掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在硅晶片的水加工中，晶片的干燥必須在每個(gè)加工步驟之后進(jìn)行。然而，目前使用的干燥工藝并不環(huán)保，即消耗了大量的溶劑和能量。為了滿(mǎn)足環(huán)境和經(jīng)濟(jì)要求，本文研究了一種基于清潔技術(shù)概念的新型晶圓干燥系統(tǒng)。為了降低異丙醇和能耗，提高干燥性能，開(kāi)發(fā)了一種由兩個(gè)獨(dú)立室(異丙醇室和干燥室)組成的新型干燥器。采用這種新配置進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)操作，以將其特性與其他廣泛使用的干燥器進(jìn)行比較。結(jié)果表明，IPA和能耗均小于常規(guī)干燥機(jī)。新型烘干機(jī)的烘干性能也優(yōu)于傳統(tǒng)烘干機(jī)。因此，新的干燥機(jī)為晶圓干燥提供了一個(gè)環(huán)保的替代方案。 介紹 半導(dǎo)體制造是一種復(fù)雜的操作，涉及多種物理化學(xué)過(guò)程。一般過(guò)程如圖所示。 1.作為第一步，通過(guò)晶體生長(zhǎng)（第一階段）產(chǎn)生硅晶片。為了賦予其半導(dǎo)體特性，晶片處理（第二階段）包括許多步驟，如氧化、光刻膠擴(kuò)散、紫外線暴露、蝕刻、離子實(shí)現(xiàn)和化學(xué)氣相沉積(CVD)。最后，通過(guò)切割和制造（第三階段）生產(chǎn)芯片。 在這項(xiàng)研究中，我們通過(guò)提供一個(gè)封閉的處理室來(lái)解決這些問(wèn)題。通過(guò)這種配置，異丙醇損失最小化，并且消除了異丙醇加工中固有的爆炸危險(xiǎn)條件。這種新系統(tǒng)也使得熱能損失最小化成為可能。因此，與傳統(tǒng)的干燥系統(tǒng)相比，這種新的干燥系...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 集成器件制造的精細(xì)圖案化工藝要求具有濕式化學(xué)加工中的表面清潔度、表面平滑度、完全均勻性和完全蝕刻線性等優(yōu)點(diǎn)。在我們的工作中，基于對(duì)BHF和SO的化學(xué)反應(yīng)機(jī)理的基礎(chǔ)研究，確定了緩沖氟化氫(BHF：NH4F+HF+H2O)的改進(jìn)化學(xué)組成。描述了基于化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和液體化學(xué)品性質(zhì)研究的先進(jìn)濕式化學(xué)加工，結(jié)合SiO2 BHF的圖案化工藝。硅技術(shù)的濕化學(xué)工藝原理基于以下四個(gè)要素：主要反應(yīng)的測(cè)定（蝕刻種類(lèi)、BHF蝕刻產(chǎn)物的溶解度對(duì)蝕刻均勻性和線性、無(wú)固相分離的化學(xué)成分的穩(wěn)定性，以及通過(guò)添加表面活性劑提高晶圓表面液體化學(xué)品的潤(rùn)濕性。 介紹 化學(xué)反應(yīng)是漸進(jìn)式ULSI加工的必要要求。特別是，由于器件集成的改進(jìn)通常需要高縱橫比接觸和通過(guò)孔的精細(xì)圖案，表面化學(xué)技術(shù)必須實(shí)現(xiàn)晶圓表面的完美光滑。酸性氟化銨溶液，被稱(chēng)為緩沖氟化氫(BHF)，是一種重要的化合物，因?yàn)樗鼘?duì)硅化合物的反應(yīng)性。它被廣泛用作表面處理劑，如刻蝕，圖案和清潔硅片表面。為了提高濕法蝕刻技術(shù)，必須提高BHF的化學(xué)活性和功能性能。本研究基于NH4FHFH20體系解離的光譜研究，從理論上考慮了BHF的化學(xué)成分。 硅技術(shù)中濕式化學(xué)加工的基本原理優(yōu)勢(shì)反應(yīng)（蝕刻） &#...