半導(dǎo)體濕法清洗專(zhuān)家華林科納介紹硅片清洗機(jī)的相關(guān)工藝1、硅片清洗機(jī)概述 硅片清洗機(jī)廣泛應(yīng)用于光伏，電子等行業(yè)硅片清洗；由于硅片在運(yùn)輸過(guò)程中會(huì)有所污染，表面潔凈度不是很高，對(duì)即將進(jìn)行的腐蝕與刻蝕產(chǎn)生很大的影響，所以首先要對(duì)硅片表面進(jìn)行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機(jī)沾污，然后溶解氧化膜，因?yàn)檠趸瘜邮恰罢次巯葸M(jìn)”，會(huì)引起外延缺陷；再去除顆粒、金屬等，同時(shí)使硅片的表面鈍化。 目前多采用傳統(tǒng)的RCA清洗方法，不僅可以去除硅片表面的金屬、有機(jī)物等，還可以去除小顆粒等污染物。2、清洗工藝 RCA清洗法 RCA清洗法又稱(chēng)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)濕法清洗工藝，是由美國(guó)無(wú)線(xiàn)電公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世紀(jì)60年代提出后，由此得名。 RCA濕法清洗由兩種不同的化學(xué)溶液組成， SPM具有很高的金屬氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能將有機(jī)物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的種有機(jī)沾污和部分金屬，當(dāng)沾污特別嚴(yán)重時(shí)，難以去除干凈。 DHF（HF），可以去除硅片表面的自然氧化膜，同時(shí)抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬，也可以去除自然氧化膜上的氫氧化物。在自然那氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片...
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華力微基于SONOS的55納米閃存試產(chǎn)日前，賽普拉斯與華力微共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS （氧化硅氮氧化硅）嵌入式閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)相結(jié)合，為閃存產(chǎn)品樹(shù)立了一個(gè)新的里程碑。華力的客戶(hù)已經(jīng)開(kāi)始使用這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對(duì)藍(lán)牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。賽普拉斯高耐用性、可擴(kuò)展的SONOS嵌入式閃存工藝針對(duì)低功耗需求進(jìn)行了優(yōu)化，使其成為微控制器（MCU）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用的理想選擇。2017年下半年，華力的客戶(hù)即可采用該技術(shù)和設(shè)計(jì)IP進(jìn)行全面量產(chǎn)。高性能氧化銥/鉑納米錐復(fù)合鍍層提高神經(jīng)電極電刺激性能近日，中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院醫(yī)工所微納中心研究員吳天準(zhǔn)及其研究團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出一種具有納米結(jié)構(gòu)的高性能氧化銥／鉑納米錐復(fù)合鍍層。這種高性能復(fù)合鍍層有效解決了隨著電極陣列化和集成化帶來(lái)的高電化學(xué)阻抗、低電荷存儲(chǔ)能力及低電荷注入能力的問(wèn)題，并顯著提高了神經(jīng)電極的電刺激性能。相關(guān)研究成果Electrodeposited Iridium Oxide on Platinum Nanocones for Improving Neural Stimulation Microelectrodes（《鉑納米錐上電沉積氧化銥在改善神經(jīng)刺激電極中的應(yīng)用》）已在線(xiàn)發(fā)表于電化學(xué)期刊ElectrochimicaActa。同時(shí)該工作的階段性成果被IEEE NEMS 201...
