掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料摘要 高效指間背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，需要提供足夠數(shù)量的能源供家庭消費。我們認為適當?shù)牟捎霉廒寮夹g的IBC電池即使在厚度不足的情況下也能保持20%的效率。本工作采用光刻和刻蝕技術對晶圓進行深度刻蝕，使晶圓厚度小于20 μm。關鍵詞:IBC太陽能電池，掩模蝕刻，光刻，反應離子蝕刻，TMAH蝕刻介紹 太陽能顯示出供應潛力，這個因素取決于對高效率光伏器件和降低制造成本的需求。IA是光伏產(chǎn)業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)以與化石燃料競爭的成本生產(chǎn)足夠數(shù)量的能源。這個因素取決于對高效率光伏器件和降低制造成本的需求。據(jù)報道，太陽能電池的效率在規(guī)模上高于20%。商用太陽能電池使用晶體硅材料。這種類型的PV電池是指間背接觸太陽能電池。實驗 圖1所示 (a) SPR正型和(b) SU-8負型光刻膠對紫外線照射的響應 圖2 SPR光刻和TMAH工藝流程 結果與討論 圖4 SPR 7.0沉積表面輪廓SU-8光刻膠與反應性離子蝕刻 圖10 (a) 40μm和(b) 120μm沉積的表面輪廓文章全部詳情，請加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料介紹 自晶體管效應的發(fā)現(xiàn)(1948年)，這些研究主要集中在鍺和硅晶體上，特別是因為各種表面現(xiàn)象被發(fā)現(xiàn)有不利的影響，用這些材料制成的pn結器件的性能和穩(wěn)定性。 二氧化硅薄膜對薄膜的表面性質具有穩(wěn)定作用硅。雖然不只是因為表面原因穩(wěn)定。 該膜還可用于對雜質的選擇性掩蔽擴散，用于在硅中制造pn結。 它們還可以分離金屬Electrades來自半導體。 這種金屬電極可用于例如連接晶體管、二極管和電阻硅集成電路。 硅體性能 在室溫下，純(本征)硅不含許多流動性載流子:約1·6.1010電子，正電荷數(shù)相同。雜質可以摻入，以獲得增加電子或洞的數(shù)量?？烧业胶线m的供體元素例如P, As, Sb這些元素被替換地建立在硅晶格中，它們的組織能源相對較低。 圖1.2能級中有若干供體和受體雜質îndicated的能量硅的間隙(在300°K下為1.1 eV)一種氧化物涂層半導體表面的物理模型 圖2.2 氧化物涂層半導體表面的模型 圖2.3 一種場效應實驗，其中半導體材料薄片的電導 &...
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料摘要 在未來幾代器件中，去除光刻膠和殘留物變得非常關鍵。在前端線（ FEOL）后離子注入（源極/漏極、擴展），使用PR來阻斷部分 電路導致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線（BEOL）蝕刻中，除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性非常具有挑戰(zhàn)性。介紹 光致抗蝕劑用于保護晶片的某些區(qū)域免受干蝕刻化學物質、離子注入等影響。工藝完成后，需要選擇性去除光刻膠并清潔表面，確保表面無殘留物和顆粒。使用濕化學物質，如熱 SPM、有機溶劑或使用干等離子體“ 灰化”，原則上可以去除抗蝕劑。然而，抗蝕劑在干法蝕刻或注入處理期間被化學改性，并且適種改性可以顯著降低剝離速率。 圖1所示 當pet被光刻阻保護時(不按比例)，選擇性結植入到fet的示意圖 圖2 x.裸硅襯底上KrF抗蝕線的掃描電鏡顯微圖(左)和(右)As植入前(40kev, 3 × 1015 cm.2):抗蝕變薄，模糊，結痂。 當前的方法 為了達到足夠，從而達到可接受的低周期時間，以及良好的殘留去除，腐蝕等離子體str...