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 基于臭氧的氟化氫化學(xué)被提議在晶圓回收中取代傳統(tǒng)的氟化氫/硝酸混合物用于多晶硅剝離。研究了臭氧化氫氟酸溶液的腐蝕特性。與HF/HNO3類(lèi)似，HF/O3被發(fā)現(xiàn)通過(guò)同時(shí)氧化和蝕刻工藝剝離多晶硅膜。剝離速率由氧化和蝕刻反應(yīng)競(jìng)爭(zhēng)中的速率限制步驟決定；無(wú)論哪個(gè)速度慢，都會(huì)控制整個(gè)動(dòng)力學(xué)。由于硅和氧化硅上的化學(xué)物質(zhì)具有不間斷蝕刻的特性，因此根據(jù)多晶硅和下面的熱氧化物之間的蝕刻選擇性來(lái)評(píng)估工藝應(yīng)用的可行性。 介紹 眾所周知，臭氧是一種強(qiáng)氧化劑，它可能是替代硝酸進(jìn)行內(nèi)部聚汽提的理想選擇。臭氧可以在使用點(diǎn)不斷產(chǎn)生，并與濃度穩(wěn)定的氟化氫溶液混合，而不會(huì)引起溫度變化。此外，單一酸(HF)系統(tǒng)可使無(wú)電極電導(dǎo)率傳感器適用于快速、準(zhǔn)確、經(jīng)濟(jì)高效地監(jiān)測(cè)和控制汽提過(guò)程中HF酸的濃度，從而延長(zhǎng)槽壽命。另外，與硝酸相比，臭氧幾十年來(lái)在大氣中迅速變成氧氣，大大減少了對(duì)環(huán)境的擔(dān)憂。在本研究中，評(píng)估了臭氧化氟化氫溶液的蝕刻特性和工藝效果，以探索所提出的化學(xué)方法的可行性。 實(shí)驗(yàn) 在這項(xiàng)研究中，使用了在400氧化硅層上涂有大約1000(或2000)多晶硅薄膜的150毫米硅片。認(rèn)識(shí)到以高速率在大表面積上產(chǎn)生均勻蝕刻的困難，較小的樣品被用于蝕刻速率表征測(cè)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在鋸切階段后的自動(dòng)檢測(cè)(AOI)過(guò)程中，觀察到成品率大幅下降。進(jìn)行一步一步的AOI檢驗(yàn)檢查和缺陷審查，以查看哪一步導(dǎo)致了大的產(chǎn)量下降，哪種缺陷對(duì)產(chǎn)量下降的貢獻(xiàn)最大。掃描電鏡和能譜分析顯示了顆粒的形狀和化學(xué)元素。從EDS的結(jié)果來(lái)看，粒子可以分為兩類(lèi)。一種是無(wú)機(jī)相關(guān)材料，主要包括硅元素，來(lái)自saw階段。通過(guò)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，找到合理的聲表面波相關(guān)參數(shù)，并對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化，以去除聲表面波級(jí)中的粒子。但是這種粒子的數(shù)量很少。產(chǎn)量只提高了不到5%。我們的主要努力是去除另一種顆粒，即有機(jī)相關(guān)材料，主要包括碳和氧元素。這種顆粒來(lái)自膠帶殘留物。為了去除殘留的膠帶，在鋸臺(tái)之前增加了一個(gè)步驟。幾乎所有殘留的膠帶都被移除了，最終產(chǎn)率提高了15%以上。 介紹 在本文中，AOI步驟的產(chǎn)量下降大部分是由粒子造成的。電子封裝組件中的顆粒一直是一項(xiàng)非常具有挑戰(zhàn)性的去除工作。一些顆粒會(huì)直接導(dǎo)致質(zhì)量問(wèn)題，而另一些顆?？赡軙?huì)引發(fā)可靠性問(wèn)題。找到粒子的根本原因，識(shí)別它，描述它是如何發(fā)生的，然后消除它，這是非常重要的。同時(shí)，粒子可能來(lái)自各種來(lái)源，如直接物質(zhì)、間接物質(zhì)、環(huán)境、設(shè)備，甚至人類(lèi)。在過(guò)去，大量的研究已經(jīng)調(diào)查了缺陷形成。