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外延片清洗機(jī)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 m.hbweixin.com 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（m.hbweixin.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最...

雙腔甩干機(jī)

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái)，可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對(duì)應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個(gè)客戶可以定制）液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在...

單片清洗機(jī)CSE

發(fā)布時(shí)間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進(jìn)封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機(jī)類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://m.hbweixin.com ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化...

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光刻版清洗工藝及設(shè)備研究

光刻技術(shù)是大規(guī)模集成電路制造技術(shù)和微光學(xué)、微機(jī)械技術(shù)的先導(dǎo)和基礎(chǔ)，他決定了集成電路（ＩＣ）的集成度…。光刻版在使用過程中不可避免地會(huì)粘上灰塵、光刻膠等污染物，這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。近些年，國家將ＬＥＤ照明列入為重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)，ＬＥＤ行業(yè)迅猛發(fā)展。ＬＥＤ制造過程中，具有光刻版的使用量多，使用頻繁的特點(diǎn)。大多生產(chǎn)廠家為了節(jié)省成本，主要采用接觸式曝光。接觸式曝光雖然可以利用成本低廉的設(shè)備達(dá)到較高的曝光精度，但是由于甩膠式涂膠方法會(huì)造成晶圓邊緣膠層過厚，在接觸式曝光過程中光刻版極易接觸到晶圓邊緣的光刻膠，導(dǎo)致光刻膠粘附到光刻版表面（圖１）。對(duì)于ＩＣ行業(yè)，因?yàn)榫€條更細(xì)，精度要求更高，所以光刻版的潔凈程度更加重要。對(duì)于硅片清洗而言，其顆粒移除率（PRE）不需要達(dá)到１００％，但對(duì)于光刻版而言卻并非如此，其原因是對(duì)于產(chǎn)品良率而言，光刻版表面顆粒的影響更大，單晶圓缺陷只影響一個(gè)缺陷，而一個(gè)光刻版卻影響到每一個(gè)芯片［２一］。由于零成像缺陷是可以實(shí)現(xiàn)的，工廠內(nèi)生產(chǎn)的光刻版需要經(jīng)常清洗。為了保證光刻版潔凈，必須定期對(duì)光刻版進(jìn)行清洗，而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設(shè)備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。１光刻版清洗工藝１．１光刻膠及其他有機(jī)污染物的去除對(duì)于光刻膠及其他有機(jī)污染物，比較常見的方法是通過有機(jī)溶劑將其溶解的方法將其去除，例如利用丙酮浸泡光刻版，在浸泡的同時(shí)可以超聲提高浸泡...

發(fā)布時(shí)間: 2021 - 02 - 26

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光伏太陽能硅片清洗工藝資料

表面清洗硅片清洗是指在氧化、光刻、外延、擴(kuò)散和引線蒸發(fā)等工序前,采用物理或化學(xué)的方法去除硅片表面的污染物和自身氧化物,以得到符合清潔度要求的硅片表面的過程。在硅片加工工藝中，有多達(dá)20%的步驟為清洗。制造一種設(shè)備將硅片表面的沾污全部除去是不可能的。在硅片清洗過程中，將每片上的沾污從百萬級(jí)降低到十萬級(jí)相對(duì)容易，但要把沾污全部去除或在全部工藝中保證沾污不再增加卻是非常困難的。所以，不同的工藝技術(shù)所要求的硅片最終表面態(tài)不同，其所需要的清洗方法也不相同，不可把各種清洗方法同等對(duì)待。1硅片清洗設(shè)備的清洗工藝清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有機(jī)沾污，因?yàn)橛袡C(jī)物會(huì)遮蓋部分硅片表面，從而使氧化膜和與之相關(guān)的沾污難以去除；然后溶解氧化膜，因?yàn)檠趸瘜邮恰罢次巯葳濉?，也?huì)引入外延缺陷；最后再去除顆粒、金屬等沾污。1.1清除有機(jī)表面膜、粒子和金屬沾污A類硅片清洗設(shè)備的工藝流程見表1。 1.2清洗工藝步驟第1步：NH4OH+H2O2+H2O比例為1∶1∶5第2步：HCl+H2O2+H2O比例為1∶1∶5此工藝分為氧化、絡(luò)合處理兩個(gè)過程。使用NH4OH+H2O2+H2O，溫度控制在75～80℃。H2O2在高pH值時(shí)為強(qiáng)氧化劑，破壞有機(jī)沾污，其分解為H2O和O2。NH4OH對(duì)許多金屬有強(qiáng)的絡(luò)合作用。HCl+H2O2+H2O中的HCl靠溶解和絡(luò)合作用形成可溶的堿或金屬鹽。分別在第1步和第2步的前、中加...

