掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文為后化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)了新型清洗液，在稀釋的氫氧化銨(NH4OH+H2O)堿性水溶液中加入表面活性劑四甲基氫氧化銨(TMAH)和/或螯合劑乙二胺四乙酸(EDTA)，以增強(qiáng)對(duì)金屬和有機(jī)污染物的去除。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，化學(xué)機(jī)械拋光后的清洗顯著提高了顆粒和金屬的去除效率和電特性。 介紹 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝已成為制造深亞微米集成電路的主流平面化技術(shù)。隨著尺寸的縮小，CMP過程后對(duì)清潔表面的要求變得比以往任何時(shí)候都更加嚴(yán)格。有兩個(gè)主要的問題。一個(gè)是粒子，另一個(gè)是晶片表面的金屬雜質(zhì)污染。刷洗滌技術(shù)已應(yīng)用多年，被認(rèn)為是CMP工藝后去除顆粒最有效的方法。在清洗溶液方面，去除顆粒的最有效的方法是使用稀釋的氫氧化銨(NHOH+HO)堿性水溶液，這將導(dǎo)致晶片表面的蝕刻和電排斥力來去除顆粒。 本研究采用表面活性劑四甲基氫氧化銨(TMAH)提高顆粒去除效率，采用螯合劑乙二胺四乙酸(EDTA)減少金屬雜質(zhì)污染。我們發(fā)現(xiàn)，使用這種新溶液可以顯著提高粒子、金屬去除效率和電特性。 實(shí)驗(yàn) 略 結(jié)果和討論 圖1說明了硅表面在接觸角測量中的潤濕性。將一個(gè)300nm的...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴(kuò)散限制反應(yīng)，代替脫蠟器的DIO3處理在8000的厚蠟層上顯示出低去除率。脫蠟器與DIO3漂洗相結(jié)合，以減少蠟去除時(shí)間并完全去除蠟殘留物。用DIO3漂洗代替去離子漂洗導(dǎo)致表面接觸角小于5°，這表明不需要進(jìn)一步的清洗步驟。通過將SC-1清洗步驟與DIO3漂洗過程相結(jié)合，進(jìn)一步提高了顆粒去除效率。通過在脫蠟過程中引入DIO3清洗，縮短了處理時(shí)間。 介紹 通過幾種拋光和清洗工藝，已經(jīng)生產(chǎn)出通過直拉法生長的用于器件芯片制造的硅晶片。隨著用于器件大規(guī)模生產(chǎn)的晶片尺寸的增加，半導(dǎo)體制造需要硅晶片的改善的均勻性和接近零的缺陷。通常，真空吸盤或薄膜類型的薄膜用于將晶片附著在拋光頭上進(jìn)行拋光處理。然而，有機(jī)蠟也被用于將晶片附著在頭上，用于最終的批量型拋光工藝，特別是為了實(shí)現(xiàn)晶片的高均勻性。在拋光過程之后，應(yīng)該從晶片背面去除有機(jī)蠟及其殘留物。商業(yè)和專有的脫蠟器用于去除厚的有機(jī)蠟，但是在常規(guī)的晶片背面清洗工藝中，為了去除殘留物和顆粒，遵循了SC-1清洗的幾個(gè)步驟。它需要較長的處理時(shí)間、高溫、大量的化...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹 聚乙烯醇刷洗是化學(xué)溶液清洗過程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類，根據(jù)其接觸類型(非接觸，完全接觸)。全接觸擦洗被認(rèn)為是去除晶片表面污染物的最佳有效清潔方法之一。然而，許多研究人員指責(zé)全接觸擦洗導(dǎo)致了晶片表面的劃痕，并建議應(yīng)避免全接觸。非接觸式去除力較弱，但不會(huì)產(chǎn)生劃痕。如果在非接觸模式下，去除力可以通過流體動(dòng)力阻力的最大化來克服與清洗液的附著力，那么非接觸模式擦洗將是最佳的清洗方法。為了通過刷子和晶片之間的小間隙使流體動(dòng)力阻力最大化，壓電傳感器安裝在晶片上以檢測由接觸產(chǎn)生的信號(hào)。為了研究磨料顆粒對(duì)銅和聚硅酸乙酯的粘附性，測量了膠體二氧化硅磨料、銅和聚硅酸乙酯之間的相對(duì)zeta電位。本文研究了聚乙烯醇刷非接觸擦洗對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光后清洗的影響。 