目前半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的市場越來越巨大，而半導(dǎo)體工藝設(shè)備則為半導(dǎo)體大規(guī)模制造提供制造基礎(chǔ)，今天華林科納半導(dǎo)體CSE的小編為大整理了一套最全的半導(dǎo)體材料工藝設(shè)備匯總。1、單晶爐 設(shè)備名稱：單晶爐。設(shè)備功能：熔融半導(dǎo)體材料，拉單晶，為后續(xù)半導(dǎo)體器件制造，提供單晶體的半導(dǎo)體晶坯。主要企業(yè)（品牌）：國際：德國PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美國QUANTUM DESIGN公司、德國Gero公司、美國KAYEX公司。國內(nèi)：西安理工晶科、常州華盛天龍、上海漢虹、西安華德、上海申和熱磁、上虞晶盛、晉江耐特克、寧夏晶陽、常州江南、沈陽科儀公司。2、氣相外延爐設(shè)備名稱：氣相外延爐。設(shè)備功能：為氣相外延生長提供特定的工藝環(huán)境，實(shí)現(xiàn)在單晶上，生長與單晶晶相具有對(duì)應(yīng)關(guān)系的薄層晶體，為單晶沉底實(shí)現(xiàn)功能化做基礎(chǔ)準(zhǔn)備。氣相外延即化學(xué)氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù)，而且與襯底的晶向保持對(duì)應(yīng)的關(guān)系。主要企業(yè)（品牌）： 國際：美國CVD Equipment公司、美國GT公司、法國Soitec公司、法國AS公司、美國ProtoFlex公司、美國科特·萊思科（Kurt J.Lesker）公司、美國Applied Materials公司。國內(nèi)：中國電子科技集團(tuán)第四十八所、青島賽瑞達(dá)、合肥科晶材料技術(shù)有限公司、北京金盛微納、濟(jì)南力冠電子科技有限公司。3、分子...
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由全球半導(dǎo)體協(xié)會(huì)中國委員會(huì)主辦的全球規(guī)模最大、規(guī)格最高的半導(dǎo)體展SEMICON/FPD China 2017 國際半導(dǎo)體展3月14-16日在上海舉辦。這是全球半導(dǎo)體業(yè)界連續(xù)六年規(guī)格最高、規(guī)模最大的“嘉年華”，近900家展商在展會(huì)現(xiàn)場與逾6萬名專業(yè)觀眾互動(dòng)。華林科納半導(dǎo)體CSE在此次展會(huì)參展的產(chǎn)品吸引了很多客戶前來觀展。
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3月14日，由國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)中國委員會(huì)主辦的SEMICON China 2017國際半導(dǎo)體展在上海新國際博覽中心開幕。蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司此次參展給大家?guī)砹税雽?dǎo)體濕法清洗解決方案，與眾多專業(yè)觀眾以及行業(yè)伙伴進(jìn)行了現(xiàn)場交流，深入交流了半導(dǎo)體濕法清洗的相關(guān)技術(shù)要求以及工藝，其中 單片清洗機(jī)、黑硅制絨設(shè)備、晶圓電鍍設(shè)備、濕法刻蝕機(jī)設(shè)備、甩干機(jī)以及兆聲清洗機(jī)受到很多客戶詳詢，現(xiàn)場人氣也是爆滿。更多半導(dǎo)體濕法腐蝕清洗相關(guān)的新聞?wù)堦P(guān)注m.hbweixin.com
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CSE華林科納——誠邀各位業(yè)內(nèi)朋友蒞臨參觀我司在SEMICON China 2017的展位，歡迎大家一起交流與探討，以便于更深的合作；我們的技術(shù)團(tuán)隊(duì)會(huì)在T1館T113展位恭候大家的光臨，希望我們的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)?zāi)軌驇椭蠹医鉀Q半導(dǎo)體、光伏、MEMS等行業(yè)在濕法腐蝕清洗中遇到的問題和挑戰(zhàn)。如何能找到我們我們的展位在 TI 館 T113 展位。公司的介紹蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司（簡稱CSE）成立于2008年3月，總投資4500萬元； 目前已形成濕法清洗系統(tǒng)、刻蝕系統(tǒng)、CDS系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)的四大系列數(shù)十種型號(hào)的產(chǎn)品；廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電路電力電子器件、光電子器件、MEMS和太陽能電池等領(lǐng)域。 公司注重持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)改進(jìn)，目前已擁有發(fā)明專利技術(shù)18項(xiàng)，并多次獲得國家高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定證書，肯定了企業(yè)的整體實(shí)力。 10多年以來始終為半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)提供創(chuàng)新的專用的濕法工藝解決方案； 以技術(shù)創(chuàng)新為支撐，以精細(xì)管理做保證，以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和優(yōu)良的服務(wù)贏得了各界用戶的贊許和信賴。你可能會(huì)感興趣的設(shè)備此外，我們也給大家準(zhǔn)備了豐富禮品，期待大家的參與；重要的事再重復(fù)一遍哦CSE華林科納將參加2017年慕尼黑上海半導(dǎo)體展SEMICON CHINA誠邀各位業(yè)內(nèi)朋友蒞臨參觀、洽談！展位號(hào)：T113時(shí)間：2017年3月14日—16日上海新國際博覽中心 T館地址：上海市浦東新區(qū)龍陽...
