國產(chǎn)化率低、政策大力支持發(fā)展
半導體設備鏈是支撐半導體行業(yè)的上游基礎子產(chǎn)業(yè)，投資價值巨大，按生產(chǎn)工藝流程可分為前段硅片制備、中段晶圓加工、后段封裝測試。硅片制備需要設備為減薄機、單晶爐、研磨機等；晶圓加工環(huán)節(jié)則需要熱處理設備、光刻機、刻蝕機、離子注入設備、CVD/PVD設備、清洗設備等；在封裝測試環(huán)節(jié)需要切割機、裝片機、鍵合機、測試機、分選機、探針臺等設備；此外，還需要潔凈室等設備作為輔助設備。
從品類上看，半導體設備則可分為晶圓處理設備、封裝設備、測試設備和其他設備，其他設備包括硅片制造設備、潔靜設備、光罩等。這些設備分別對應集成電路制造、封裝、測試和硅片制造等工序，分別用在集成電路生產(chǎn)工藝的不同工序里。
由于國際巨頭壟斷著全球高端設備市場，目前，我國半導體設備普遍國產(chǎn)化率很低，如光刻機、離子注入設備、氧化擴散設備國產(chǎn)化率均低于10%，刻蝕機約10%，CVD/PVD設備約10%-15%，封測設備國產(chǎn)化率普遍小于20%。
為此，打破壟斷、提高國產(chǎn)化率是當務之急，力爭實現(xiàn)半導體設備自主可控。在此背景下，國家產(chǎn)業(yè)政策大力支持，出臺了02專項，即國家“極大規(guī)模集成電路制:造技術及成套工藝”項目，在“十二五”期間著重進行了45-22納米關鍵制造裝備攻關，開發(fā)32-22納米互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝、90-65納米特色工藝，開展22-14納米前瞻性研究，形成65-45納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈等重要任務，受益于02專項的扶持，國內(nèi)設備企業(yè)如中微半導體、北方華創(chuàng)、上海微電子等迅速發(fā)展，攻克了一系列關鍵技術，在國家半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程中起到關鍵作用。
半導體設備行業(yè)技術壁壘非常高，隨著制程越來越先進，對半導體設備的性能和穩(wěn)定性提出了越來越高的要求，需要投入大量的研發(fā)資金。因此，除了政策支持，我國也成立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金，“大基金”的投資項目覆蓋了集成電路的制造、設計、材料設備、封裝測試等環(huán)節(jié)，大力投資必會帶動國內(nèi)半導體設備行業(yè)的快速發(fā)展。
晶圓建廠熱潮掀起，拉動設備需求
在政策和資本的雙重驅(qū)動下，中國大陸晶圓生產(chǎn)線建設進入了新一輪發(fā)展浪潮。SEMI預計，2017-2020年間，全球共將投產(chǎn)62座半導體晶圓廠，中國大陸新建投產(chǎn)約26座，占比達42%。此輪建廠潮主要以12寸晶圓廠為主，如果能夠落地，將大大拉動對半導體設備的需求。
根據(jù)已公布的晶圓廠建設投資規(guī)劃進行統(tǒng)計測算，新建一座晶圓廠平均投資金額約60億美元，設備投資占總投資金額的70%以上，1萬片/月的單位產(chǎn)能對應總投資約8.5億美元，對應設備投資約6億美元。而在設備配置中，制造設備占比最多，占比高達70%，其中光刻機、刻蝕機以及薄膜沉積設備為核心，各占30%、25%，25%；封裝設備與測試設備占設備投資比例為15%、10%。
不過，由于芯片制造領域涉及技術難度很高，如光刻機工藝要求極高，國內(nèi)與國外水平相差3代以上，短時間難以趕超，而產(chǎn)業(yè)鏈后端環(huán)節(jié)封裝測試領域技術含量相對較低，因而成為我國重點突破領域，目前也已經(jīng)成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中最具競爭力的環(huán)節(jié)。2018年第一季度，中國封測產(chǎn)業(yè)貢獻了402.5億元的銷售額，占國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)銷售額35%，封裝設備市場占全球封裝設備市場的36.8%。
總的來說，持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不僅帶動了國內(nèi)集成電路整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術水平的提高，也為半導體設備行業(yè)提供了巨大的市場空間。
以上數(shù)據(jù)及分析均來自于前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《2018-2023年中國半導體分立器件制造行業(yè)發(fā)展前景與投資預測分析報告》。
來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院