實(shí)驗(yàn) 利用zeta電位分析儀研究了銅和PETEOS表面的磨料粘附性，以測量膠體硅、PETEOS和Cu表面之間的相對(duì)zeta電位。實(shí)驗(yàn)中使用的CMP漿料為商業(yè)漿料，含膠體硅磨料(平均直徑約為60nm，4.75wt%)。為了研究PVA電刷在非接觸模式下旋轉(zhuǎn)引起的水動(dòng)力阻力的影響，實(shí)驗(yàn)中使用了可控制到60~240rpm旋轉(zhuǎn)的研發(fā)清潔劑(GnPCleaner428，GnP技術(shù))。清潔器可以調(diào)整電刷子和晶片之間的間隙。...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 熱磷酸被發(fā)現(xiàn)有助于蝕刻和表征生長在（0001）藍(lán)寶石基質(zhì)上的外延氮化鎵晶體。得到的蝕刻速率為0.2-1.0um/min，在50℃~200℃鎵離子的溫度區(qū)域的活化能約為4.4千卡/摩爾被認(rèn)為是蝕刻作用的速率決定步驟。x射線衍射和紅外光譜研究表明，正交離子和元磷離子在蝕刻過程中在攻擊離子中起著重要的作用。這種磷酸蝕刻顯示了未摻雜(n)、摻雜鋅(i)和in結(jié)構(gòu)的氮化鎵外延晶體的晶體缺陷。圓錐形的六角形金字塔形凹坑和截?cái)嗟牧切伟伎釉谖磽诫s的層中形成，它們傾向于沿著滑移方向排列，并歸因于一定的位錯(cuò)。這些六角形的凹坑在外延層和基底的界面附近密集產(chǎn)生。凹坑的密度隨著晶體的增長而呈指數(shù)級(jí)減小。當(dāng)載流子濃度較高（1019-1020cm3）時(shí)，凹坑的密度和尺寸容易增大。圓形的蝕刻圖在zn摻雜晶體中形成，有時(shí)在高載流子濃度(1019cm-3)的未摻雜晶體中形成。蝕刻現(xiàn)象還表明，即使鋅摻雜層連續(xù)沉積在未摻雜層上，鋅摻雜晶體和未摻雜晶體的生長模式也存在顯著差異。這意味著這些晶體之間的晶體生長機(jī)制有所不同。 介紹 氮化鎵是一種非常有前途的化合物半導(dǎo)體，因?yàn)樗哂袑拵禰3.5eV（1）]。由于Maruska和Tietjen通過氣相沉積技術(shù)（2）在藍(lán)寶石基質(zhì)上生長了氮化鎵的外延單...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于氮化鎵和碳化硅的各種蝕刻劑，包括水性無機(jī)酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)中有多種應(yīng)用，包括缺陷裝飾、通過產(chǎn)生特征凹坑或小丘識(shí)別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對(duì)于氮化鎵和碳化硅，在室溫下電化學(xué)刻蝕在某些情況下是成功的。此外，光輔助濕法蝕刻產(chǎn)生類似的速率，與晶體極性無關(guān)。 介紹 寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅和氧化鋅對(duì)許多新興應(yīng)用具有吸引力。例如，AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMTs)和單片微波集成電路(MMICs)的發(fā)展預(yù)示著高頻工作。此外，氮化鎵還用于紫外波長光電子器件。它具有高擊穿電場，大于硅或GaAs的50倍，這使得它可以用于高功率電子應(yīng)用。氮化鎵的寬帶隙使其可以用于藍(lán)色/紫外線發(fā)光二極管和激光二極管，并且由于其固有載流子濃度低，可以在非常高的溫度下工作。 氧化鋅是一種具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的直接寬帶隙材料，可用于氣體傳感器、透...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 隨著集成電路變得越來越復(fù)雜。每個(gè)芯片的輸入/輸出連接數(shù)在增長傳統(tǒng)的引線鍵臺(tái)、引線框架、安裝技術(shù)已經(jīng)跟不上了。當(dāng)芯片封裝在一個(gè)擁有數(shù)百條引線的巨大器件中時(shí)；縮小芯片尺寸所節(jié)省的空間就會(huì)丟失。解決辦法是顛簸金、導(dǎo)電膠，但最重要的是焊料凸點(diǎn)。