掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過(guò)將無(wú)水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實(shí)現(xiàn)方法，描述了一種通過(guò)將氮?dú)馔ㄟ^(guò)高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統(tǒng)。 實(shí)驗(yàn)圖1顯示了本工作中使用的反應(yīng)器的示意圖；該反應(yīng)器由一個(gè)惰性碳化硅反應(yīng)室和兩個(gè)裝有適當(dāng)溶液的加熱汽化器組成，通過(guò)使受控量的氮?dú)廨d氣通過(guò)汽化器來(lái)輸送蒸汽，該室沒(méi)有被加熱，并且處理壓力保持在350托。為了進(jìn)行電學(xué)表征，在摻硼多晶硅上制備了具有450納米摻雜柵的LOCOS隔離MOSCAPs 5-10 Q-cm (100)取向的硅襯底，12納米的柵氧化層是在900℃的干燥氧氣環(huán)境中生長(zhǎng)的，電容器既沒(méi)有接受氧化后惰性環(huán)境，也沒(méi)有接受金屬化后形成氣體退火。 結(jié)果與討論通過(guò)氣相高頻氧化物蝕刻，可以實(shí)現(xiàn)孵育時(shí)間和不同模式的蝕刻選擇性。硅的各種氧化物和氮化物的蝕刻速率列于表1。與高頻水溶液一樣，氣相等效物對(duì)不同的硅氧化物表現(xiàn)出不同的蝕刻速率，從而產(chǎn)生了蝕刻選擇性，蝕刻速率從熱生長(zhǎng)到沉積氧化物，從未摻雜到摻雜氧化物增加。雖然氮化硅的低蝕刻速率使其成為硅氧化物的合適蝕刻掩模，但需要注意的是，氣相HF與水對(duì)應(yīng)物一樣，產(chǎn)生各向同性蝕刻。氣相和水相高頻之間有明顯的區(qū)別。如表1所示，蝕刻發(fā)生的時(shí)間存在于蝕刻過(guò)程的開(kāi)始，這種孵育時(shí)間與在晶片表面...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對(duì)所有種類(lèi)的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。本發(fā)明涉及評(píng)估硅晶片內(nèi)部缺陷(defect)的方法，在半導(dǎo)體器件的制造中，主要用作基板的硅晶片通常在制造高純度多晶硅棒后。隨著超大規(guī)模集成(ULSI)電路設(shè)備(device)密度的增加，設(shè)備所在晶片表面的活動(dòng)區(qū)域沒(méi)有缺陷和污染，安全的降級(jí)區(qū)，特別是，在設(shè)備制造過(guò)程中，被熱遺棄的晶片內(nèi)部的缺陷不僅表明消除對(duì)設(shè)備電氣特性有致命影響的金屬雜質(zhì)的有益影響，而且對(duì)晶片的強(qiáng)度也有重要影響，因此準(zhǔn)確評(píng)價(jià)晶片到目前為止，硅晶片內(nèi)部的缺陷評(píng)價(jià)一直是通過(guò)將熱處理過(guò)的晶片切割干凈或角聚化后用光(wright)蝕刻液不均勻地蝕刻缺陷，用光學(xué)顯微鏡觀察蝕刻過(guò)的缺陷部位來(lái)進(jìn)行的。從上述晶片的切面簡(jiǎn)單地用光蝕刻來(lái)評(píng)價(jià)出現(xiàn)的缺陷密度的方法具有簡(jiǎn)單可行的優(yōu)點(diǎn)，但根據(jù)硅片的類(lèi)型，表面出現(xiàn)了artifact，觀察缺陷有困難。將現(xiàn)有硅晶片內(nèi)部的缺陷評(píng)價(jià)球晶顯示在第一度。根據(jù)上述方法，特別是P(100)、N(100)、P Epi/P(100)晶片在蝕刻后表示良好的morphology(形態(tài))，但P(11...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文涉及一種清洗太陽(yáng)能電池晶片的清洗設(shè)備，特別涉及一種用于干燥清洗后的晶片的太陽(yáng)能電池晶片清洗器的干洗裝置。