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LED 芯片是一種將直接電能轉(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體器件，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)的核心器件。隨著我國科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步與微電子設(shè)備研制的發(fā)展，國內(nèi)從事芯片設(shè)計(jì)制造企業(yè)也逐漸增長到幾百家，但是他們普遍自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)及自主創(chuàng)新設(shè)計(jì)制造水平不高。LED 芯片制造及高端 封裝技術(shù)是技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，其發(fā)展水平離不開高端工藝與硬件設(shè)備。近年來國內(nèi)微電子設(shè)備產(chǎn)業(yè)急速擴(kuò)張，而支撐其技術(shù)引領(lǐng)的高端設(shè)備卻嚴(yán)重缺乏，發(fā)展瓶頸逐漸成形。目前產(chǎn)業(yè)高端設(shè)備依然依賴國外進(jìn)口，亟需開發(fā)研制自己的高端設(shè)備。LED 封裝就是在保證其芯片無損以及高光取出效率的前提下將外部引線與內(nèi)部芯片電極相互連接。在整個(gè)LED 產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)中，封裝技術(shù)是產(chǎn)業(yè)與市場的連接紐帶，而在 LED 芯片制造和高端封裝過程當(dāng)中去膠這一工藝過程起著非常重要的作用。1 當(dāng)前面向 LED 芯片制造和封裝去膠設(shè)備現(xiàn)狀 隨著科學(xué)技術(shù)水平的不斷發(fā)展，集成電路技術(shù)現(xiàn)已主要通過凸點(diǎn)封裝模式來大幅提升封裝密度與效率。凸點(diǎn)封裝技術(shù)包括了膜沉積、光照、去膠等多項(xiàng)半導(dǎo)體芯片制備技術(shù)?，F(xiàn)代高端封裝工藝一般面向 300 mm 晶圓、65 nm 及以下極大規(guī)模集成電路封裝需求，開發(fā)凸點(diǎn)個(gè)數(shù)3000 以上、間距 20...
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藍(lán)寶石晶片表面凈化技術(shù)研究 隨著光電子領(lǐng)域?qū)Φ?(GaN)基發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光性能要求不斷提高 , 從而對(duì)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法 (MOCVD)生長 G aN 的藍(lán)寶石 (α-A l2O3 )襯底晶片的表面質(zhì)量要求越來越嚴(yán), 這主要是因?yàn)樗{(lán)寶石襯底晶片拋光表面的雜質(zhì)沾污會(huì)嚴(yán)重影響 LED的質(zhì)量和成品率 ,對(duì)于開盒即用 (是經(jīng)清洗封裝后的晶片, 從片盒里取出后即可以投入到MOCVD生長爐中直接使用而不需要額外的清洗)的 2英寸藍(lán)寶石襯底晶片,影響 G aN 生長的臨界顆粒尺寸為 0. 3μm,拋光片表面大于 0. 2 μm 的顆粒數(shù)應(yīng)小于 20個(gè) /片。在目前的 LED生產(chǎn)中, 仍有 50%以上的廢品是由于表面污染引起的, 由于在襯底晶片生產(chǎn)中 , 幾乎每道工序都有清洗問題, 所以藍(lán)寶石晶片清洗的好壞對(duì) LED 的發(fā)光性能有嚴(yán)重的影響 , 處理不當(dāng), 可能使全部藍(lán)寶石晶片報(bào)廢, 做不出 LED 管子來, 或者制造出來的 LED性能低劣、穩(wěn)定性和可靠性很差。因此弄清楚藍(lán)寶石晶片清洗的方法和原理 ,不管是對(duì)從事藍(lán)寶石晶片加工還是 LED 生產(chǎn)的人來說都具有十分重要的工程意義。 以下主要針對(duì)藍(lán)寶石晶片的凈化原理 、凈化工藝、凈化效果等方面技術(shù)問題進(jìn)行了研究 , 提出了能夠滿足 G aN 生長要求的藍(lán)寶石晶片的凈化工藝和清洗液的配方 。...