實(shí)際上，世界上每—家半導(dǎo)體制造商都在使用或計(jì)劃使用凸點(diǎn)技術(shù)來制造更大、更復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)備。 用于制造凸起晶片的幾種晶片凸起工藝。一些更流行的技術(shù)是蒸發(fā)、模板或絲網(wǎng)印刷、電鍍、化學(xué)鍍鐐、焊料噴射、柱形凸塊、貼花轉(zhuǎn)印、沖孔和沖模、焊料注入或擠出、粘性點(diǎn)處理和球放置。 ， 本文將討論使用這些技術(shù)來撞擊晶片的工藝步驟。關(guān)鍵清潔是這些過程的要求。需要去除的主要污染物是光刻膠和焊劑殘留物。去除這些污染物需 要濕法工藝，而濕法工藝不會(huì) 侵蝕、晶片金屬化或鈍化。研究的重點(diǎn)是滿足這一關(guān)鍵清潔要求的強(qiáng)化清潔解決方案。本文將介 紹定義從凸起晶片溶劑化和去除殘留物所需的時(shí)間、溫度、溶解能力和沖擊能量的工藝參數(shù)。 介紹 隨著技術(shù)的發(fā)展，將會(huì)有許多需要?jiǎng)?chuàng)新的挑戰(zhàn)，一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)將是關(guān)鍵的清潔。 為了更好地理解臨界清洗，本文將比較精密...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 通過x射線光電子能譜、原子力顯微鏡、反射高能電子衍射、電流電壓和電子束誘導(dǎo)電流表征，研究了氫氧化鉀處理對(duì)n型氮化鎵表面性質(zhì)和相關(guān)Au/n-GaN接觸點(diǎn)的影響。比較了分子束外延和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積生長的氣體極性表面。氫氧化鉀處理后，Au/n-GaN接觸的非輻射重組特性增加，與表面Ga空位增加、表面N-H2含量增加和表面C污染減少有關(guān)。對(duì)于分子束外延生長的氮化鎵，Ga3d峰位置的0.3eV轉(zhuǎn)移和位錯(cuò)對(duì)比的減少，這表明表面Ga空位和線程位錯(cuò)在定義合成的金屬/GaN接觸特性方面只發(fā)揮了有限的作用。因此，在評(píng)價(jià)n-GaN表面的電學(xué)性質(zhì)和相關(guān)的金屬接觸點(diǎn)的性能時(shí)，應(yīng)考慮到氫氧化鉀處理后的表面原子含量和由此產(chǎn)生的表面狀態(tài)。 介紹 基于砷化鎵的器件的性能受到用于連接到電源或其他器件的金屬觸點(diǎn)的質(zhì)量的顯著影響。金屬/n-GaN接觸點(diǎn)的電學(xué)性能取決于各種各樣的處理參數(shù)，如氮化鎵表面的清洗和蝕刻，金屬接觸層的組成和厚度，以及用于激活接觸點(diǎn)的退火溫度和大氣。由于增強(qiáng)的擴(kuò)散偶聯(lián)金屬化層和退火條件已經(jīng)被確定以提高接觸性能，因此也越來越注意金屬化前氮化鎵表面的制備。 需要詳細(xì)的研究來評(píng)估所采用的化學(xué)處理、氮化鎵表面由此產(chǎn)生的化學(xué)/結(jié)構(gòu)修飾與接觸點(diǎn)的電學(xué)性能之間的密切關(guān)系。...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文報(bào)道了用磷酸或氫氧化鉀溶液對(duì)鎵面和氮面氮化鎵進(jìn)行化學(xué)腐蝕的特性。由{10-1-1}面組成的六邊形金字塔在氫氧化鉀(2M，100℃)蝕刻后出現(xiàn)在N面上。相比之下，使用H3PO4 (85WT%，100℃)溶液中，GaN的氮表面呈現(xiàn)十二邊形金字塔。當(dāng)分別使用H3PO4或氫氧化鉀溶液時(shí)，十二邊形和六邊形金字塔重復(fù)出現(xiàn)在蝕刻表面上。低濃度的H3PO4 (H3PO4:去離子水= 1:32，1:64)產(chǎn)生了十二邊形和六邊形金字塔共存的粗糙表面。與未蝕刻表面相比，由于多次散射事件，蝕刻表面的光致發(fā)光強(qiáng)度顯著增加。因此，本研究中開發(fā)的蝕刻技術(shù)被證明可以提高發(fā)光二極管的光提取效率，避免等離子體蝕刻方法對(duì)氮化鎵的破壞。 