根據(jù)發(fā)明的太陽(yáng)能電池晶片洗滌器用干裝置包括:在內(nèi)部注入晶片的情況下使晶片干燥的腔室、在該腔室內(nèi)旋轉(zhuǎn)支承的情況下提供空氣以使注入腔室內(nèi)的晶片干燥的擺動(dòng)噴嘴、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)該擺動(dòng)噴嘴的擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置，從而確保更好的干燥性能，大大縮短干燥時(shí)間，從而有助于提高生產(chǎn)率。太陽(yáng)能電池是吸收太陽(yáng)光并產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的光電轉(zhuǎn)換元件，是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的核心，目前晶體硅(Si)占太陽(yáng)能電池材料的90%以上。太陽(yáng)能電池級(jí)晶片與已經(jīng)用作半導(dǎo)體電路元件基板50多年的半導(dǎo)體級(jí)硅片相比，為了降低制造成本，純度比11 Nine低6 Nine(99.9999%)但是，雖然電路的復(fù)雜性或線(xiàn)寬大小有差異，但從根本上說(shuō)，半導(dǎo)體所子和太陽(yáng)能電池都是通過(guò)添加硼(B)、磷(P)等興奮劑形成P型和n型區(qū)域，制作電極的過(guò)程是相同的。形成如此眾多光電轉(zhuǎn)換元件的太陽(yáng)能電池級(jí)晶片被稱(chēng)為Solar Wafer。這樣制造Solar Wafer，配置電池并安裝在現(xiàn)場(chǎng)，太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)就完成了。另一方面，太陽(yáng)能電池制造工藝由光刻、蝕刻（蝕刻）、離子注入、薄膜形成等眾多單位工程組成，在一個(gè)單位工程結(jié)束，進(jìn)入下一個(gè)單位工程之前，必須經(jīng)過(guò)清潔工藝。這樣，清潔設(shè)備可以降低昂貴的工藝設(shè)備部件和材料的更換費(fèi)用，是提高半導(dǎo)體/LCD/...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文涉及一種感光膜去除方法，通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡(jiǎn)化后處理序列，從而縮短前工藝處理時(shí)間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。圖1是示出澆口蝕刻過(guò)程中過(guò)量生成的聚合物的圖。 圖2a內(nèi)地圖2b為本發(fā)明澆口蝕刻后的感光膜去除方法的工藝剖面圖。 圖3是從設(shè)備方面說(shuō)明本發(fā)明的感光膜去除方法的概要的圖，該方法將在Asher的工藝室內(nèi)進(jìn)行。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制造工藝，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及一種在澆口蝕刻后能夠順利地去除聚合物和感光膜的方法，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每一步都必須寫(xiě)照相工藝。 該照相工藝將感光劑均勻涂布在晶片上， 使用步進(jìn)器等曝光設(shè)備， 是指將蒙版或復(fù)制品上的圖案縮小投影曝光后，經(jīng)過(guò)顯影過(guò)程，形成所需二維圖案的感光膜的所有工序。 在照相過(guò)程中形成圖案后， 使用感光膜作為掩膜，實(shí)施蝕刻或離子注入工程等，之后實(shí)施去除不必要的感光膜的工程，稱(chēng)為感光膜去除。 