掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文報(bào)道了對(duì)SC1(nh4OH：H202：H20)溶液的研究，可用于抗顆粒去除和選擇性濕蝕刻某些薄膜。用于以下測(cè)試的SC1溶液的比例為1：2：10。研究了四氯硅氧化物、硼磷酸硅酸鹽玻璃、氮化物、摻雜多晶硅和熱氧化物等薄膜的刻蝕速率。薄膜成分、所使用化學(xué)品的年齡、溫度和化學(xué)成分是影響這些薄膜蝕刻率的因素。 介紹 抗蝕劑和顆粒去除的濕法工藝和化學(xué)方法在超大規(guī)模集成電路的制造中至關(guān)重要，依賴于克恩工作1、2的序列被廣泛使用。鹽酸：（H2O2 (SC2)±要用于去除金屬污染物，而食人魚(H2SO4:H2O2)和I NH4OH:H2O2:H2O (SCI)被認(rèn)為主要是有機(jī)污染物清洗液?？刮g劑涂層、離子注入或等離子體蝕刻和沖灰化步驟用于生成半導(dǎo)體處理過(guò)程中常見(jiàn)的粒子。使用SC1溶液以選擇性地蝕刻半導(dǎo)體行業(yè)常見(jiàn)的某些薄膜的可行性。加熱后的SC1已被發(fā)現(xiàn)在蝕刻膜中非常有效，如原位摻雜(ISD)多晶硅，而不破壞背面的硅表面。加熱后的SC1也能有效地蝕刻薄膜的細(xì)絲，由于各向異性，在干燥的蝕刻過(guò)程后可能保持不變。 實(shí)驗(yàn)步驟 SC1溶液所有測(cè)試中...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 對(duì)在SPEL中使用不同的浸沒(méi)方法清洗的硅晶片進(jìn)行了比較研究。所生產(chǎn)的盈余已經(jīng)通過(guò)各種方法進(jìn)行了評(píng)估。使用這些清洗后獲得的結(jié)果被報(bào)告，并顯示與文獻(xiàn)中描述的結(jié)果一致。最佳清潔是RCA描述的。 介紹 在集成電路制造之前和制造過(guò)程中清洗硅片對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。任何清潔過(guò)程的目的都是去除污染物并產(chǎn)生一個(gè)沒(méi)有微粒的表面。然而，裸露的硅具有很強(qiáng)的反應(yīng)性，因此在大多數(shù)情況下，清潔后的表面會(huì)迅速氧化，并被一層薄氧化膜覆蓋。在本文中，“干凈”的硅晶片將是已經(jīng)通過(guò)適當(dāng)?shù)那逑闯绦虿⒈辉撨^(guò)程最后階段形成的薄氧化物覆蓋的晶片。實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)使用的晶片主要為2“CZO.lohmcmn型磷摻雜，然而，其他晶圓在適當(dāng)?shù)那闆r下被用于比較目的。對(duì)收到的批次進(jìn)行清理。除氫氟酸外，所使用的化學(xué)品均為由BDH提供的阿里星級(jí)。為了模擬中間裝置處理步驟后的清洗，某些晶片被清洗，然后使用常規(guī)爐在1150C的干燥氧中氧化，產(chǎn)生氧化物1OOOA厚，然后進(jìn)行第二次清洗和表面分析。 結(jié)果 從制造商收到的晶片被薄氧化物覆蓋，拋光后生長(zhǎng)。如果不采用光譜橢圓測(cè)量法，該薄膜的厚度很難絕對(duì)測(cè)量。本研究中測(cè)量的厚度結(jié)果一致...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在這項(xiàng)工作中，臭氧溶解在去離子水中(DIO3)清洗被研究作為一種低成本的替代方法，目前濕化學(xué)清洗在高效太陽(yáng)能電池制造。與高壽命RCA的參考清洗工藝相比，通過(guò)簡(jiǎn)單地向DIO3溶液中加入少量HF和HCl，獲得了更高的有效壽命和更低的J0。清洗和鈍化的晶片的有效壽命隨著在DIO3/HF/HCl清洗溶液中處理時(shí)間的增加而增加。即使在清洗后長(zhǎng)達(dá)一小時(shí)的儲(chǔ)存時(shí)間后，晶片壽命的穩(wěn)定性使得DIO3/HF/HCl清洗適合工業(yè)應(yīng)用。DIO3/HF/HCl清洗顯示出在大規(guī)模生產(chǎn)中作為高壽命濕化學(xué)清洗工藝的巨大潛力。 介紹 對(duì)于高效太陽(yáng)能電池，如PERC、HIT和IBC電池，硅片表面的有效清潔對(duì)于獲得高壽命和良好的鈍化效果至關(guān)重要。