發(fā)布時(shí)間: 2021 - 02 - 26

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異質(zhì)結(jié)高效電池（HJT、HIT）產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀

根據(jù)研究數(shù)據(jù)顯示，在大規(guī)模量產(chǎn)方面，首屈一指的當(dāng)然是日本三洋，現(xiàn)有產(chǎn)能1GW，量產(chǎn)效率達(dá)23%。除此之外，具有較成熟HIT技術(shù)的還有Keneka、Sunpreme、Solarcity、福建均石、晉能、新奧、漢能等企業(yè)。圖表：國內(nèi)外HIT太陽能電池產(chǎn)業(yè)化情況（單位：%，MW）目前HIT產(chǎn)品的量產(chǎn)難點(diǎn)主要包括以下幾方面：（1）高質(zhì)量硅片：相較常規(guī)N型產(chǎn)品，HIT電池對(duì)硅片質(zhì)量有更高的要求，需要謹(jǐn)慎選擇硅片供應(yīng)商。（2）制絨后硅片表面潔凈度的控制：HIT電池對(duì)硅片表面潔凈度要求非常高，需要平衡硅片清洗潔凈程度和相關(guān)化學(xué)品以及水的消耗。（3）各工序Q-time控制：HIT電池在完成非晶硅鍍膜之前，對(duì)硅片暴露在空氣中的時(shí)間以及環(huán)境要求比較嚴(yán)苛，需要注意各工序Q-time的控制。（4）生產(chǎn)連續(xù)性對(duì)于TCO鍍膜設(shè)備的影響：TCO鍍膜必須保證連續(xù)投料，否則良率和設(shè)備狀況都會(huì)受到影響，尤其在產(chǎn)線剛投產(chǎn)時(shí)，保持生產(chǎn)連續(xù)性是一大挑戰(zhàn)。（5）高粘度漿料的連續(xù)印刷穩(wěn)定性：在HIT電池制備過程中，漿料粘度大導(dǎo)致的虛印斷柵現(xiàn)象較多，需要數(shù)倍于常規(guī)產(chǎn)線的關(guān)注。（6）焊帶拉力的穩(wěn)定性：拉力穩(wěn)定的窗口窄，雙玻雙面發(fā)電的組件結(jié)構(gòu)進(jìn)...

發(fā)布時(shí)間: 2019 - 05 - 05

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異質(zhì)結(jié)高效電池（HJT、HIT）優(yōu)勢和特點(diǎn)

HIT電池具有發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢，具體特點(diǎn)如下：（1）低溫工藝HIT電池結(jié)合了薄膜太陽能電池低溫（900℃）擴(kuò)散工藝來獲得p-n結(jié)。這種技術(shù)不僅節(jié)約了能源，而且低溫環(huán)境使得a_Si：H基薄膜摻雜、禁帶寬度和厚度等可以較精確控制，工藝上也易于優(yōu)化器件特性；低溫沉積過程中，單品硅片彎曲變形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（約80μm）；同時(shí)低溫過程消除了硅襯底在高溫處理中的性能退化，從而允許采用“低品質(zhì)”的晶體硅甚至多晶硅來作襯底。高溫環(huán)境下發(fā)電量高，在一天的中午時(shí)分，HIT電池的發(fā)電量比一般晶體硅太陽電池高出8-10%，雙玻HIT組件的發(fā)電量高出20%以上，具有更高的用戶附加值。（2）雙面電池HIT是非常好的雙面電池，正面和背面基本無顏色差異，且雙面率（指電池背面效率與正面效率之比）可達(dá)到90%以上，最高可達(dá)96%，背面發(fā)電的優(yōu)勢明顯。（3）高效率HIT電池獨(dú)有的帶本征薄層的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，在p-n結(jié)成結(jié)的同時(shí)完成了單晶硅的表面鈍化，大大降低了表面、界面漏電流，提高了電池效率。目前HIT電池的實(shí)驗(yàn)室效率已達(dá)到23%，市售200W組件的電池效率達(dá)到19.5%。（4）高穩(wěn)定性HIT電池的光照穩(wěn)定性好，理論研究表明非品硅薄膜/晶態(tài)硅異質(zhì)結(jié)中的非晶硅薄膜沒有發(fā)現(xiàn)Staebler-Wronski效應(yīng)，從而不會(huì)出現(xiàn)類似非晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率因光照而衰退的現(xiàn)象；H...