為了解決上述問(wèn)題， 本發(fā)明的目的在于針對(duì)澆口蝕刻后生成的聚合物的特性，首先順暢地去除聚墨，從而提供一種能夠簡(jiǎn)化感光膜去除工藝的感光膜去除方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明包括:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文的目的是尋找改進(jìn)玻璃蝕刻劑的濕式蝕刻技術(shù)的方法，分析了玻璃濕蝕工藝的基本要素。為此，提出了一種改進(jìn)的玻璃深濕蝕刻技術(shù)。用Cr/Au和光刻膠掩模蝕刻了一個(gè)500µm厚的Pyrex玻璃晶片，據(jù)我們所知，這是所報(bào)道的最佳結(jié)果。對(duì)于改進(jìn)的表面，建立了高溫和蘇石灰玻璃的最佳溶液HF/HCl（10：1）。本文將重點(diǎn)研究玻璃的濕蝕刻過(guò)程，重點(diǎn)研究最常用的玻璃玻璃之一（康寧7740）。 玻璃蝕刻技術(shù)玻璃蝕刻主要有三種技術(shù)：機(jī)械、干燥和濕。機(jī)械方法包括傳統(tǒng)的金剛石鉆頭鉆頭、超聲波鉆孔、電化學(xué)放電或粉爆，這些方法通常用于通過(guò)玻璃晶片進(jìn)行蝕刻。然而，使用這種方法不能生成光滑的表面，干式蝕刻技術(shù)包括等離子體和激光蝕刻玻璃。目前有大量的玻璃，每一種都有不同的性質(zhì)和不同的成分。玻璃是氧化物的“混合物”，這些氧化物的組成和濃度賦予了主要的性質(zhì)。因此，玻璃蝕刻的表征只能進(jìn)行一般術(shù)語(yǔ)的分析。玻璃的濕式蝕刻主要是在hf基溶液中進(jìn)行的。由于成分的不同，蝕刻速率也有所不同。 圖1不同眼鏡的深度與蝕刻時(shí)間圖1給出了一個(gè)例子，其中三種不同的玻璃(康寧7740、打石灰和HoyaSD-2)在HF49%溶液中濕蝕刻,可以觀察到，只有康寧7740呈現(xiàn)出恒定的蝕刻速率，而其他兩種玻璃的深度在時(shí)間上有拋物線(xiàn)變化。對(duì)這種效應(yīng)的解釋可以在玻璃成分中找到。結(jié)果在蝕刻后，...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文研究了CMP化學(xué)物質(zhì)誘導(dǎo)的多孔硅-sio低材料的降解，并描述了其降解機(jī)理和回收方法。描述了CMP工藝對(duì)漏電流退化的影響和介電常數(shù)，發(fā)現(xiàn)漏電流和介電常數(shù)增加。根據(jù)傅立葉變換FTIR吸收，由于CHx和OH鍵的增加，CMP后清洗溶液，這是因?yàn)榛瘜W(xué)機(jī)械拋光后清洗溶液中的表面活性劑滲透到多孔二氧化硅中，滲透的表面活性劑在CMP工藝之后，可以通過(guò)用2-丙醇或乙醇沖洗來(lái)去除多孔二氧化硅。 實(shí)驗(yàn) 本文研究的工藝流程是使用CMP掃描機(jī)NPS3301尼康對(duì)300mm硅片上的多孔硅片進(jìn)行了Cmp工藝直接拋光和CMP后清洗，將漿液的流量保持在150mL/min時(shí)保持不變，拋光壓力和平均相對(duì)速度分別保持在0.34kPa和1.79m/s。這個(gè)多孔的二氧化硅被拋光了30秒，清洗液1pH9.0和清洗液2pH5.0與刷砂一起進(jìn)行cmp后清洗，清洗時(shí)間分別為38和60s。此外，用n2氣-水二相流動(dòng)清洗清洗拋光后的多孔二氧化硅18s。 為了研究CMP化學(xué)物質(zhì)的降解和對(duì)回收過(guò)程的影響，進(jìn)行了浸漬試驗(yàn)，即將多孔硅膜浸入CMP化學(xué)物質(zhì)中1min，用去離子水或乙醇沖洗8min，n2吹法干燥。FTIR作為一個(gè)指硅襯底在透射模式下的入射角和垂直入射角的差光譜進(jìn)行測(cè)量。采用固著液滴法測(cè)量了接觸角。...