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光刻版清洗設(shè)備工藝 光刻技術(shù)是大規(guī)模集成電路制造技術(shù)和微光學(xué)、微機(jī)械技術(shù)的先導(dǎo)和基礎(chǔ)，他決定了集成電路（IC）的集成度[1]。光刻版在使用過程中不可避免地會(huì)粘上灰塵、光刻膠等污染物，這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。近些年，國家將 LED照明列入為重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)，LED 行業(yè)迅猛發(fā)展。LED 制造過程中，具有光刻版的使用量多，使用頻繁的特點(diǎn)。大多生產(chǎn)廠家為了節(jié)省成本，主要采用接觸式曝光。接觸式曝光雖然可以利用成本低廉的設(shè)備達(dá)到較高的曝光精度，但是由于甩膠式涂膠方法會(huì)造成晶圓邊緣膠層過厚，在接觸式曝光過程中光刻版極易接觸到晶圓邊緣的光刻膠，導(dǎo)致光刻膠粘附到光刻版表面（圖 1）。對(duì)于 IC 行業(yè)，因?yàn)榫€條更細(xì)，精度要求更高，所以光刻版的潔凈程度更加重要。對(duì)于硅片清洗而言，其顆粒移除率（PRE）不需要達(dá)到 100%，但對(duì)于光刻版而言卻并非如此，其原因是對(duì)于產(chǎn)品良率而言，光刻版表面顆粒的影響更大，單晶圓缺陷只影響一個(gè)缺陷，而一個(gè)光刻版卻影響到每一個(gè)芯片[2，3]。由于零成像缺陷是可以實(shí)現(xiàn)的，工廠內(nèi)生產(chǎn)的光刻版需要經(jīng)常清洗。為了保證光刻版潔凈，必須定期對(duì)光刻版進(jìn)行清洗，而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設(shè)備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。1 光刻版清洗工藝1.1 光刻膠及其他有機(jī)污染物的去除對(duì)于光刻膠及其他有機(jī)污染物，比較常見的方法是通過有機(jī)溶劑將其溶解的方法將其去除...
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從半導(dǎo)體原材料到轉(zhuǎn)化為各式各樣的集成電路或者分立器件，其轉(zhuǎn)化過程利用了幾百種復(fù)雜程度不同的化學(xué)反應(yīng)。毫無疑問，在半導(dǎo)體的制造工業(yè)中，需要大量的特殊材料和化學(xué)品。芯片制造首要是一種化學(xué)工藝，或者更準(zhǔn)確地說，是一系列的化學(xué) 物理工藝過程，高達(dá)20％工藝步驟是wafer清洗和表面的處理。 近年來光電與光伏半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展迅速，相關(guān)的制程越來越復(fù)雜，線寬越來越窄（已將進(jìn)入納米級(jí))，工藝要求也越來越高，生產(chǎn)過程需要使用大量的化學(xué)藥品，而這些化學(xué)品都具有一定危險(xiǎn)性和腐蝕性，稍有疏忽，就會(huì)造成人員傷亡和設(shè)備的損失，所以如何將這些化學(xué)品在保證品質(zhì)的前提下安全輸送到制程設(shè)備并安全使用是至關(guān)重要的，同時(shí)如何將這些使用過的化學(xué)品合理地回收處理，也將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工廠生產(chǎn)安全的重要問題，這些都對(duì)工廠各系統(tǒng)的持續(xù)無故障運(yùn)行能力以及所提供的制程相關(guān)原料品質(zhì)提出了更高的要求。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的生產(chǎn)中，化學(xué)液供應(yīng)系統(tǒng)主要以中央供應(yīng)系統(tǒng)為主，用量較少之化學(xué)液則采取人工供應(yīng)方式。 中央化學(xué)液供應(yīng)系統(tǒng)縮寫為CDS(Chemical Dispense Systerm）或者簡寫為BCD(Bulk Chemical Distribution)，它是為生產(chǎn)線24h不間斷供應(yīng)化學(xué)液的系統(tǒng)。一般使用CDS系統(tǒng)的化學(xué)液都有需求量大、危險(xiǎn)性高的特點(diǎn)。 CDS系統(tǒng)上主要供應(yīng)給以下的工藝步...