太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線和光伏實(shí)驗(yàn)室使用的常規(guī)濕化學(xué)清洗程序通常會(huì)消耗大量的化學(xué)物質(zhì)，如H2SO4、硝酸、氟化氫、氯化氫、NH4OH和H2O2.這種化學(xué)溶液具有有限的槽壽命，這意味著即使不清洗晶片，在運(yùn)行通過(guò)一定量的晶片或一段時(shí)間后，必須混合新的槽以保持有效的清洗。對(duì)于對(duì)硅表面條件更敏感、鈍化要求更高的高效硅太陽(yáng)能電池，RCA清洗順序已成為參考。RCA清洗需要更頻繁地更換化學(xué)品，這大大增加了制造成本。 臭氧是一種強(qiáng)氧...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 光伏制造濕法工藝步驟的評(píng)估表明雜質(zhì)可能沉積在硅介質(zhì)上。在取出晶片時(shí)，液體層保留在硅表面上。當(dāng)液體蒸發(fā)時(shí)，液體中的任何污染物都會(huì)沉積在硅上。該數(shù)據(jù)表明，影響雜質(zhì)沉積的最大因素是熔池中雜質(zhì)的濃度。 濕法加工中的污染源 將硅片加工成光伏電池涉及多個(gè)步驟。該過(guò)程從生長(zhǎng)硅錠開(kāi)始，并通過(guò)各種包括晶片鋸切、清洗、蝕刻、擴(kuò)散、絲網(wǎng)印刷和最后測(cè)試的步驟。在整個(gè)過(guò)程中，保持硅晶片的純度是至關(guān)重要的， 因?yàn)橐呀?jīng)表明污染會(huì)對(duì)細(xì)胞的效率和有效壽命產(chǎn)生負(fù)而前濕法工藝是制造過(guò)程中的一個(gè)污染源。這些濕法工藝通常使用高純度化學(xué)物質(zhì)，如氫氟酸和鹽酸，以及18兆歐厘采的去離子水。當(dāng)化學(xué)物質(zhì)開(kāi)始時(shí)低雜質(zhì)，化學(xué)品暴露于化學(xué)品分配系統(tǒng)中使用的材料，如管道閥門和容器，會(huì)將液體污染到不可接受的程度?？商崛⌒詼y(cè)試表明，用于油濕部件的材料類型，如聚氯乙烯、聚丙烯或全氟烷氧基(PFA)對(duì)流體介質(zhì)中存在的污染水平有顯著影響。 圖1 晶片浸沒(méi)和從處理槽中取出 金屬污染物對(duì)載流子的壽命有顯著影響。金屬污染物可以作為硅的蝕刻紋理化的副產(chǎn)品被引入到浴缸中，也可以通過(guò)工藝被引入。許多研究已經(jīng)進(jìn)行來(lái)測(cè)量金屬污染物對(duì)細(xì)胞性能的影響。其...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文的方法通過(guò)使用動(dòng)態(tài)液滴對(duì)硅晶片進(jìn)行局部濕法處理來(lái)表示，該液滴在與晶片接觸時(shí)形成動(dòng)態(tài)液體彎月面。這項(xiàng)工作引入的主要科學(xué)創(chuàng)新和相關(guān)性已經(jīng)應(yīng)用于工業(yè)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)和集成電路互連的硅晶片金屬凸塊形成(即。銅柱)。這種新技術(shù)允許在特定的限定位置接觸硅晶片，以便執(zhí)行任何種類的濕法處理(例如。蝕刻、清潔和/或電鍍)而不需要任何保護(hù)性抗蝕劑。利用計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)技術(shù)(即。精確預(yù)測(cè)流體流動(dòng)的數(shù)值技術(shù))之后，并提出。建立了實(shí)驗(yàn)裝置來(lái)驗(yàn)證計(jì)算結(jié)果。數(shù)值結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。使用立體光刻系統(tǒng)的原型頭被開(kāi)發(fā)出來(lái)，并且在硅上進(jìn)行不需要光刻步驟的局部選擇性電鍍。 介紹 與半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)的任何其他部門一樣，主要驅(qū)動(dòng)力是通過(guò)降低成本來(lái)提高業(yè)績(jī)。在光伏領(lǐng)域，這意味著每美元更便宜的瓦特和更高效率的硅太陽(yáng)能電池(即。 