發(fā)布時(shí)間: 2019 - 05 - 05

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異質(zhì)結(jié)高效電池（HJT、HIT）工藝流程

2、HIT電池工藝流程HIT電池的一大優(yōu)勢在于工藝步驟相對(duì)簡單，總共分為四個(gè)步驟：制絨清洗、非晶硅薄膜沉積、TCO制備、電極制備。圖表2：HIT太陽能電池工藝流程制備的核心工藝是非晶硅薄膜的沉積，其對(duì)工藝清潔度要求極高，量產(chǎn)過程中可靠性和可重復(fù)性是一大挑戰(zhàn)，目前通常用PECVD法制備。 HIT電池的制備工藝步驟簡單，且工藝溫度低，可避免高溫工藝對(duì)硅片的損傷，并有效降低排放，但是工藝難度大，且產(chǎn)線與傳統(tǒng)電池不兼容，設(shè)備資產(chǎn)投資較大。

發(fā)布時(shí)間: 2019 - 05 - 05

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異質(zhì)結(jié)高效電池結(jié)構(gòu)和原理

1、HIT電池結(jié)構(gòu)和原理HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的縮寫，意為本征薄膜異質(zhì)結(jié)，因HIT已被日本三洋公司申請(qǐng)為注冊(cè)商標(biāo)，所以又被稱為HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。該類型太陽能電池最早由日本三洋公司于1990年成功開發(fā)，當(dāng)時(shí)轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到14.5%（4mm2的電池），后來在三洋公司的不斷改進(jìn)下，三洋HIT電池的轉(zhuǎn)換效率于2015年已達(dá)到25.6%。2015年三洋的HIT專利保護(hù)結(jié)束，技術(shù)壁壘消除，是我國大力發(fā)展和推廣HIT技術(shù)的大好時(shí)機(jī)。下圖是HIT太陽能電池的基本構(gòu)造，其特征是以光照射側(cè)的p-i型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）和背面?zhèn)鹊膇-n型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）夾住晶體硅片，在兩側(cè)的頂層形成透明的電極和集電極，構(gòu)成具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的HIT太陽能電池。圖表：HIT太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖在電池正表面，由于能帶彎曲，阻擋了電子向正面的移動(dòng)，空穴則由于本征層很薄而可以隧穿后通過高摻雜的p+型非晶硅，構(gòu)成空穴傳輸層。同樣，在背表面，由于能帶彎曲阻擋了空穴向背面的移動(dòng)，而電子可以隧穿后通過高摻雜的n+型非晶硅，構(gòu)成電子傳輸層。通過在電池正反兩面沉積選擇性傳輸層，使得光生載流子只能在吸收材料中產(chǎn)生富集然后從電池的一個(gè)表面流出，從而實(shí)現(xiàn)兩者的分離...

發(fā)布時(shí)間: 2019 - 05 - 05

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組件生產(chǎn)工藝簡介

組件線又叫封裝線，封裝是太陽能電池生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟，沒有良好的封裝工藝，多好的電池也生產(chǎn)不出好的組件板。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證，而且還增強(qiáng)了電池的抗擊強(qiáng)度。產(chǎn)品的高質(zhì)量和高壽命是贏得可客戶滿意的關(guān)鍵，所以組件板的封裝質(zhì)量非常重要。 4.1流程圖： 1、電池檢測——2、正面焊接—檢驗(yàn)—3、背面串接—檢驗(yàn)—4、敷設(shè)（玻璃清洗、材料切割、玻璃預(yù)處理、敷設(shè)）——5、層壓——6、去毛邊（去邊、清洗）——7、裝邊框（涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠）——8、焊接接線盒——9、高壓測試——10、組件測試—外觀檢驗(yàn)—11、包裝入庫； 4.2組件高效和高壽命如何保證： 1、高轉(zhuǎn)換效率、高質(zhì)量的電池片；下面是電池的結(jié)構(gòu)示意圖：（1）金屬電極主柵線；（2）金屬上電極細(xì)柵線；（3）金屬底電極；（4）減反射膜；（5）頂區(qū)層（擴(kuò)散層）；（6）體區(qū)層（基區(qū)層）； 2、高質(zhì)量的原材料，例如...

