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外延片清洗機(jī)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 m.hbweixin.com 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（m.hbweixin.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點，該方法經(jīng)實驗驗證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最...

雙腔甩干機(jī)

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制）液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...

單片清洗機(jī)CSE

發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進(jìn)封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機(jī)類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://m.hbweixin.com ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ健⒆詣涌刂颇Ｊ?#160;設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化...

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華林科納半導(dǎo)體--單片清洗機(jī)

單片清洗機(jī)在安裝調(diào)試的過程中，會遇到一些常見問題，華林科納CSE的安裝技術(shù)工程師也整理了如下注意事項，可供大家參考:機(jī)械部分1.設(shè)備結(jié)構(gòu)主要分為：設(shè)備殼體，中間選轉(zhuǎn)部分，四周擺臂部分，后部滾刷部分，設(shè)備管路系統(tǒng)，供酸系統(tǒng)；2.中間選轉(zhuǎn)部分在安裝時，要保證安裝完成后，中間旋轉(zhuǎn)部分的高度可以調(diào)節(jié)，真空壓力要保證好，防止旋轉(zhuǎn)時及進(jìn)行滾刷時把片子轉(zhuǎn)飛掉，在腐蝕清洗時，要保證有一定的轉(zhuǎn)速，藥液從片著四周出去，防止污染片子背面；3.四周擺臂機(jī)構(gòu)，根據(jù)工藝要求每個擺臂上面的藥液和噴頭也不一樣，工藝制作時，根據(jù)藥液來選擇擺臂，擺臂設(shè)計時，因為有些藥液有溫度要求，擺臂應(yīng)該藥液預(yù)熱或者預(yù)冷位置，讓藥液進(jìn)行預(yù)熱或者預(yù)冷，同時不會噴到片子上面，擺臂還有擺動噴灑藥液的供液，擺動的幅度和擺動的范圍都是要可以調(diào)整的；4.后部滾刷部分，在整個機(jī)構(gòu)組裝安裝完成之后，擺動的高度也是可以進(jìn)行上下調(diào)整的，滾刷伸出和縮回的距離也應(yīng)該可以進(jìn)行設(shè)定，因為滾刷的材料是PVA的，用之前是進(jìn)行真空包裝，安裝之后，要每隔10秒滾刷進(jìn)行滾動，滾動同時上面要進(jìn)行噴水，不然滾刷就會變硬；5.旋轉(zhuǎn)，擺動，滾刷，根據(jù)工藝的不同，可以進(jìn)行選擇，然后進(jìn)行不同的組合。電器部分1.在制作程序時，有要求設(shè)定參數(shù)時，都應(yīng)該設(shè)有該參數(shù)的最大值和最小值，讓用戶在范圍內(nèi)進(jìn)行設(shè)定，防止發(fā)生錯誤；2.因為單片機(jī)的藥液溫度要求較高，所以制作程序時要考慮藥液預(yù)熱和預(yù)冷的...

發(fā)布時間: 2018 - 01 - 02

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華林科納---刻蝕設(shè)備---開槽機(jī)

華林科納主要通過偏心旋轉(zhuǎn)改善蝕刻均勻度以及斜度，通過精準(zhǔn)的溫度控制及時間調(diào)節(jié)定位蝕刻深度更多的相關(guān)設(shè)備調(diào)試視頻可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（http://m.hbweixin.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

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SS150AAA 太陽能模擬器

SOLAR SIMULATOR SIMULATORMODEL # SS150AAA太陽能模擬器型號 SS150AAAFEATURES 性能 TECHNICAL SPECIFICATIONS 技術(shù)參數(shù)

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 24

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413光學(xué)反射探針硅片薄膜厚度翹曲度檢測Optical EchoProbe part6

EchoProbe SOFTWARE反射探針軟件setup of Recipes,Data logging,Real time Display 設(shè)置菜單，數(shù)據(jù)記錄，實時顯示 EchoProbe SOFTWARE反射探針軟件Programable Data Points and Patterns, Variety of Displays可控數(shù)據(jù)點，模式，顯示種類 Presentation of Results結(jié)果陳列 Advantages of Optical EchoProbe光學(xué)反射探針優(yōu)勢? Can measure Si or III/V wafers with or without tape, with Film frame, bumped wafers, bonded wafer - with Si or Glass or Sapphire carriers.可測量膠帶及Si或者III/V裸硅片，帶薄膜框架，凸起硅片，Si或者玻璃粘合硅片? Not affected by tape thickness, adhesives, pattern structures or non conducting materials不受膠帶厚度，粘合劑，圖案結(jié)構(gòu)或者不導(dǎo)電材料影響? Non contact tec...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 24

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413光學(xué)反射探針硅片薄膜厚度翹曲度檢測Optical EchoProbe part1