19%). 在電子封裝行業(yè)，這意味著使用面積陣列封裝尋求更好的電氣性能和更高的輸入/輸出數(shù)量，目標(biāo)是“更小、更快、更便宜”。 實(shí)驗(yàn)測(cè)試和計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)驗(yàn)證 設(shè)計(jì)了兩種不同類型的原型來(lái)驗(yàn)證計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)模型:一種具有矩形噴嘴幾何形狀，另一種具有圓形對(duì)稱陣列。同時(shí)，本文寫道，用于制造銅柱電鍍的具有4x4陣列的圓形對(duì)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 為了評(píng)估在300 mm直徑硅片的濕法清洗槽中產(chǎn)生氣泡運(yùn)動(dòng)的主導(dǎo)力，使用攝像機(jī)和光學(xué)顯微鏡研究了由兆頻超聲波產(chǎn)生的小氣泡的典型運(yùn)動(dòng)。在MS波作用下，直徑為10–30和200–300米的氣泡的上升速度分別為0.002–0.003和0.02–0.08米/秒。直徑為200-300米的氣泡的速度取決于三個(gè)力，即浮力、毫秒波和水流。直徑為10-30米的氣泡的運(yùn)動(dòng)主要由橫波驅(qū)動(dòng)；浮力的影響很小。可以通過(guò)調(diào)節(jié)質(zhì)譜波功率來(lái)改變緊靠晶片支撐桿上方的氣泡路徑。介紹 在制造半導(dǎo)體硅微電子器件的整個(gè)過(guò)程中，非常干凈的硅表面是必要的。在各種器件制造過(guò)程中存在的各種污染物通過(guò)使用超純水和各種化學(xué)試劑的濕法清洗過(guò)程被去除，通常伴隨著被稱為兆頻超聲波的高頻聲波譜波產(chǎn)生微泡，這些微泡已經(jīng)被用于各種工業(yè)領(lǐng)域的許多清洗技術(shù).然而，質(zhì)譜波經(jīng)常導(dǎo)致圖案塌陷和對(duì)硅表面上形成的非常小的結(jié)構(gòu)的一些損壞。 在本文研究中，作為我們先前研究的延伸，使用了帶有質(zhì)譜波模塊的無(wú)載體濕式清洗槽來(lái)觀察排列的晶片之間和晶片支撐桿附近的氣泡運(yùn)動(dòng)。根據(jù)氣泡直徑和向上速度之間的關(guān)系，并考慮到斯托克斯定律理論上給出的速度，評(píng)估了浮力、質(zhì)譜波和水流的...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要本文討論了稀氫氟酸清洗過(guò)程中顆粒沉積在硅片表面的機(jī)理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測(cè)量表明，硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。表面活性劑的加入可以通過(guò)改變顆粒和晶片之間的表面相互作用力來(lái)影響稀氟化氫溶液的清潔效果。我們表明，顆粒沉積與晶片和顆粒的ζ電勢(shì)的乘積之間存在簡(jiǎn)單的相關(guān)性。這種相關(guān)性可以通過(guò)在雙電層相互作用的推導(dǎo)中引入線性疊加近似來(lái)解釋。表面活性劑的加入也將降低分散吸引力，引入空間排斥，并消除粘附力，如表面力測(cè)量結(jié)果所示。 介紹隨著半導(dǎo)體工業(yè)向越來(lái)越小的尺寸發(fā)展，去除顆粒污染物變得極其重要。因此，硅片超凈是半導(dǎo)體加工的一個(gè)重要領(lǐng)域。最廣泛使用的清洗方法是基于RCA的濕化學(xué)清洗，可去除晶片表面的有機(jī)殘留物、顆粒和金屬離子。經(jīng)RCA清洗的晶片表面有一層約1-2納米厚的化學(xué)氧化層。使用稀釋的HF清洗來(lái)去除該層，并獲得氫鈍化的裸露硅表面，該表面具有高的抗氧化穩(wěn)定性和低密度的表面狀態(tài)。然而，在HF清洗期間，浴中的顆粒傾向于再沉積到裸露的硅表面上。 實(shí)驗(yàn)所有的實(shí)驗(yàn)都在室溫下進(jìn)行。每個(gè)實(shí)驗(yàn)的0.5% HF溶液都是從電子級(jí)49% HF溶液新鮮制備的。在這些實(shí)驗(yàn)中，氮化硅顆粒被選為模型顆粒。