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文公開(kāi)了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法,所公開(kāi)的本發(fā)明的特點(diǎn)是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對(duì)齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域，使其不與上述清潔組的入口相對(duì)、將上述對(duì)齊的半導(dǎo)體晶片浸入清潔組的步驟、旋轉(zhuǎn)上述沉積的半導(dǎo)體晶片的凸緣區(qū)域，在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)清洗上述旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體晶片、將上述清潔的半導(dǎo)體晶片浸入上述清潔組之外的步驟。涉及半導(dǎo)體晶片濕式清洗方法，特別是，半導(dǎo)體晶片用濕式均勻清洗方法。一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中，通過(guò)氧化和擴(kuò)散過(guò)程、照相過(guò)程、蝕刻過(guò)程和薄膜沉積過(guò)程等，將半導(dǎo)體器件聚集到Weiper中的過(guò)程中，會(huì)伴隨著粒子、灰塵和水分等不可選擇的雜質(zhì)。這種雜質(zhì)是引起半導(dǎo)體器件物理缺陷及特性下降的原因，最終會(huì)使器件的收率下降。因此，為了使元件的收率保持在適當(dāng)狀態(tài)，正在單位工序前后進(jìn)行清除不需要的雜質(zhì)的清洗過(guò)程。 圖1圖1是用于說(shuō)明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體晶片清洗方法的圖紙。參照?qǐng)D1，為了從晶片(10)的表面消除污染源，將晶片(10)的平坦區(qū)域?qū)?zhǔn)預(yù)定方向，然后將晶片(10)浸泡在含有清洗液的清洗槽中,這時(shí)，晶片的平坦區(qū)域按照不與洗滌池的入口相對(duì)的方向排列。因此，晶片按A區(qū)域、B區(qū)域、C區(qū)域的順序沉積在洗滌池中。在這里，清洗液由適當(dāng)?shù)娜軇┗蚧瘜W(xué)溶液組成，以消除目標(biāo)污染源。在圖1中，箭頭指示晶片(10)沉積在洗滌液(20)上的方向。...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料半導(dǎo)體制造過(guò)程中，在每個(gè)過(guò)程前后實(shí)施的清洗過(guò)程約占整個(gè)過(guò)程的30%，是重要的過(guò)程之一。特別是以RCA清潔為基礎(chǔ)的濕式清潔工藝，除了化學(xué)液的過(guò)度使用、設(shè)備的巨大化、廢水造成的環(huán)境污染等問(wèn)題外，重要的是有效地沖洗，防止清潔化學(xué)液在道工序后在晶片表面殘留，以及防止水斑點(diǎn)等污染物再次污染。因此，最近在濕清洗過(guò)程中，正在努力減少化學(xué)液和超純水的量，回收利用，開(kāi)發(fā)新的清洗過(guò)程，在干燥過(guò)程中，使用超純水和IPA分離層的marangoni干燥方法正在引入。本研究考察了不同于傳統(tǒng)的marangoni方法，利用超純水和IPA的混合溶液表面進(jìn)行干燥和去除污染顆粒的效果。自制了超純水和IPA混合溶液安裝在室內(nèi)，為了制造一定濃度的混合溶液，我們先在單獨(dú)的容器中混合，并保持混合溶液在bath內(nèi)以3 LPM的流量恒定地投入。此外，為了方便晶片的干燥，還采取了其他措施。根據(jù)IPA的濃度變化，觀察晶片表面污染顆粒的增減情況，在IPA添加量為低濃度和高濃度的情況下，可以觀察到良好的結(jié)果。而且，將晶片從bath內(nèi)取出到大氣中時(shí)的解除速度對(duì)晶片表面的污染粒子數(shù)沒(méi)有太大影響，但對(duì)晶片底部的water droplet形成有很大影響，結(jié)論表明與GAN有密切關(guān)系。另外，繼續(xù)反復(fù)使用超純水和IPA混合溶液進(jìn)行工藝，表明晶片表面存在的粒子數(shù)量沒(méi)有增加，而是保持在一定水平。干燥過(guò)程中吹的hot N2...