本文提出了一種新的方法來(lái)除去幾乎所有的這些顆粒，最終產(chǎn)率提高了15%以上。...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 鍺的溶解在過(guò)氧化氫水從3到90%H2O2和pH從1到9已經(jīng)研究在溫度從25~90~已經(jīng)發(fā)現(xiàn)溶解率保持不變的溶液重量3-30%的H2O2低pH，然后減少隨著H2O2增加。所提供的內(nèi)容。pH4以上的反應(yīng)高度依賴(lài)于pH，這種pH依賴(lài)性隨H2O2濃度的變化而變化。這說(shuō)明在pH值為5及以上時(shí)，低、高H2O2濃度溶液的速率控制步驟可能不同。提出了解釋這種情況的反應(yīng)機(jī)制。 介紹 使用過(guò)氧化氫溶液作為鍺的最終清潔蝕刻是半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)既定實(shí)踐。采用稀過(guò)氧化氫水溶液作為過(guò)氧化氫水溶液。Miller用pH5的體積過(guò)氧化氫溶液測(cè)定了不同溫度下鍺在3.4%下的溶解速率。本研究是為了更好地了解溶解反應(yīng)的機(jī)理，并確定其對(duì)過(guò)氧化氫濃度、溫度和溶液pH的依賴(lài)性。研究了鍺的電阻率、電阻率類(lèi)型和晶體完美度對(duì)溶解速率的影響。 實(shí)驗(yàn) 所用樣品為1x1.5x0.010in。單晶n型和p型鍺的電阻率為2-6歐姆cm。1樣品與~111~平面的主要表面在1度內(nèi)，并用氧化鋁包面制備。切片上的隨機(jī)面積測(cè)量顯示，表觀表面積的變化小于2%。對(duì)單個(gè)樣品的電阻率測(cè)量顯示變化小于5%。蝕刻前，每個(gè)樣品用三氯乙烯、氯仿和甲醇脫脂，干燥，用氫氟酸清洗，并用電阻率高于1...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文研究了在不同條件下單晶鍺的蝕刻速率。為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，所使用的主要蝕刻劑只由h2O2、HF和水組成。給出了速率作為溫度和蝕刻劑成分的函數(shù)，以及作為晶體的取向和雜質(zhì)含量的函數(shù)的數(shù)據(jù)。一個(gè)假設(shè)在表面依次發(fā)生兩個(gè)反應(yīng)的方程擬合實(shí)驗(yàn)誤差范圍內(nèi)的速率與溫度數(shù)據(jù)。在所研究的范圍內(nèi)，速率控制過(guò)程對(duì)樣品取向很敏感。從蝕刻數(shù)據(jù)中，得到了由于研磨造成的擾動(dòng)表面層厚度的值。這在2-10u范圍內(nèi)，取決于樣品取向和磨料粒徑。給出了兩種比較復(fù)雜成分的常見(jiàn)蝕刻劑的比較數(shù)據(jù)。 介紹 為了進(jìn)一步了解這些過(guò)程，人們對(duì)鍺晶體在不同條件下的蝕刻速率進(jìn)行了研究。為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，大多數(shù)作品都局限于只含有HF、H202和水的蝕刻劑。為了確保樣品的均勻性，所有樣品都從一個(gè)摻雜n型鍺的大單晶中切下來(lái)。由于晶體的電阻率隨其長(zhǎng)度變化緩慢，通過(guò)從晶體的適當(dāng)區(qū)域選擇樣品，可以得到1~9歐姆厘米之間的電阻率。樣品較薄，通常厚度在30英里左右，因此面面積與邊緣面積之比較大。將邊緣區(qū)域納入與面相同的方向所引入的誤差小于2%。樣品用聚乙烯涂層的鑷子保存，接觸面積足夠小，可以忽略。蝕刻率是通過(guò)測(cè)量已知蝕刻時(shí)間后樣品的重量損失來(lái)獲得的。體重被測(cè)量到0.2毫克，體重差異通常為大約是20毫克。人們相當(dāng)注意蝕刻劑的新鮮度和組成以及樣...