó)本土廠商產(chǎn)品造成很大的沖擊。
外資晶圓廠制程領(lǐng)先，沖擊本土廠商
截至目前，在純晶圓代工領(lǐng)域，選在南京建廠的臺(tái)積電將于 2018 年下半年導(dǎo)入 16 納米 FinFET 制程，預(yù)計(jì)對(duì)中芯國(guó)際 2019 年初的 14 納米 FinFET 量產(chǎn)計(jì)劃產(chǎn)生較大影響；于成都落腳的格羅方德將于 2019 年底導(dǎo)入 22 納米 FD－SOI 制程，直接壓迫同期華力微電子 22 納米 FD－SOI 制程的布局計(jì)劃。
另一方面，去年底剛投產(chǎn)的廈門聯(lián)芯，初期導(dǎo)入 55 / 40 納米制程，近日在聯(lián)電成功實(shí)現(xiàn) 14 納米 FinFET 量產(chǎn)計(jì)劃的條件下，宣布正式授權(quán)廈門聯(lián)芯 28 納米技術(shù)，并計(jì)劃最快 2017 年第二季導(dǎo)入量產(chǎn)，預(yù)估到年底在產(chǎn)能 1 萬(wàn) 6，000 片中，有 1 萬(wàn)片是 28 納米。在量產(chǎn)速度上，聯(lián)芯成為領(lǐng)先。雖然中芯國(guó)際的 28 納米制程已在這之前開始量產(chǎn)，但從產(chǎn)品規(guī)格來(lái)看，中芯更多偏向中低端的 28 納米 Ploy／SiON 技術(shù)，對(duì)于高端的 28 納米 HKMG 制程涉足并不深，而聯(lián)電的 28 納米在量產(chǎn)時(shí)間上領(lǐng)先中芯國(guó)際兩年，技術(shù)水準(zhǔn)也相對(duì)更加全面和穩(wěn)定，預(yù)計(jì)未來(lái)會(huì)對(duì)中芯國(guó)際 28 納米的布局產(chǎn)生較大的影響。
因此，拓墣指出，未來(lái)隨著各外資廠商新廠的落成投產(chǎn)，等待中國(guó)本土廠商的將是來(lái)自各外資廠商在技術(shù)、人才、市場(chǎng)等多方面資源的直接競(jìng)爭(zhēng)，大陸晶圓代工廠先進(jìn)制程布局將全面開戰(zhàn)。
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