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料導言:薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。其中包括用于射頻識別系統(tǒng)的功率器件、分立半導體、光電元件和集成電路。除了向堆疊管芯組件的轉移之外，垂直系統(tǒng)集成和微機電系統(tǒng)器件中的新概念要求晶片厚度減薄到小于150米。機械研磨是最常見的晶圓減薄技術，因為其減薄速率高。商業(yè)上可獲得的研磨系統(tǒng)通常使用兩步工藝，首先以非常高的速率(5 m/sec)進行粗研磨，然后以降低的速率進行后續(xù)的細研磨工藝。實驗性:實驗是在SSEC 3300系統(tǒng)上進行的。在蝕刻過程中，有許多工藝參數(shù)可以改變。為了這個研究的目的，使用了單一的蝕刻化學物質。溫度、流速、分配曲線、旋轉速度和室排氣是可以通過工藝步驟編程的參數(shù)。我們希望關注對工藝影響最大的工具參數(shù)，因此選擇了溫度、旋轉速度和流速。所使用的化學物質是氫氟酸、硝酸、硫酸和磷酸的混合物，并且作為旋蝕刻劑在市場上可以買到?；瘜W物質的再循環(huán)使用SSEC的開放式或封閉式收集環(huán)技術進行。圖1:蝕刻過程中的SSEC收集環(huán)和液流分配采用JMP軟件進行三因素三水平的Box-Behnken響應面試驗設計。測量的響應是蝕刻速率、TTV和表面粗糙度 略結果 略文章全部詳情，請加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料摘要 研究了在半導體制造過程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機理已被證實如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實驗結果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。介紹 由于半導體器件正在追求更高水平的 集成度和更高分辨率的模式，ET清潔技術對于重新 移動硅片表面的污染物仍然至關重要。 在1970年提出的RCA清洗工藝作為一種濕式清洗技術在世界各地仍在使用，以去除晶圓表面的污染物。 雖然RCA凈化 過程中，NH4OH-H2O2-H2O溶液對 顆粒的去除效果非常好，但其顆粒去除機理尚不完全清楚。實驗 采用五英寸CZ(1,0,0)晶片進行粒子吸附實驗。 天然氧化物首先在0.5%的HF溶液中從晶圓表面去除。 然后將晶片浸泡在含有顆粒的各種溶液中10分鐘，然后沖洗和干燥。 天然氧化物在晶圓表面形成后，再在0.5%的HF溶液中移動，然后清洗和干燥。結果與討論 圖2所示 pH對Fe2O3離子氧化粒的...
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一、 前言電路板使用銅作為導電材料，制作過程中大多采用先進電鍍再蝕刻的方式使電路成型。一般而言，可概分為減成法(subtractive process)及加成法（additive process），前者是以銅箔基板為基材經(jīng)印刷或壓模、曝光、顯影等程序在基板上形成一線路圖案再將板面上線路部分以外的銅箔蝕刻掉，最終剝除覆蓋在線路上的感光性干膜阻劑或油墨，以形成電子線路的方法；而后者則采未壓銅膜的基板，以化學沉銅沉積的反反復，在基板上欲形成線路的部分進行銅沉積，以形成導電線路。減成法又可細分為全板鍍銅法（pannel plating）及線路鍍銅法（pattern plating），另外還有上述兩種制造方法折衷改良的局部加成發(fā)法（partial additive）。目前電路板制造上還是多以減成法為主。無論哪種制造方式，蝕刻皆是其制造流程中不可或缺的一部分，尤其是減成法最為重要。二、 蝕刻液之分類與說明蝕刻液一般可分為酸性蝕刻液與堿性蝕刻液兩類，酸性蝕刻液會攻擊以錫或錫鉛為主的阻抗液金屬阻劑層，對干膜攻擊力較低；反之，堿性蝕刻液則會攻擊干膜，對金屬阻劑的攻擊力較低，所以目前酸性及堿性蝕刻液在電路板制程上的選用大致上十分清楚；有干膜的流程，如內(nèi)層蝕刻走酸性蝕刻，有金屬阻劑的制程，如外層蝕刻則走堿性蝕刻。2.1 酸性蝕刻液酸性蝕刻液主要用在內(nèi)層蝕刻以氯酸鈉、氯化銅以及氯化鐵為...
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MEMS（Micro Electro mechanical System）即微機電系統(tǒng)，是指采用微機電加工技術按照功能要求在微米量級的芯片上集成機械零件、電子組件和傳感器執(zhí)行組件等而形成的一個獨立智能系統(tǒng)。由于單晶石英材料具有壓電效應，且具有優(yōu)良的溫度、機械性能、高品質因素等特性，采用單晶石英制作的石英 MEMS 加速度傳感器、壓力傳感器和石英 MEMS 陀螺儀等，具有高精度、高穩(wěn)定性、高分辨率等特點，在微型慣性導航系統(tǒng)、姿態(tài)測量與控制、航空航天、汽車電子、儀器儀表等領域具有廣泛應用，其加工工藝和設備制造技術研究對促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術支持具有十分重要的意義。 1 石英 MEMS 傳感器敏感芯片結構石英 MEMS 傳感器主要應用于振動慣性器件，是通過振動原理測量運動物體的各種運動參數(shù)（包括角速度、角度、線加速度等）的慣性器件。石英 MEMS 振動慣性器件主要包括石英微機械振動陀螺、石英振梁加速度計等，其敏感結構采用石英晶體，基于石英晶體壓電效應原理、采用微電子加工工藝，是振動慣性技術與微機械加工技術的有機結合。石英微機械振動陀螺是一種音叉結構的哥氏振動陀螺，是一種 MEMS 角速度傳感器。其敏感芯片結構為雙端音叉結構，包括驅動音叉、讀出音叉及支撐結構。石英微機械振動陀螺工作原理及敏感芯片結構如圖 1 所示。驅動音叉被激勵以其自然頻率左右振動，當石英 MEMS 陀螺繞其垂直軸...
