在太陽能電池生產(chǎn)中，制絨是晶硅電池的第 一道工藝。華林科納CSE的工程師提到對于單晶硅來說，制絨的目的就是延長 光在電池表面的傳播路徑，從而提高太陽能電池對光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿 （NaOH、KOH）對硅片表面進(jìn)行腐蝕。由于硅片的 內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，各向異性的堿液制絨主要是使晶 向分布均勻的單晶硅表面形成類似“金字塔”狀的 絨面，有效地增強(qiáng)硅片對入射太陽光的吸收，從而 提高光生電流密度。對于既可獲得低的表面反射 率，又有利于太陽能電池的后續(xù)制作工藝的絨面， 應(yīng)該是金字塔大小均勻，單體尺寸在 2～10 μm 之間，相鄰金字塔之間沒有空隙，即覆蓋率達(dá)到 100%。理想質(zhì)量絨面的形成，受到了諸多因素的 影響，如硅片被腐蝕前的表面狀態(tài)、制絨液的組 成、各組分的含量、溫度、反應(yīng)時(shí)間等。而在工業(yè)生 產(chǎn)中，對這一工藝過程的影響因素更加復(fù)雜，例如 加工硅片的數(shù)量、醇類的揮發(fā)、反應(yīng)產(chǎn)物在溶液中 的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產(chǎn) 良好的可重復(fù)性，并獲得高的生產(chǎn)效率。就要比較 透徹地了解金字塔絨面的形成機(jī)理，控制對制絨 過程中影響較大的因素，在較短的時(shí)間內(nèi)形成質(zhì) 量較好的金字塔絨面。單晶制絨的工藝比較復(fù)雜，不同公司有各自 獨(dú)特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法： NaOH+IPA、NaOH+IPA+NaSiO3、NaOH+CH3CH2OH 等。一般使用到的化學(xué)添加劑有兩種，一...
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集成電路濕法工藝的目的半導(dǎo)體集成電路制程主要以20世紀(jì)50年代以后發(fā)明的四項(xiàng)基礎(chǔ)工藝（離子注入、擴(kuò)散、外延生長及光刻）為基礎(chǔ)逐漸發(fā)展起來，由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當(dāng)微細(xì)，因此制造過程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導(dǎo)致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。濕法工藝作用是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學(xué)藥液清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子、自然氧化層及有機(jī)物之雜質(zhì)。 批處理清洗設(shè)備 單晶圓清洗設(shè)備 集成電路工藝過程IC芯片主要工藝過程 濕法設(shè)備的應(yīng)用濕法設(shè)備在8寸IC芯片制造過程中的應(yīng)用集成電路濕法工藝IC芯片清洗工藝分類1. 前段灰化后清洗 35% -硫酸過氧化混合液清洗(SPM Clean) 2. 熱氧化前預(yù)清洗 &#...
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中國政府“十三五“規(guī)劃草案，經(jīng)濟(jì)發(fā)展目標(biāo)包括半導(dǎo)體等先進(jìn)產(chǎn)業(yè)及在晶片材料、機(jī)器人、航空設(shè)備和衛(wèi)星的次世代領(lǐng)域成為世界領(lǐng)先，研發(fā)經(jīng)費(fèi)將達(dá)GDP2.5%。那么半導(dǎo)體是怎么制造出來的？這里我們并不是探究從沙子到芯片的過程，而是聚焦于半導(dǎo)體生產(chǎn)制造的環(huán)境和生產(chǎn)設(shè)備。半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)通常要經(jīng)歷以下過程：半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工序這些高端精細(xì)的制備過程對芯片的生產(chǎn)環(huán)境和設(shè)備要求是極高的，這些機(jī)器設(shè)備會令硅芯片（如英特爾硅芯片）遭受超強(qiáng)真空處理、「化學(xué)浴」浸泡、高能等離子體加工、紫外光照射等一系列步驟，同時(shí)還要使硅芯片經(jīng)過數(shù)百個(gè)制造階段，從而將它們變成CPU、存儲器片、圖形處理器等。我們以美國應(yīng)用材料公司的梅坦技術(shù)中心半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)境和制備設(shè)備為例。 1.無塵室在進(jìn)入研究中心以前，必須穿上防護(hù)服，戴上面具、護(hù)目鏡、兩幅手套以及將鞋完全套住的塑膠袋。這里不是生產(chǎn)車間，相反，這個(gè)無塵室只是模擬了晶圓廠的環(huán)境，應(yīng)用材料公司的設(shè)備將在這種環(huán)境下使用，以便公司及其客戶可以測試新技術(shù)和新工藝，然后真正將它們推向生產(chǎn)線。2.玻璃光掩膜 芯片制造的核心技術(shù)是平版印刷（光刻），這種技術(shù)就像是絲網(wǎng)印刷，只不過不是通過絲制模板將墨滾壓至棉T恤上，而是通過玻璃光掩膜，使紫外光照射表面涂有光刻膠（一種有機(jī)化合物）的硅襯底上。在紫外光照射穿透的地方，光刻膠的化學(xué)特性會被削弱，使硅芯片表面留下圖案。接著，硅芯片會被...