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半導(dǎo)體濕法清洗專家華林科納介紹硅片清洗機(jī)的相關(guān)工藝1、硅片清洗機(jī)概述 硅片清洗機(jī)廣泛應(yīng)用于光伏，電子等行業(yè)硅片清洗；由于硅片在運(yùn)輸過程中會(huì)有所污染，表面潔凈度不是很高，對(duì)即將進(jìn)行的腐蝕與刻蝕產(chǎn)生很大的影響，所以首先要對(duì)硅片表面進(jìn)行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機(jī)沾污，然后溶解氧化膜，因?yàn)檠趸瘜邮恰罢次巯葸M(jìn)”，會(huì)引起外延缺陷；再去除顆粒、金屬等，同時(shí)使硅片的表面鈍化。 目前多采用傳統(tǒng)的RCA清洗方法，不僅可以去除硅片表面的金屬、有機(jī)物等，還可以去除小顆粒等污染物。2、清洗工藝 RCA清洗法 RCA清洗法又稱工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)濕法清洗工藝，是由美國無線電公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世紀(jì)60年代提出后，由此得名。 RCA濕法清洗由兩種不同的化學(xué)溶液組成， SPM具有很高的金屬氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能將有機(jī)物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的種有機(jī)沾污和部分金屬，當(dāng)沾污特別嚴(yán)重時(shí)，難以去除干凈。 DHF（HF），可以去除硅片表面的自然氧化膜，同時(shí)抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬，也可以去除自然氧化膜上的氫氧化物。在自然那氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片...
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半導(dǎo)體加工中的刻蝕技術(shù)包括濕法化學(xué)刻蝕 (Wet Chemical Etching)，等離子刻蝕(Plasma Etching)，反應(yīng)離子刻蝕(Reactive Ion Etching)和離子研 磨(Ion Milling)。與其它刻蝕技術(shù)相比，濕法化學(xué)刻蝕工藝的主 要優(yōu)點(diǎn)是成本低，對(duì)硅片上器件幾乎無損害，高選 擇比。缺點(diǎn)是各向異性差，工藝控制性(對(duì)溫度敏 感)差，微顆?？刂撇睿瘜W(xué)品處理費(fèi)用高，由于氣 泡等因素很難使用于小的圖形。 半導(dǎo)體工業(yè)中的濕法刻蝕工藝，主要使用酸 液去除金屬、二氧化硅(SiO2)、硅等材料。相比等離子刻蝕，在刻蝕速率和經(jīng)濟(jì)性上要高于后者，但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性，在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者，所以濕法刻蝕多 用于線寬尺寸較大，對(duì)刻蝕圖形精度要求不太高 的應(yīng)用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統(tǒng)槽式處理方法相 比，避免了在同一槽內(nèi)批處理時(shí)硅片之間的互相污 染，潔凈度好，且單片處理速度更快，對(duì)刻蝕圖形的 精度控制也好于后者。 濕法刻蝕供酸管路系統(tǒng)的主體為主循環(huán)回 路，并有其它輔助的管路用于化學(xué)液補(bǔ)充或廢液子刻蝕，在刻蝕速率和經(jīng)濟(jì)性上要高于后者，但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性，在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者，所以濕法刻蝕多 用于線寬尺寸較大，對(duì)刻蝕圖形精度要求不太高 的應(yīng)用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統(tǒng)槽式處理方法相 比，避免了在同一槽...
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