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一、引言化合物半導體材料砷化鎵 （GaAs）和磷化銦（InP）是微電子和光電子的基礎材料，而砷化鎵則是化合物半導體中最重要、用途最廣泛的半導體材料，也是目前研究得最成熟、生產(chǎn)量最大的化合物半導體材料。由于砷化鎵具有電子遷移率高（是硅的5~6倍）、禁帶寬度大（它為1.43eV，Si為1.1eV）且為直接帶隙，容易制成半絕緣材料（電阻率~?cm）、本征載流子濃度低、光電特性好。用砷化鎵材料制作的器件頻率響應好、速度快、工作溫度高，能滿足集成光電子的需要。它是目前最重要的光電子材料，也是繼硅材料之后最重要的微電子材料，它適合于制造高頻、高速的器件和電路。此外, GaAs材料還具有耐熱、耐輻射及對磁場敏感等特性。所以,用該材料制造的器件也具有特殊用途和多樣性,其應用已延伸到硅、鍺器件所不能達到的領域。即使在1998年世界半導體產(chǎn)業(yè)不景氣的狀況下, GaAs材料器件的銷售市場仍然看好[1]。當然, GaAs材料也存在一些不利因素,如:材料熔點蒸氣壓高、組分難控制、單晶生長速度慢、材料機械強度弱、完整性差及價格昂貴等,這都大大影響了其應用程度。然而, GaAs材料所具有的獨特性能及其在軍事、民用和產(chǎn)業(yè)等領域的廣泛用途,都極大地引起各國的高度重視,并投入大量資金進行開發(fā)和研究。一． 材料的結構2.1砷化鎵的晶體結構砷化鎵晶格是由兩個面心立方(fcc)的子晶格(格點上分別是砷和鎵的兩個子...
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1.國內(nèi)砷化鎵材料發(fā)展現(xiàn)狀目前中國的砷化鎵材料生產(chǎn)企業(yè)主要以LED用低阻砷化鎵晶片為代表的低端市場為主，利潤率較高的微電子用4-6英寸半絕緣晶片還沒有形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模。中國大陸從事砷化鎵材料研發(fā)與生產(chǎn)的公司主要有：北京通美晶體技術有限公司（AXT）、中科晶電信息材料（北京）有限公司、天津晶明電子材料有限責任公司（中電46所）、北京中科鎵英半導體有限公司、北京國瑞電子材料有限責任公司、揚州中顯機械有限公司、山東遠東高科技材料有限公司、大慶佳昌科技有限公司、新鄉(xiāng)神舟晶體科技發(fā)展有限公司（原國營542廠）等九家。北京通美是美國AXT獨資子公司，其資金、管理和技術實力在國內(nèi)砷化鎵材料行業(yè)首屈一指，產(chǎn)品主要以VGF法4、6英寸半絕緣砷化鎵材料為主。其在高純鎵、高純砷、高純鍺以及氮化硼坩堝等方面均有投資，有效地控制了公司成本，2009年銷售收入8 000萬美元，短期內(nèi)國內(nèi)其它各公司還難以和北京通美形成真正的競爭。中科晶電成立于2006年，主要從事VGF砷化鎵單晶生長和拋光片生產(chǎn)，該公司為民營企業(yè)，總投資為2 500萬美元，在高純砷和高純鎵方面也已投資建廠。2009年月產(chǎn)2英寸砷化鎵晶片10萬片，2010年月產(chǎn)達到15萬片。該公司是目前國內(nèi)發(fā)展速度最快的砷化鎵企業(yè)。 天津晶明公司成立于2007年，由中國電子科技集團公司第四十六研究所投資，注冊資本1400萬元，總投入約5 000...
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論是醫(yī)學，還是航空航天，抑或是信息科技，在我們能夠想到的科技領域中，材料都扮演著極其重要的角色。材料的強度、柔韌度、耐腐蝕性、電子遷移率、比表面積等等各種物理、化學、電學性質，默默影響著最終產(chǎn)品性能的實現(xiàn)或發(fā)揮，甚至起著決定勝負的作用。這也是為什么很多科學家在孜孜不倦地尋找更多新型材料，因為新的材料性能，意味著全新的可能，為新技術的實現(xiàn)提供了嶄新舞臺。德國科學家正在研制一種由鎂制成的小型植入物和螺釘，具有足夠的機械穩(wěn)定性，并在人體內(nèi)的降解程度可控，不會導致人體組織損傷。在骨頭破裂的地方，醫(yī)生通常會用植入物來固定骨頭碎片，而選擇哪種植入物需要慎重考慮。鈦或鋼制螺釘和固定板在機械、化學性能上非常穩(wěn)定，但如果要拆卸就必須再次手術；有機材料植入物，則可能會慢慢溶解，還存在強度不足、溶解物對人體有害等缺點。針對這一難題，德國聯(lián)邦材料測試研究所利用鎂開發(fā)出功能表面最佳的合金板和矯形螺釘。這種鎂植入物尤其適用于骨骼迅速增長的兒童，生物降解的螺釘不會影響孩子的骨骼生長，可以免去二次手術，降低感染風險并節(jié)省成本。 研究人員艾利·布魯尼克說：“鎂合金植入物不僅具有生物相容性，而且在最初的脆弱愈合階段具有與骨骼相似的機械性能，因此比鈦更合適?！毕胗面V合金...
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