顆粒沉積實(shí)驗(yàn)如下進(jìn)行;硅片在浸入含200 ppm氮化硅顆粒的0.5 wt % HF溶液前，先在SC-1溶液中清洗~Alf...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要研究了兆聲波對(duì)300 mm直徑硅片濕法清洗槽中水和氣泡運(yùn)動(dòng)的影響。使用水溶性藍(lán)色墨水的示蹤劑觀察整個(gè)浴中的水運(yùn)動(dòng)。兆聲波加速了整個(gè)浴槽中的水運(yùn)動(dòng)，盡管沒(méi)有兆聲波時(shí)的水運(yùn)動(dòng)趨向于局部化。兆聲波產(chǎn)生的小氣泡的運(yùn)動(dòng)也被追蹤到整個(gè)晶片表面。兆聲波和水流增加了氣泡的傳輸速率。介紹 使用超純水、各種化學(xué)試劑和非常常見(jiàn)的兆聲波在濕法工藝之后清洗硅晶片表面.此外，兆聲波產(chǎn)生的微泡已經(jīng)用于各種清洗技術(shù)。因此，許多研究人員)已經(jīng)基于清潔的硅晶片表面的粒子水平評(píng)估研究了其有效使用的方法和條件。為了進(jìn)一步改善濕式清洗槽中的濕式清洗條件，水和氣泡在兆聲波作用下的運(yùn)動(dòng)應(yīng)該得到充分的澄清。盡管在著名的先前論文中已經(jīng)通過(guò)數(shù)值計(jì)算研究了兆聲波下的水流，但是使用可視化技術(shù)的實(shí)驗(yàn)研究應(yīng)該進(jìn)一步進(jìn)行。 本文研究了在不同功率的超聲波作用下，水和氣泡在整個(gè)無(wú)載體濕法清洗槽中的運(yùn)動(dòng)。根據(jù)所得結(jié)果，討論了兆聲波的作用和影響。 實(shí)驗(yàn)的 圖1顯示了本文中使用的無(wú)載體濕式清洗槽的示意圖。該系統(tǒng)由一個(gè)槽、25個(gè)晶片(直徑300毫米)、三個(gè)晶片支撐桿和兩個(gè)水噴嘴組成。浴缸和水噴嘴由石英玻璃制成。晶片支撐桿由碳氟樹(shù)脂制成。在這項(xiàng)研究中，為了使水的運(yùn)動(dòng)可視化，將水溶性藍(lán)色墨水加入水中。藍(lán)色墨水的運(yùn)動(dòng)是用錄像機(jī)每...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在總化學(xué)物質(zhì)供給量不變的情況下，具有間歇化學(xué)物質(zhì)供給和頻繁流量變化的濕式清潔浴對(duì)于改善清潔性能是相當(dāng)有效的。使用間歇化學(xué)品供應(yīng)表明節(jié)省了化學(xué)品消耗，這是環(huán)境友好的，并且具有高通量過(guò)程。當(dāng)晶片以寬間距和窄間距同時(shí)放置在相同的濕清潔浴中時(shí)，與具有相等間距的晶片排列相比，在窄間距處顆粒去除效率顯著降低。為了防止?jié)穹ㄇ逑催^(guò)程降低清洗性能，必須仔細(xì)考慮晶片在濕法清洗槽中的放置。有趣的是，濕清潔浴中供給流速的模擬與不同晶片間距的實(shí)際顆粒去除率的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相關(guān)。我們認(rèn)識(shí)到晶片間距和化學(xué)品供應(yīng)方式是控制濕浴清潔效率的重要因素。 介紹 自濕式清潔工具首次用于基于熱堿性和酸性過(guò)氧化氫溶液的RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔工藝以來(lái)，多年來(lái)已報(bào)告了許多挑戰(zhàn)，以改善硅晶片表面金屬雜質(zhì)、1–14顆粒、13–21和有機(jī)污染物去除23–26的濕式清潔工藝性能.26已報(bào)告使用表面活性劑的單步清潔可降低化學(xué)成本。報(bào)道稱，通過(guò)稀釋的HF-H2O2可以有效地去除銅.2–6稀釋的化學(xué)清洗被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)低成本和高性能清洗的最合適的候選方法之一.2–6、13、14、19、22–25在這些清洗過(guò)程中，使用了兩種類型的濕工具。盡管工業(yè)上越來(lái)越多地采用能夠以高性能重復(fù)清洗每個(gè)晶片的單晶片旋轉(zhuǎn)型工具，但是...
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