介紹 由于根據(jù)Snell定律GaN (n = 2.5)和空氣(n = 1)之間的折射率差異，GaN LEDs具有非常小的臨界角(~23.6 ℃) 當(dāng)GaN和空氣之間的界面非常平坦和寬時(shí)，據(jù)報(bào)道只有4%的產(chǎn)生的光子能夠逸出表面已經(jīng)開發(fā)了許多方法來解決這個(gè)問題， 包括使用光子晶體結(jié)構(gòu)、漸變折射率層和圖案化藍(lán)寶石襯底。在這些方法中，濕化學(xué)蝕刻通常用于第三族氮化物材料系統(tǒng)的表面紋理化，因?yàn)樗哂性O(shè)備設(shè)置簡單、沒有晶格損傷、可擴(kuò)展性和良好的選擇性等特點(diǎn).光增強(qiáng)化學(xué)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文研究了一種用碳酸鈉和碳酸氫鈉溶液進(jìn)行單晶硅太陽能電池織構(gòu)化的新技術(shù)。通過一系列不同參數(shù)的對(duì)比實(shí)驗(yàn)，如Na2CO3和碳酸氫鈉的濃度、溶液溫度和刻蝕時(shí)間，來說明半球表面反射率的相關(guān)性。經(jīng)過四組實(shí)驗(yàn)，我們?cè)诓煌墓璞砻娅@得了均勻可靠的金字塔形織構(gòu)化。此外，我們發(fā)現(xiàn)通過添加碳酸氫鈉可以獲得更好的金字塔結(jié)構(gòu).已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在85℃下30分鐘由20 wt%碳酸鈉和4 wt%碳酸氫鈉組成的混合溶液在硅表面上產(chǎn)生均勻的金字塔結(jié)構(gòu)。紋理化的硅表面在太陽光譜的主要范圍(400納米-800納米)中表現(xiàn)出較低的平均反射率(約12.84%)。因?yàn)檫@種組織化方法經(jīng)濟(jì)、無害、污染小。我們覺得它適合大規(guī)模生產(chǎn)。 介紹 對(duì)于小型電源來說，光伏技術(shù)是一種可靠且經(jīng)濟(jì)的技術(shù)，其中最重要的因素之一是光電轉(zhuǎn)換效率。為了提高單晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，采用織構(gòu)化降低硅片表面反射率，增強(qiáng)光吸收。在單晶硅的情況下，報(bào)道了許多關(guān)于氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)溶液與異丙醇(IPA)的混合物的研究，因?yàn)閴A性溶液各向異性地蝕刻硅并在硅表面上產(chǎn)生小金字塔。 許多解決方案可用于通過改善硅晶片結(jié)構(gòu)光捕獲來提高硅太陽能電池的效率，但是其中，碳酸鹽/碳酸氫鹽溶液可被...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文利用n型氮化鎵在堿性過氧二硫酸鹽S2O2?8溶液中的電化學(xué)研究，解釋了開路條件下半導(dǎo)體的光刻機(jī)理。觀察到的鉑直接接觸半導(dǎo)體或電接觸的光蝕刻速率的增強(qiáng)主要是光光效應(yīng)。闡明了決定蝕刻動(dòng)力學(xué)和表面形態(tài)的因素。 介紹 單晶氮化鎵和三元第三族氮化物引起了科學(xué)界的極大興趣，它們優(yōu)越的化學(xué)和物理性能在高性能光電和電子器件中得到了應(yīng)用。蝕刻是器件制造中必不可少的步驟?？梢允褂酶晌g刻技術(shù)；這些包括反應(yīng)離子刻蝕RIE、電子回旋RIE、電感耦合等離子體RIE、磁控管RIE和化學(xué)輔助離子束刻蝕。然而，這些技術(shù)涉及復(fù)雜和昂貴的設(shè)備。此外，干法蝕刻可能導(dǎo)致?lián)p壞的表面和體電子狀態(tài)，這對(duì)光電子器件的性能有害。濕化學(xué)蝕刻提供了一種簡單而有吸引力的替代方法， 避免了表面損壞的問題。 本文用S2O2-8堿性溶液中n型氮化鎵的電化學(xué)研究結(jié)果作為考慮半導(dǎo)體光刻的基礎(chǔ)。使用了三種方法:I)光陽極蝕刻，其中半導(dǎo)體的電位由電壓源穩(wěn)壓器固定，ii)光電流蝕刻，其中半導(dǎo)體在沒有電壓源的情況下短路到反電極，以及iii)無反電極的無電光刻。在另一篇論文中，我們描述了顯示缺陷和圖案蝕刻或拋光的最佳S2O 2-8/KOH比率的結(jié)果。還考慮了S2O2...
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