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本研究對(duì)不同硅氧化物(熱氧化物、TEOS沉積、TEOS退火和PSG退火)、辛尼必物(LPCVD和PECVD)和金屬層(Al-Cu、Ti和氮化鈦)在HF：h2o24.5：75.5、BHF：甘油2：1和蒸汽高頻中的蝕刻進(jìn)行了比較。蒸汽高頻蝕刻是在一個(gè)市上可用的晶圓清洗系統(tǒng)中完成的，該系統(tǒng)根據(jù)定制規(guī)范進(jìn)行調(diào)整，使無(wú)粘表面微加工。確定了蝕刻速率作為蝕刻方法、時(shí)間和溫度（對(duì)于高頻蒸汽）的函數(shù)。此外，在選擇用于比較不同薄膜蝕刻行為的標(biāo)準(zhǔn)高頻蒸汽蝕刻技術(shù)之前，還分析了內(nèi)部（溫度、氮?dú)饬鳌⒕叽?和外部(樣品預(yù)處理）參數(shù)對(duì)高頻蒸汽蝕刻工藝的影響。利用螺旋鉆深度剖面和紅外光譜法解釋了金屬膜的時(shí)變蝕刻速率和高頻蒸汽蝕刻后硅-氮化物膜的變化。介紹 表面微加工微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)通常采用聚硅或聚sige1、2作為結(jié)構(gòu)層，氧化物層作為犧牲層。然后，可以通過(guò)使用氟化氫(HF)對(duì)結(jié)構(gòu)層具有高選擇性地蝕刻犧牲層。最廣泛的高頻蝕刻方法是在心衰和水的混合物或緩沖液高頻與甘油3-10的混合物中進(jìn)行濕式化學(xué)蝕刻。后者首選鋁結(jié)構(gòu)在晶片上時(shí)，因?yàn)樵贐HF中添加甘油降低金屬的蝕刻率。然而，干燥釋放的濕式蝕刻結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致粘結(jié)的問(wèn)題。雖然存在解決方案來(lái)克服這些問(wèn)題，但也可以通過(guò)使用高壓蒸汽釋放蝕刻劑來(lái)規(guī)避附著...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 硅在氫氟酸溶液中的電化學(xué)蝕刻被用作微加工技術(shù)。已經(jīng)證明，對(duì)電化學(xué)蝕刻的硅結(jié)構(gòu)的形狀的普遍接受的幾何約束可以顯著放松。報(bào)道了在同一n摻雜硅片上刻蝕出的幾種新結(jié)構(gòu)。制造的結(jié)構(gòu)包括壁陣列、孔陣列、曲折形結(jié)構(gòu)、螺旋形壁、微管、微柱、微尖等。詳細(xì)描述了電化學(xué)蝕刻過(guò)程的簡(jiǎn)單模型，該模型描述了初始晶種的尺寸、電流密度以及初始圖案的氫氧化鉀蝕刻時(shí)間對(duì)最終幾何形狀的影響。 介紹 在氫氟酸(HF)電解液中電化學(xué)蝕刻硅是形成多孔硅的眾所周知的技術(shù)。根據(jù)陽(yáng)極氧化硅襯底的摻雜，可以獲得不同的孔形態(tài)，從由p型襯底制成的納米孔到由照射的n型襯底獲得的微米孔。在最后一種情況下，通過(guò)用足夠能量的光子照射晶片的后表面，可以在體中光生空穴。在陽(yáng)極偏壓下，這些空穴向前硅-電解質(zhì)界面移動(dòng)，硅發(fā)生溶解。最初，電場(chǎng)集中在平坦晶片表面上的尖銳缺陷處。因此，表面缺陷是大孔形成的種子點(diǎn)。通過(guò)用缺陷位置預(yù)構(gòu)圖晶片表面，可以確定大孔將在哪里形成。標(biāo)準(zhǔn)光刻步驟后的氫氧化鉀蝕刻可用于在所需位置產(chǎn)生金字塔形凹口，這些凹口可作為缺陷陣列。具有高縱橫比(高達(dá)250)的隨機(jī)和預(yù)圖案化大孔陣列都在整個(gè)晶片厚度和整個(gè)晶片上生長(zhǎng)。提出的應(yīng)用范圍從紅外濾波器到光子晶體和微機(jī)械系統(tǒng)。 制作工藝...
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