這主要從兩個方面來考慮：一個是材料和工藝問題；另一個是電氣性能問題。 P型半導體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的三價元素，如：硼、銦、鎵或鋁等；N型半導體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的五價元素，如：磷、銻、砷等。P型半導體與N型半導體，在材料成本方面應該差別不是很大，但要把它做成一個電子產(chǎn)品，在生產(chǎn)工藝方面會存在很大的差異。 例如，用本征鍺材料制作PNP晶體管相對于用本征鍺材料制作NPN晶體管容易很多，因為銦與鍺比較容易結(jié)合（擴散）；同樣，用本征硅材料制作NPN晶體管，相對于用本征硅材料制作PNP管要容易很多。 某種半導體生產(chǎn)工藝的誕生并不是一天就可以達到盡善盡美的，需要通過大量試驗和經(jīng)驗積累。早期生產(chǎn)的場效應管大部分是結(jié)型場效應管，這種結(jié)型場效應管在結(jié)構(gòu)方面與PNP晶體管很相似，兩者的區(qū)別主要是基區(qū)引出電極的區(qū)別（基極與源極和漏極）。晶體管把中間的一層（N區(qū)）當成一個電極引出稱為基極，其余上下兩層（P-P區(qū)）分別當發(fā)射極和集電極引出；而場效應管則是把基區(qū)當成一個導電溝道（N溝道），并在其兩端分別引出一個電極，稱為源極和漏極，其余上下兩層（P-P區(qū)）分別當源極和柵極引出。...
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RCA標準清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實驗室首創(chuàng)的，并由此而得名。RCA是一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液。 （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬，但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時，在自然氧化膜被腐蝕掉時，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O ...
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簡介半導體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代電子工業(yè)的核心，而半導體產(chǎn)業(yè)的基礎是硅材料工業(yè)。雖然有各種各樣新型的半導體材料不斷出現(xiàn)，但 90%以上的半導體器件和電路，尤其是超大規(guī)模集成電路（ULSI）都是制作在高純優(yōu)質(zhì)的硅單晶拋光片和外延片上的。硅片清洗對半導體工業(yè)的重要性早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因為硅片表面的污染物會嚴重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展以及人們對原料要求的提高，污染物對器件的影響也愈加突出。20世紀70年代在單通道電子倍增器基礎上發(fā)展起來一種多通道電子倍增器。微通道板具有結(jié)構(gòu)簡單、增益高、時間響應快和空間成像等特點，因而得到廣泛應。它主要應用于各種類型的像增強器、夜視儀、量子位置探測器、射線放大器、場離子顯微鏡、超快速寬頻帶示波器、光電倍增器等。微通道板是一種多陣列的電子倍增器,是微光像增強器的核心部件。MCP的制作工藝周期長且復雜,表觀疵病是制約MCP成品率的關(guān)鍵因素之一。在MCP的工藝制造過程中,不可避免遭到塵埃、金屬、有機物和無機物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內(nèi)污垢,產(chǎn)生發(fā)射點、黑點、暗斑等,導致MCP的良品率下降,使得管子質(zhì)量不穩(wěn)定以至失效,因此在MCP的制造過程中利用超聲波清洗技術(shù)去除污染物十分重要。 清洗方式普通的清洗方法一般不能達到孔內(nèi),而孔內(nèi)芯料的反應生成物及其他污染物會在后序工藝中會產(chǎn)生重復污染...
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所謂的半導體，是指在某些情況下，能夠?qū)娏鳎谀承l件下，又具有絕緣體效用的物質(zhì)；而至于所謂的IC，則是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，作在一微小面積上，以完成某一特定邏輯功能（例如：AND、OR、NAND等），進而達成預先設定好的電路功能。自1947年12月23日第一個晶體管在美國的貝爾實驗室(Bell Lab)被發(fā)明出來，結(jié)束了真空管的時代，到1958年TI開發(fā)出全球第一顆IC成功，又意謂宣告晶體管的時代結(jié)束，IC的時代正式開始。從此開始各式IC不斷被開發(fā)出來，集積度也不斷提升。從小型集成電路（SSI），每顆IC包含10顆晶體管的時代；一路發(fā)展MSI、LSI、VLSI、ULSI；再到今天，短短50年時間，包含千萬個以上晶體管的集成電路已經(jīng)被大量生產(chǎn)，并應用到我們的生活的各領域中來，為我們的生活帶來飛速的發(fā)展。不能想象離開半導體產(chǎn)業(yè)我們的生活將會怎樣，半導體技術(shù)的發(fā)展狀況已成為一個國家的技術(shù)狀況的重要指針，電子技術(shù)也成為一個國家提高國防能力的重要途徑。 半導產(chǎn)品類別 目前的半導體產(chǎn)品可分為集成電路、分離式組件、光電半導體等三種。 集成電路(IC)，是將一電路設計，包括線路及電子組件，做在一片硅芯片上，使其具有處理信息的功能...
