單晶制絨操作工藝 單晶硅片制絨工藝流程，主要包括以下幾個(gè)方面。 1.裝片 ①戴好防護(hù)口罩和干凈的橡膠手套。 ②將倉(cāng)庫(kù)領(lǐng)來(lái)的硅片從箱子中取出，以2o0片為一個(gè)生產(chǎn)批次，把硅片插入清洗小花籃，在裝片過(guò)程中，由于硅片易碎，插片員需輕拿輕放；來(lái)料中如有缺角、崩邊、隱裂等缺陷的硅片，不能流人生產(chǎn)線，及時(shí)報(bào)告品管員，將這些硅片分類放置、集中處理；有缺片現(xiàn)象時(shí)，要在缺片記錄上記錄缺片的批號(hào)、廠商、箱號(hào)和缺片數(shù)。 ③在“工藝流程卡”上準(zhǔn)確記錄硅片批號(hào)、生產(chǎn)廠家、電阻率、投入數(shù)、投入時(shí)間和主要操作員。 ④裝完一個(gè)生產(chǎn)批次后，把“工藝流程卡”隨同硅片一起放在盒架上，等待制絨。 2.開(kāi)機(jī) ①操作員打開(kāi)工藝排風(fēng)，打開(kāi)壓縮空氣閥門，打開(kāi)設(shè)備進(jìn)水總閥。 ②操作員打開(kāi)機(jī)器電源，待設(shè)備...
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鍺單晶拋光片主要用于航天領(lǐng)域中的太陽(yáng)電池系統(tǒng)中，在鍺單晶襯底上外延GaAs等材料制成的單結(jié)以及多結(jié)化合物太陽(yáng)能電池具有轉(zhuǎn)換效率高、耐高溫、抗輻射、可靠性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)?；衔锾?yáng)電池在MOCVD工藝中需要生長(zhǎng)多層晶體材料，并且是異質(zhì)結(jié)生長(zhǎng)，容易產(chǎn)生晶格畸變。因此，化合物太陽(yáng)電池對(duì)鍺單晶拋光片的表面質(zhì)量提出了較為苛刻的要求。 1．鍺單晶片的化學(xué)腐蝕工藝技術(shù) 通過(guò)采用不同的化學(xué)腐蝕液對(duì)鍺單晶片進(jìn)行化學(xué)腐蝕，從腐蝕速率和表面光潔度及粗糙度等方面進(jìn)行比較，最終選擇了一種比較適用于超薄鍺片拋光的化學(xué)腐蝕工藝，并通過(guò)不同腐蝕液對(duì)鍺腐蝕速率影響的研究，為鍺的清洗工藝、拋光工藝提供了較為詳細(xì)的參考。 2．鍺單晶片的拋光工藝技術(shù) 主要討論了拋光工藝參數(shù)對(duì)拋光片幾何參數(shù)和表面質(zhì)量的影響，并通過(guò)工藝實(shí)驗(yàn)，得到了最佳的超薄鍺單晶拋光片的拋光工藝。 3．鍺單晶拋光片的清洗工藝技術(shù)闡述了鍺單晶拋光片的清洗機(jī)理，通過(guò)對(duì)鍺拋光片表面有機(jī)物和顆粒的去除技術(shù)研究，建立了超薄鍺單晶拋光片的清洗技術(shù)。利用該技術(shù)清洗的超薄鍺單晶拋光片完全滿足了空間高效太陽(yáng)電池的使用要求。
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介： 主要用于單晶太陽(yáng)能電池片制造工藝中的制絨工藝，能夠有效去除硅片表面的機(jī)械損傷層和氧化層，并在硅片表面制備一個(gè)反射率在10%～20%的織構(gòu)表面，形成類似“金字塔”狀的絨面,有效增強(qiáng)硅片對(duì)入射太陽(yáng)光的吸收,從而提高光生電流密度。 產(chǎn)品特點(diǎn): 預(yù)清潔工序使制絨更均勻 低化學(xué)劑消耗，可靈活調(diào)整配方 強(qiáng)大的數(shù)據(jù)庫(kù)支持異常追蹤 先進(jìn)的雙槽制絨工藝槽結(jié)構(gòu),具有更好的溫度及溶液均勻性 性價(jià)比高，售后服務(wù)快捷 蘇州華林科納的太陽(yáng)能制絨酸洗機(jī)主要特點(diǎn)如下： 1.適用于8英寸以下的單晶硅及多晶硅太陽(yáng)能硅片的制絨酸洗 2.設(shè)備骨架用厚壁方鋼制做，外包德國(guó)進(jìn)口磁白聚丙稀pp板，美觀抗腐蝕性能優(yōu)越。 3.隔板：在1#、2#槽和3#、4#槽之間有隔板，1#槽單獨(dú)排風(fēng)，防止1#槽中揮發(fā)的有機(jī)氣體與其他氣體混合發(fā)生反應(yīng)。 &#...