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本設(shè)計(jì)涉及自旋干燥器的晶片導(dǎo)向結(jié)構(gòu)， 更詳細(xì)的說(shuō)明是為了減少蝕刻后的晶片在干燥中的顆粒所造成的污染， 內(nèi)側(cè)有支撐各種結(jié)構(gòu)的軀體， 使多個(gè)晶片在上述體內(nèi)側(cè)可旋轉(zhuǎn)支撐的多個(gè)回收站， 對(duì)于由多個(gè)晶片導(dǎo)軌組成的自旋驅(qū)動(dòng)裝置，上述每個(gè)晶片的邊緣結(jié)合在一起，從而使上、下晶片在一定的間隙內(nèi)高速旋轉(zhuǎn)， 上述晶片導(dǎo)軌的特點(diǎn)是，由傾斜角度約為12°的斜角槽和寬約為0.9 mm的長(zhǎng)方形槽組成，使與晶片的摩擦最小化。 圖1圖1a為城市通常自旋干裝置的一部分的平面圖，圖1b為城市圖1a的1-1線(xiàn)的部分截面圖。 其中， 圖1b是圖1a的1-1線(xiàn)， 上述晶片導(dǎo)軌形成了傾斜的傾斜凹槽，以使晶片的邊緣易于插入； 與上述傾斜凹槽聯(lián)通時(shí)，形成了一定寬度及一定深度的矩形槽。進(jìn)行這種配置的傳統(tǒng)自旋干燥器的晶片導(dǎo)軌在多個(gè)晶片插入上述晶片導(dǎo)軌的直方槽后， 其作用是在超純水噴射到上述晶片表面的同時(shí)，在高速旋轉(zhuǎn)（大約為1200RPM）的過(guò)程中，抓住晶片以防止上述晶片移動(dòng)。 當(dāng)然，在上述晶片的高速旋轉(zhuǎn)下，殘留在上述晶片上的蝕刻液都會(huì)外排。但是，這種傳統(tǒng)的自旋干燥器的晶片導(dǎo)軌存在著一個(gè)問(wèn)題，由于與晶片的摩擦，大量的particle和物質(zhì)留在晶片的邊緣，導(dǎo)致晶片被頂出（reject）處理。也就是說(shuō)， 由于晶片邊緣與上述晶片導(dǎo)軌的矩形槽之間的摩擦，上述矩形槽可能會(huì)輕微損壞，...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說(shuō)，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O/O2氣體氣氛中進(jìn)行干洗，在CF4等離子體條件下進(jìn)行干燥，在O2等離子體的條件下進(jìn)行干燥劑后， 通過(guò)執(zhí)行濕式清潔工藝去除上述殘留光刻膠，可以徹底去除半導(dǎo)體裝置制造過(guò)程中使用的光刻膠，增進(jìn)半導(dǎo)體裝置的可靠性，防止設(shè)備污染。眾所周知， 在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中，用于各種電路的無(wú)縫電氣連接金屬布線(xiàn)隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品的高集成化、高速化，越來(lái)越要求以較小的線(xiàn)寬制作。因此，選擇合適的光刻膠是非常重要的，隨著金屬布線(xiàn)的線(xiàn)寬變小，不僅大功率和低壓力被用作金屬布線(xiàn)形成的蝕刻方法，根據(jù)所用光刻膠的特點(diǎn)，去除蝕刻進(jìn)程中產(chǎn)生的聚合物和光刻膠是非常重要的。傳統(tǒng)的方法是在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中使用H2O等離子體、由于蝕刻過(guò)程中產(chǎn)生的聚合物，使用O2等離子體進(jìn)行干洗，可能無(wú)法完全去除光刻膠。 即使執(zhí)行濕式清潔，由于等離子體室的高溫，在等離子體發(fā)揮作用之前，隨著晶片停留時(shí)間的增加，聚合物也會(huì)過(guò)度硬化，直接殘存的問(wèn)題。因此， 本發(fā)明旨在解決上述傳統(tǒng)技術(shù)存在的問(wèn)題，在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中，H2O等離子體，其目的在于提供一種半導(dǎo)體制造用的光刻膠去除方法，利用H2O/O2氣體、CF4等離子體和O2等...
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