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SEMICON China是中國首屈一指的半導(dǎo)體旗艦展覽，每年吸引全球高數(shù)量和高質(zhì)量的觀眾到場參觀，包括企業(yè)高層領(lǐng)導(dǎo)人、采購商和投資人、技術(shù)工程師、中央及產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)地區(qū)政府官員，是業(yè)界公認(rèn)的會見新老供應(yīng)商，洽談生意，獲取最新產(chǎn)品、技術(shù)和解決方案的首要平臺。華林科納CSE再次參加了2018年SEMICON China展會，展會期間參展了公司四大系列產(chǎn)品，其產(chǎn)品優(yōu)勢吸引了眾多知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)蒞臨參觀，其中CSE單片清洗機(jī)、甩干機(jī)、自動(dòng)供液系統(tǒng)以及黑硅制絨設(shè)備的技術(shù)方案在同行里優(yōu)勢凸顯，多家企業(yè)意向預(yù)約前往公司生產(chǎn)基地參觀。此次參展的圓滿成功離不開合作伙伴和公司小伙伴們的支持，再次表示感謝，同時(shí)也邀請大家參加公司明年的展會，歡迎大家蒞臨參觀指導(dǎo)。
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長期以來，多晶太陽電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進(jìn)一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題，該技術(shù)將來勢必成為多晶電池的標(biāo)配技術(shù)。 多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨，形成蠕蟲狀的坑洞；而單晶采用堿制絨，形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池，常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴(yán)重降低電池效率。華林科納（江蘇）CSE開發(fā)的濕法黑硅制絨技術(shù)完美的解決以上問題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進(jìn)步的必由之路。 更過太陽能電池片濕法黑硅制絨機(jī)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE網(wǎng)站：m.hbweixin.com
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關(guān)于晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程 一、 IC檢測 1. 缺陷檢查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用來檢測出晶圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進(jìn)行深次微米范圍之瑕疵檢測。一般來說，圖案晶圓檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識并發(fā)現(xiàn)瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 對蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測。 二、 IC封裝 1. 構(gòu)裝（Packaging） IC構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷（ceramic）及塑膠（plastic）兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。以塑膠構(gòu)裝中打線接合為例，其步驟依序?yàn)榫懈睿╠ie saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊線（wire bond）、封膠（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、電鍍（plating）及檢驗(yàn)（inspection）等。 (1) 晶片切割（die ...
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導(dǎo)讀： 半導(dǎo)體分立器件IGBT潛在市場巨大，在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應(yīng)用市場廣闊，而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。半導(dǎo)體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場巨大，在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應(yīng)用市場廣闊，而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的身影。不過當(dāng)前全球IGBT市場，仍被日、歐、美等IDM芯片廠刮分。盡管中國擁有全球最大的功率半導(dǎo)體市場，但與國際芯片大廠相比仍有很大差距，包括目前中國現(xiàn)在的IGBT等功率元器件幾乎也都依賴進(jìn)口，每年需花數(shù)十億美元進(jìn)行海外采購，自給率仍較低。不過這樣的情況正在一步步改觀取得突破。近期，包括中車株洲所與中車電動(dòng)共同推出了多款應(yīng)用于電動(dòng)汽車的IGBT。這也讓中國的高鐵采用自己“中國芯”的核心芯片。中車電動(dòng)母公司——中車株洲目前擁有國內(nèi)首條、全球第二條8吋IGBT芯片及模塊生產(chǎn)線，并且已掌握IGBT的專業(yè)研發(fā)制造技術(shù)，具備年產(chǎn)12萬片芯片、并配套形成年產(chǎn)100萬只IGBT模塊的自動(dòng)化封裝測試能力，芯片與...
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半導(dǎo)體行業(yè)招標(biāo)采購項(xiàng)目進(jìn)展英特爾半導(dǎo)體大連有限公司 (美國獨(dú)資)—非易失性存儲器一期擴(kuò)建項(xiàng)目項(xiàng)目背景：英特爾大連芯片廠是英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司在大連市投資25億美元建設(shè)的先進(jìn)半導(dǎo)體芯片制造廠, 也是英特爾在亞洲設(shè)立的第一座芯片廠。工廠于2007年底開始建設(shè),2009年建成投入試用,2010年10月正式投產(chǎn), 大連芯片廠的總建筑面積16.3萬平方米, 采用業(yè)界主流的300毫米硅晶圓和英特爾成熟的65納米制造工藝生產(chǎn)電腦芯片組產(chǎn)品。2015年10月21日, 英特爾宣布將其與美光合資開發(fā)的最新非易失性儲存技術(shù)引入中國, 并在遼寧大連投資55億美元, 升級現(xiàn)在的英特爾大連工廠以生產(chǎn)“非易失性儲存”設(shè)備。該項(xiàng)目將于2016年年底實(shí)現(xiàn)正式投產(chǎn)。非易失性儲存固態(tài)硬盤項(xiàng)目是英特爾核心計(jì)算業(yè)務(wù), 大連新工廠也將成為英特爾在全球第一個(gè)用300毫米晶圓領(lǐng)先生產(chǎn)技術(shù)的非易失性存儲產(chǎn)品集成電路制造中心。這項(xiàng)投資將成為英特爾進(jìn)一步踐行“生根中國, 綻放世界”戰(zhàn)略的重要里程碑。審批手續(xù)進(jìn)展情況：該項(xiàng)目由區(qū)發(fā)改委批復(fù)建設(shè) 預(yù)計(jì)采購設(shè)備：模擬示波器、可程式交換直流電源供應(yīng)器、臺式數(shù)字萬用表、電器綜合測試儀、光譜亮度計(jì)、分光輻射度計(jì)、電器綜合測試儀、色彩分析儀、視角測量儀、半導(dǎo)體封裝超純水設(shè)備、組裝生產(chǎn)線、芯片封裝機(jī)、無鉛...