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![太陽(yáng)能光伏技術(shù)]( "太陽(yáng)能光伏技術(shù)")
1.太陽(yáng)能概況 太陽(yáng)能是各種可再生能源中最重要的基本能源，生物質(zhì)能、風(fēng)能、海洋能、水能等都來(lái)自太陽(yáng)能，廣義地說(shuō)，太陽(yáng)能包含以上各種可再生能源。太陽(yáng)能作為可再生能源的一種，則是指太陽(yáng)能的直接轉(zhuǎn)化和利用。通過(guò)轉(zhuǎn)換裝置把太陽(yáng)輻射能轉(zhuǎn)換成熱能利用的屬于太陽(yáng)能熱利用技術(shù)，再利用熱能進(jìn)行發(fā)電的稱為太陽(yáng)能熱發(fā)電，也屬于這一技術(shù)領(lǐng)域；通過(guò)轉(zhuǎn)換裝置把太陽(yáng)輻射能轉(zhuǎn)換成電能利用的屬于太陽(yáng)能光發(fā)電技術(shù)，光電轉(zhuǎn)換裝置通常是利用半導(dǎo)體器件的光伏效應(yīng)原理進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的，因此又稱太陽(yáng)能光伏技術(shù)。 二十世紀(jì)50年代，太陽(yáng)能利用領(lǐng)域出現(xiàn)了兩項(xiàng)重大技術(shù)突破：一是1954年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室研制出6％的實(shí)用型單晶硅電池，二是1955年以色列Tabor提出選擇性吸收表面概念和理論并研制成功選擇性太陽(yáng)吸收涂層。這兩項(xiàng)技術(shù)突破為太陽(yáng)能利用進(jìn)入現(xiàn)代發(fā)展時(shí)期奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。 70年代以來(lái)，鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，世界上許多國(guó)家掀起了開(kāi)發(fā)利用太陽(yáng)能和可再生能源的熱潮。1973年，美國(guó)制定了政府級(jí)的陽(yáng)光發(fā)電計(jì)劃，1980年又正式將光伏發(fā)電列入公共電力規(guī)劃，累計(jì)投入達(dá)8億多美元。1992年，美國(guó)政府頒布了新的光伏發(fā)電計(jì)劃，制定了宏偉的發(fā)展目標(biāo)。日本在70年代制定了“陽(yáng)光計(jì)劃”，1993年將“月光計(jì)劃”（節(jié)能計(jì)劃）、“環(huán)境計(jì)劃”、“陽(yáng)光計(jì)劃”合并成“新陽(yáng)光計(jì)劃”。德國(guó)等歐共體國(guó)家及一些發(fā)展中國(guó)...
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一、硅片檢測(cè) 硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。該工序主要用來(lái)對(duì)硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測(cè)量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測(cè)模塊。其中，光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片表面不平整度進(jìn)行檢測(cè),同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測(cè)模塊用來(lái)檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個(gè)檢測(cè)模組，其中一個(gè)在線測(cè)試模組主要測(cè)試硅片體電阻率和硅片類型，另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微裂紋進(jìn)行檢測(cè)，并自動(dòng)剔除破損硅片。硅片檢測(cè)設(shè)備能夠自動(dòng)裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢茫瑥亩岣邫z測(cè)精度和效率。 二、表面制絨 單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用...
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一、電池片工藝流程 制絨(INTEX)---擴(kuò)散（DIFF）---后清洗（刻邊/去PSG）---鍍減反射膜（PECVD）---絲網(wǎng)、燒結(jié)（PRINTER）---測(cè)試、分選（TESTER+SORTER）---包裝（PACKING）。二、前清洗（制絨）知識(shí)簡(jiǎn)介 1、RENA前清洗工序的目的： （1）去除硅片表面的機(jī)械損傷層（來(lái)自硅棒切割的物理?yè)p傷）； （2）清除表面油污（利用HF）和金屬雜質(zhì)（利用HCl）； ?。?）形成起伏不平的絨面，利用陷光原理，增加對(duì)太陽(yáng)光的吸收，在某種程度上增加了PN結(jié)面積，提高短路電流（Isc），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。 2、前清洗工藝步驟：制絨→堿洗 →酸洗→吹干 Etch bath：刻蝕槽，用于制絨。所用溶液為HF+HNO3 ，作用： （1）去除硅片表面的機(jī)械損傷層； &...
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1、導(dǎo)電類型conductivity type 2、n-型半導(dǎo)體 n-type semiconductor 多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體。 3、p-型半導(dǎo)體 p-type semiconductor 多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體。 4、載流子 carrier 固體中一種能夠傳輸電荷的載體，又稱荷電載流子。例如，半導(dǎo)體中導(dǎo)電空穴和導(dǎo)電電子。 5、少數(shù)載流子minority carrier 小于載流子總濃度一半的那類載流子。例如：p型半導(dǎo)體中的電子。 6、雜質(zhì)濃度impurity concentration 單位體積內(nèi)雜質(zhì)原子的數(shù)...