Wafer and Membrane Thickness, Warp, TTV硅片和薄膜厚度，彎曲，TTVOptical EchoProbe光學(xué)反射探針 Outline概要? Introduction簡述? Measurement Requirements for Wafer Thinning硅片減薄測量要求? Discussion of different approaches for Wafer Thickness Measurement硅片厚度檢測不同方法的討論? Optical EchoProbe for Wafer Thickness Measurement光學(xué)反射探針的硅片厚度檢測? Applications應(yīng)用 – Thickness and Warp after Grinding, Etching研磨，蝕刻后的厚度和翹曲 – Measurement of stacks of non- and semiconducting materials (MEMS) –半導(dǎo)體材料（MEMS)的堆疊檢測? Configur...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 24

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413光學(xué)反射探針硅片薄膜厚度翹曲度檢測Optical EchoProbe part5

Bump Height Measurement凸起高度測量 Ultra Fast Measurements (UF 800)超快速測量? Acquisition time of 125 μs accomplished with High Speed reference mirror and optical encoder? 高速參考反射鏡和光編碼器使設(shè)備僅需125 μs采集時間? Ideal solution for measurement on spinning wafers旋轉(zhuǎn)硅片測量的理想方法? Pressurized enclosure for measurement in challenging environments高壓密閉檢測 ? Software and hardware interface for customizitation/OEM按客戶需求訂制軟件和硬件界面 413 Optical EchoProbe光學(xué)反射探針Overview about Configurations結(jié)構(gòu)綜述413EC (Manual System手動系統(tǒng))413-200 (Semiautomated system –m...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 24

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413光學(xué)反射探針硅片薄膜厚度翹曲度檢測Optical EchoProbe part4

Long Distance Measurement長距離測量 Topography of a strained Wafer w/ Film on Topw已變形硅片構(gòu)形/頂部有薄膜 Real World Samples實際樣例Mounted Wafers on Elastic Tapes硅片置于橡皮圈膠帶上 Inhomogeneous tapes heavilyscatter light, and complicate measurements不均勻的膠帶使燈光散開，使測量復(fù)雜化(distance between text and tape is Warp Measurement翹曲檢測? Warp翹曲: 101.86? Bow弓起 44.68

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 24

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413光學(xué)反射探針硅片薄膜厚度翹曲度檢測Optical EchoProbe part3

Applications應(yīng)用? Wafer Thickness and TTV硅片厚度和TTV? Topography構(gòu)狀? Strained wafers已變形的硅片? Profile depth輪廓深度? Measurement of Tape膠帶測量? Warp翹曲? Bump Height凸起高度? Ultra Fast Measurements超快速測量 Warp and Dam Thickness?翹曲和壩厚度 Dam Thickness壩厚度 Warp翹曲 Measurement of Wafer Topography硅片圖形測量? wafer topography and thickness using EchoprobeTechnology.硅片圖形和厚度用回射探針技術(shù)? Values on iso-lines are expressed inμm Wafer is concave in the middle.iso線的測量值是以um表示的，硅片中間是凹的 Measurement of Profile Depth輪廓厚度測量High Aspect Rat...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 24

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128薄膜應(yīng)力硅片翹曲度檢測part1

Introduction to 128, 128L, 128LC2C Product Line for Film Stress Measurement128 128L 128LC2C薄膜應(yīng)力測試產(chǎn)品簡介128, 128L, 128C2C Product Line Introductions介紹? Product Pictures產(chǎn)品圖片? Basic principles of 128 Line 128產(chǎn)品系列基本原理? Film Stress薄膜應(yīng)力? Dual laser scanner雙激光掃描? Stoney equation for film stress薄膜應(yīng)力Stoney方程式? Who needs the products?誰需要這種產(chǎn)品？? Film property monitor and/or R&D薄膜性能監(jiān)測及研發(fā)? What are the simple specifications?什么是基本參數(shù)？? Film stress range / reproducibility薄膜應(yīng)力范圍/可再生性 128 Film Stress and Flatness Measurement Models ( Room Temperature )薄膜應(yīng)力和平整度測試設(shè)備（室溫） Film Stress & Wafer Yi...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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413光學(xué)反射探針硅片薄膜厚度翹曲度檢測Optical EchoProbe part2

Optical EchoProbe 413光學(xué)反射探針Latest Optical Technique最新的光學(xué)技術(shù)Ideal solution for Wafer Backgrind and Etch Thickness Gauging on Si, GaAs or III-Vs, non-conducting materials like Glass, Tape硅片背面研磨蝕刻厚度測量最理想方案用于Si, GaAs或者III-Vs,非導(dǎo)電材料比如玻璃，膠帶 Optical EchoProbe Technology光學(xué)反射探針技術(shù)Low Coherence Interferometry (other than classical interferometry) is suitable for rough surfaces even in the case of speckle imaging. This makes it interesting for industrial use.低相干干擾量度法（不同于傳統(tǒng)的干擾量度法）適用于粗糙表面，甚至是斑點圖象。這另它適用于工業(yè)使用。Fiber-optic implementation of Michelson interferometer LS with low coherence light source 低凝聚光源的邁克...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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