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一、雙極型IC的基本制造工藝： A、在元器件間要做電隔離區(qū)（PN結(jié)隔離、全介質(zhì)隔離及PN結(jié)介質(zhì)混合隔離） ECL（不摻金） （非飽和型） 、TTL/DTL （飽和型） 、STTL （飽和型） B、在元器件間自然隔離 I2L（飽和型）二、MOSIC的基本制造工藝： 根據(jù)柵工藝分類： A 鋁柵工藝 B 硅柵工藝 ...
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外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機金屬化學氣相沉積方法。 MOCVD介紹： 金屬有機物化學氣相淀積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱 MOCVD）， 1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導體單品薄膜的新技術(shù)。該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設備之一。 LED芯片的制造工藝流程： 外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 &#...
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腐蝕液被腐蝕物H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O:NH4F(40%）=76：3：15：5：0.01AlNH4(40%):HF(40%)=7:1SiO2,PSGH3PO4(85%)Si3N4HF(49%):HNO3(65%):CH3COOH(100%)=2:15:5SiKOH(3%~50%)各向異向SiNH4OH:H2O2(30%):H2O=1:1:5HF(49%):H2O=1:100Ti ,CoHF(49%):NH4F(40%)=1:10TiSi2
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在半導體封裝技術(shù)國際學會“2015 Electronic Components and Technology Conference（ECTC）”上，IBM蘇黎世研究所發(fā)表了用銅納米粒子使銅柱的倒裝芯片接合實現(xiàn)了低溫化目標的成果。 雖尚在初步評測階段，但擁有可在150℃的低溫下接合的潛在可能，有能緩和組裝時芯片與封裝間應力的優(yōu)點。并且，由于使用銅納米粒子來接合銅柱，因此接合部最終會僅由銅構(gòu)成的塊。另外，對電流導致金屬離子移動的電遷移還有良好耐受力，稱能夠?qū)崿F(xiàn)可通過大電流的接合。 在實際評測的鍵合條件下，向接合部供給銅納米粒子后，以250℃烘烤，將銅納米粒子燒結(jié)成體塊。此前人們知道的接合銅表面的方法是熱壓鍵合，但其量產(chǎn)的門檻較高。存在如對接合部的平坦性的要求精度較高、要求接合面清潔以及要在400℃高溫下高壓接合等課題。此次的技術(shù)若能實用化，便可輕松實現(xiàn)僅由銅構(gòu)成的體塊接合，具有很大的優(yōu)點。公開接合方法和接合后的強度評測結(jié)果 此次發(fā)布的成果，尚未進入電遷移評測階段，只報告了接合方法和接合后的強度評測結(jié)果。該研究所表示，嘗試了兩種向銅柱與焊盤間供給銅納米粒子的方法。 ...
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（1）外延工藝技術(shù) 外延工藝是根據(jù)不同硅源（SIH2CL2、SIHCL3、SICL4），在1100-1180℃溫度下在硅片表面再長一層/多層本征（不摻雜）、N型（摻PH3）或P型（摻B2H6）的單晶硅，并把硅層的厚度和電阻率，厚度和電阻率的均勻性、表面的缺陷控制在允許范圍內(nèi)。功率半導體器件的外延生產(chǎn)工藝技術(shù)標準一般要求達到厚度40-80±5um, 厚度和電阻率均勻性控制在5%以內(nèi)。（2）光刻工藝技術(shù) 光刻工藝是半導體工藝技術(shù)中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，也是反映半導體工藝技術(shù)水平的重要指標。光刻工藝是將掩膜（光刻板）圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面的光刻膠上形成產(chǎn)品所需要圖形的工藝技術(shù)，光刻機的精度一般是指光刻時所得到的光刻圖形的最小尺寸。分辨率越高,就能得到越細的線條，集成度也越高。對于高端Trench工藝技術(shù)的功率半導體器件，光刻生產(chǎn)工藝采用8英寸硅片，0.5um技術(shù)。 （3）刻蝕工藝技術(shù) 刻蝕是用物理或化學的方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，刻蝕的基本作用是準確地復制掩膜圖形，以保證生產(chǎn)線中各種工藝正常進行。濕法刻蝕是通過合適...
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Acceptor - An element,such as boron,indium,and gallium used to create a free hole in a semiconductor.The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主——一種用來在半導體中形成空穴的元素，比如硼、銦和鎵。受主原子必須比半導體元素少一價電子。 Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套準精度——在光刻工藝中轉(zhuǎn)移圖形的精度。 Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting 各向異性——在蝕刻過程中，只做少量或不做側(cè)向凹刻。 Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as d...
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