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晶片表面清洗 潔凈的晶片是芯片生產(chǎn)全過(guò)程中的基本要求，但并不是在每個(gè)高溫下的操作前都必須進(jìn)行。一般說(shuō)來(lái)，全部工藝過(guò)程中的高達(dá)20%的步驟為晶片清洗。而我在這里將要描述的清洗工藝，將貫穿芯片生產(chǎn)的全過(guò)程。 半導(dǎo)體工藝的發(fā)展過(guò)程在很多方面可以說(shuō)是清洗工藝隨著對(duì)無(wú)污染晶片需求不斷增長(zhǎng)而發(fā)展的過(guò)程。晶片表面有四大常見(jiàn)類型的污染，每一種在晶片上體現(xiàn)為不同的問(wèn)題，并可用不同的工藝去除。這四種類型是： 1．顆粒 2．有機(jī)殘余物 3．無(wú)機(jī)殘余物 4．需要去除的氧化層 通常來(lái)說(shuō)，一個(gè)晶片清洗的工藝或一系列的工藝，必須在去除晶片表面全部污染物（上述類型）的同時(shí)，不會(huì)刻蝕或損害晶片表面。它在生產(chǎn)配制上是安全的、經(jīng)濟(jì)的，是為業(yè)內(nèi)可接受的。通常對(duì)清洗工藝的設(shè)計(jì)適用于兩種基本的晶片狀況。一種叫作前線（FEOL），特指那些形成活性電性部件之前的生產(chǎn)步驟。在這些步驟中，晶片表面尤其是MOS器件的柵區(qū)...
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砷化鎵是一種感光性能比當(dāng)前廣泛使用的硅更優(yōu)良的材料。理論上他將接收到的陽(yáng)光40%的轉(zhuǎn)化為電能，轉(zhuǎn)化率約是硅的2倍，因此衛(wèi)星和太空飛船等多采用砷化鎵作為太陽(yáng)能電磁板的材料。然而，超聲波清洗器傳統(tǒng)的砷化鎵晶片制造技術(shù)每次只能生成一層晶片，成本居高不下，限制了砷化鎵的廣泛應(yīng)用。砷化鎵晶片在清洗工藝上的要求，是希望能夠達(dá)到對(duì)晶片表面上殘留的鎵氧化物、砷氧化物和一些對(duì)后續(xù)工藝有害的金屬、污垢、油污、雜質(zhì)、蠟點(diǎn)、塵埃、臟點(diǎn)等。在清洗上存在的難題，可以采用超聲波清洗機(jī)能夠達(dá)到理想的清洗效果。 超聲波清洗機(jī)的原理分解，可以達(dá)到物件全面潔凈的清洗效果，特別對(duì)盲孔、深孔、凹凸槽清洗是最理想的清洗設(shè)備，不影響任何物件的材質(zhì)與精度。超聲波還具有的強(qiáng)力空腔化作用，可以在短時(shí)間內(nèi)清洗掉砷化鎵晶片上的污垢、油污，完全可保證產(chǎn)品的質(zhì)量。 超聲波清洗機(jī)清洗效果好，清潔度高且全部工件清潔度一致。清洗速度快，提高生產(chǎn)效率，不須人手接觸清洗液，安全可靠。清洗砷化鎵晶片的高清洗工藝要求，選用超聲波清洗機(jī)清洗。言之，超聲波清洗機(jī)的基本原理是以每秒幾萬(wàn)次的振動(dòng)，在液體中產(chǎn)生超聲波空化作用形成空化泡。在空化泡消失時(shí)產(chǎn)生很大的沖擊力，當(dāng)被洗工件受到這個(gè)外力沖擊時(shí)，工件表面的沾污就被剝離，達(dá)...
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太陽(yáng)能電池片的淺結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)高效太陽(yáng)能電池的有效途徑之一，通常所說(shuō)的淺結(jié)是指太陽(yáng)能電池PN結(jié)結(jié)深小于0.3um，利用淺結(jié)可以顯著的降低太陽(yáng)能電池片表面的少數(shù)載流子復(fù)合速度，提高短波段的光譜響應(yīng)。一、調(diào)整方向 1、提高少子壽命 2、提高短波吸收 3、減少死層 4、提高開(kāi)路電壓二、高方阻的缺點(diǎn) 串聯(lián)電阻Rs=電極電阻+體電阻+薄層電阻+接觸電阻。高方阻使得表面薄層電阻明顯增加，增大了Rs，降低了FF。 方阻越高，需要越密的柵線與之配合，才能發(fā)揮出高方阻低表面濃度的優(yōu)勢(shì)，這其中有兩個(gè)難點(diǎn)，其一是高方阻均勻性的控制，其二是銀漿的選擇，需要綜合考慮銀漿的導(dǎo)電特性、粘度等，使之適合密柵高方阻的印刷燒結(jié)。三、高方阻實(shí)現(xiàn)方法 1、低溫淀積+高濃度淀積 ...
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