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SEMICON China在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)眾所周知，它是一次行業(yè)的盛會，每年從全世界各地趕來參加的半導(dǎo)體精英都是數(shù)以萬計(jì)。這說明了半導(dǎo)體在全球范圍內(nèi)的火熱態(tài)勢，同時(shí)也見證了中國半導(dǎo)體制造業(yè)茁壯成長、加速發(fā)展的歷史，也必將為中國半導(dǎo)體制造業(yè)未來的強(qiáng)盛壯大作出貢獻(xiàn)。在不久前上海召開的SEMICON China 2017場面相當(dāng)火爆中國半導(dǎo)體市場規(guī)模正在不斷提升，這是顯而易見的。從2000年以來，全球半導(dǎo)體市場一直在迅猛增長，而尤其以中國半導(dǎo)體的成長態(tài)勢最為顯著，在世界市場上所占的份額也日益提升。從2000年到2010年，中國半導(dǎo)體市場占全球份額從7%變成了30%；在剛過去的2016年，全球半導(dǎo)體市場總額高達(dá)3530億美元，而中國半導(dǎo)體市場占了其中的45%。相信在未來的幾年時(shí)間里中國半導(dǎo)體市場的占有份額還是會持續(xù)穩(wěn)定的增長。不過目前中國的“半導(dǎo)體熱”基本上屬于投資拉動(dòng)型，實(shí)際的產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平仍有很大差距，尤其是在材料與設(shè)備上的差距特別明顯。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的國際競爭力的持續(xù)增長，國內(nèi)有經(jīng)驗(yàn)的人才資源還是不足。尤其是上游材料與設(shè)備嚴(yán)重依賴海外市場的供給，自身的材料與設(shè)備的質(zhì)量和技術(shù)存在嚴(yán)重缺陷。集成電路產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展需要有適當(dāng)?shù)漠a(chǎn)業(yè)環(huán)境，需要有完善的生態(tài)體系。目前，中國制造企業(yè)仍然大量采用日韓等國外廠商供應(yīng)的材料，這不利于自身技術(shù)的發(fā)揮，也不利于培育本土設(shè)備材料等配套企業(yè)。從“SE...
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電子工廠化學(xué)品供應(yīng)與回收系統(tǒng)概述由于電子產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)需要使用大量的化學(xué)品，而這些化學(xué) 品都具有一定危險(xiǎn)性，稍有疏忽，就會造成重大的人員傷亡 和設(shè)備的損失，因此，如何將這些化學(xué)品在保證品質(zhì)的前提下安全輸送到使用點(diǎn)，如何將這些使用過的化學(xué)品合理地回 收處理，將是電子工廠生產(chǎn)安全的重要問題。由此看來，電 子工廠中化學(xué)品的供應(yīng)與回收系統(tǒng)之改進(jìn)、優(yōu)化仍是值得探 究的。 原來國內(nèi)大規(guī)模集成電路生 產(chǎn)線所需的化學(xué)品供給、回收系統(tǒng)管道完全由海外公司承攬施工，隨著國內(nèi) IC 制造業(yè)的發(fā)展，國內(nèi)一流的 IC 工廠建設(shè)公司已經(jīng)開始打破這一局面，涉足該系統(tǒng)的施工，為我國電 子行業(yè)的自主發(fā)展添加了助推劑。 本文就新型顯示器件廠（簡稱 LCD）和集成電路芯片廠 （簡稱芯片廠）的化學(xué)品供應(yīng)和回收系統(tǒng)進(jìn)行在系統(tǒng)類型、 基本構(gòu)成、主要安全技術(shù)措施等方面做了些總結(jié)， 可供系統(tǒng)優(yōu)化時(shí)參考。 1 化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng) 1.1 化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)的分類 化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)在國外一些企業(yè)稱為 CDS(Chemical Dispense System) 或 簡 寫 為 BCD (Bulk chemical distribution)，它是為生產(chǎn)線 24 小時(shí)不間斷供應(yīng)化學(xué)品的 系統(tǒng)。供應(yīng)系統(tǒng)供應(yīng)的化學(xué)品一般使用量較大或有多臺設(shè)備 使用，屬于遠(yuǎn)距離輸送，不適用使用量少或是使用前存放時(shí)間有限制的化學(xué)品（通常需用特殊的包裝輸送到使用點(diǎn)）。...
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