發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23

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制絨設(shè)備工序流程

單晶制絨操作工藝單晶硅片制絨工藝流程，主要包括以下幾個(gè)方面。 1.裝片 ①戴好防護(hù)口罩和干凈的橡膠手套。 ②將倉庫領(lǐng)來的硅片從箱子中取出，以2o0片為一個(gè)生產(chǎn)批次，把硅片插入清洗小花籃，在裝片過程中，由于硅片易碎，插片員需輕拿輕放；來料中如有缺角、崩邊、隱裂等缺陷的硅片，不能流人生產(chǎn)線，及時(shí)報(bào)告品管員，將這些硅片分類放置、集中處理；有缺片現(xiàn)象時(shí)，要在缺片記錄上記錄缺片的批號(hào)、廠商、箱號(hào)和缺片數(shù)。 ③在“工藝流程卡”上準(zhǔn)確記錄硅片批號(hào)、生產(chǎn)廠家、電阻率、投入數(shù)、投入時(shí)間和主要操作員。 ④裝完一個(gè)生產(chǎn)批次后，把“工藝流程卡”隨同硅片一起放在盒架上，等待制絨。 2.開機(jī) ①操作員打開工藝排風(fēng)，打開壓縮空氣閥門，打開設(shè)備進(jìn)水總閥。 ②操作員打開機(jī)器電源，待設(shè)備...

發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23

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鍺拋光片拋光清洗技術(shù)的要點(diǎn)

鍺單晶拋光片主要用于航天領(lǐng)域中的太陽電池系統(tǒng)中，在鍺單晶襯底上外延GaAs等材料制成的單結(jié)以及多結(jié)化合物太陽能電池具有轉(zhuǎn)換效率高、耐高溫、抗輻射、可靠性強(qiáng)等優(yōu)勢。化合物太陽電池在MOCVD工藝中需要生長多層晶體材料，并且是異質(zhì)結(jié)生長，容易產(chǎn)生晶格畸變。因此，化合物太陽電池對(duì)鍺單晶拋光片的表面質(zhì)量提出了較為苛刻的要求。 1．鍺單晶片的化學(xué)腐蝕工藝技術(shù) 通過采用不同的化學(xué)腐蝕液對(duì)鍺單晶片進(jìn)行化學(xué)腐蝕，從腐蝕速率和表面光潔度及粗糙度等方面進(jìn)行比較，最終選擇了一種比較適用于超薄鍺片拋光的化學(xué)腐蝕工藝，并通過不同腐蝕液對(duì)鍺腐蝕速率影響的研究，為鍺的清洗工藝、拋光工藝提供了較為詳細(xì)的參考。 2．鍺單晶片的拋光工藝技術(shù) 主要討論了拋光工藝參數(shù)對(duì)拋光片幾何參數(shù)和表面質(zhì)量的影響，并通過工藝實(shí)驗(yàn)，得到了最佳的超薄鍺單晶拋光片的拋光工藝。 3．鍺單晶拋光片的清洗工藝技術(shù)闡述了鍺單晶拋光片的清洗機(jī)理，通過對(duì)鍺拋光片表面有機(jī)物和顆粒的去除技術(shù)研究，建立了超薄鍺單晶拋光片的清洗技術(shù)。利用該技術(shù)清洗的超薄鍺單晶拋光片完全滿足了空間高效太陽電池的使用要求。

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太陽能硅片制絨酸洗機(jī)

產(chǎn)品簡介：主要用于單晶太陽能電池片制造工藝中的制絨工藝，能夠有效去除硅片表面的機(jī)械損傷層和氧化層，并在硅片表面制備一個(gè)反射率在10%～20%的織構(gòu)表面，形成類似“金字塔”狀的絨面,有效增強(qiáng)硅片對(duì)入射太陽光的吸收,從而提高光生電流密度。產(chǎn)品特點(diǎn): 預(yù)清潔工序使制絨更均勻低化學(xué)劑消耗，可靈活調(diào)整配方　強(qiáng)大的數(shù)據(jù)庫支持異常追蹤　　先進(jìn)的雙槽制絨工藝槽結(jié)構(gòu),具有更好的溫度及溶液均勻性　　性價(jià)比高，售后服務(wù)快捷蘇州華林科納的太陽能制絨酸洗機(jī)主要特點(diǎn)如下： 1.適用于8英寸以下的單晶硅及多晶硅太陽能硅片的制絨酸洗 2.設(shè)備骨架用厚壁方鋼制做，外包德國進(jìn)口磁白聚丙稀pp板，美觀抗腐蝕性能優(yōu)越。 3.隔板：在1#、2#槽和3#、4#槽之間有隔板，1#槽單獨(dú)排風(fēng)，防止1#槽中揮發(fā)的有機(jī)氣體與其他氣體混合發(fā)生反應(yīng)。 &#...

發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23

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