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半導(dǎo)體加工中的刻蝕技術(shù)包括濕法化學(xué)刻蝕 (Wet Chemical Etching)，等離子刻蝕(Plasma Etching)，反應(yīng)離子刻蝕(Reactive Ion Etching)和離子研 磨(Ion Milling)。與其它刻蝕技術(shù)相比，濕法化學(xué)刻蝕工藝的主 要優(yōu)點(diǎn)是成本低，對(duì)硅片上器件幾乎無(wú)損害，高選 擇比。缺點(diǎn)是各向異性差，工藝控制性(對(duì)溫度敏 感)差，微顆?？刂撇睿瘜W(xué)品處理費(fèi)用高，由于氣 泡等因素很難使用于小的圖形。 半導(dǎo)體工業(yè)中的濕法刻蝕工藝，主要使用酸 液去除金屬、二氧化硅(SiO2)、硅等材料。相比等離子刻蝕，在刻蝕速率和經(jīng)濟(jì)性上要高于后者，但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性，在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者，所以濕法刻蝕多 用于線(xiàn)寬尺寸較大，對(duì)刻蝕圖形精度要求不太高 的應(yīng)用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統(tǒng)槽式處理方法相 比，避免了在同一槽內(nèi)批處理時(shí)硅片之間的互相污 染，潔凈度好，且單片處理速度更快，對(duì)刻蝕圖形的 精度控制也好于后者。 濕法刻蝕供酸管路系統(tǒng)的主體為主循環(huán)回 路，并有其它輔助的管路用于化學(xué)液補(bǔ)充或廢液子刻蝕，在刻蝕速率和經(jīng)濟(jì)性上要高于后者，但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性，在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者，所以濕法刻蝕多 用于線(xiàn)寬尺寸較大，對(duì)刻蝕圖形精度要求不太高 的應(yīng)用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統(tǒng)槽式處理方法相 比，避免了在同一槽...
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中芯國(guó)際今年總銷(xiāo)售增長(zhǎng)率上看20%，其中先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)與28納米工藝放量成長(zhǎng)，將是主要兩大驅(qū)動(dòng)力。中芯國(guó)際也將在13日舉辦專(zhuān)題技術(shù)研討會(huì)，全面對(duì)客戶(hù)展現(xiàn)先進(jìn)工藝制程與物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)的完整布局。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 中芯國(guó)際日前預(yù)估，2017年相較2016年增長(zhǎng)率將上看20%，盡管2017年上半年正在經(jīng)歷季節(jié)性調(diào)整，但是中芯國(guó)際對(duì)于下半年業(yè)績(jī)抱持樂(lè)觀(guān)展望，很可能展現(xiàn)“先蹲后跳”的實(shí)力?！ ∑渲?，沖刺28納米最先進(jìn)制程工藝的布局，進(jìn)展最快的就是中芯國(guó)際。根據(jù)統(tǒng)計(jì)，2016年中芯國(guó)際28納米晶圓產(chǎn)能全球占比不足1%，與28納米制程市占率分別為66.7%、16.1%與8.4%的前三大純晶圓代工廠(chǎng)商臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電仍保持較大的差距?！ 《?8納米將是2017年中芯主要成長(zhǎng)動(dòng)能之一，預(yù)期2017年底28納米以下制程工藝將占公司營(yíng)收比重達(dá)到7%-9%。并將在2017年底28納米季度營(yíng)收占比接近10%?！ ”M管中芯國(guó)際的28納米制程工藝已在此前量產(chǎn)，但從產(chǎn)品規(guī)格來(lái)看，多偏向中低端的28納米Ploy/SiON技術(shù)，對(duì)于高端的28納米HKMG制程工藝涉足并不深，今年能否在HKMG制程工藝如期放量成長(zhǎng)，乃外界觀(guān)察指標(biāo)之一。 今年中芯國(guó)際在先進(jìn)工藝平臺(tái)有幾個(gè)重點(diǎn)，一是28納米放量成長(zhǎng)，二是14納米起步開(kāi)始有營(yíng)收貢獻(xiàn)，三是7納...
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濕刻蝕是通過(guò)化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來(lái)的刻蝕方法。大多數(shù)濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。(1) 特點(diǎn)：適應(yīng)性強(qiáng)，表面均勻性好、對(duì)硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。(2) 缺點(diǎn)：圖形刻蝕保真想過(guò)不理想，刻蝕圖形的最小線(xiàn)難以掌控。(3) 植入廣告！！該公司在這濕蝕刻方面比較優(yōu)越！?。。?！蘇州華林科納，成立于2008年3月，總投資4500萬(wàn)元；目前已形成濕法清洗系統(tǒng)、刻蝕系統(tǒng)、CDS系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)的四大系列數(shù)十種型號(hào)的產(chǎn)品； 廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電路電力電子器件、光電子器件、MEMS和太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。 干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝。(1) 特點(diǎn)：能實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，從而保證細(xì)小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性。(2) 缺點(diǎn)：造價(jià)高。 從所產(chǎn)生通道截面形狀分類(lèi)，刻蝕又可分為兩類(lèi)：各向同性刻蝕和各向異性刻蝕。(1) 各向同性刻蝕：刻蝕劑從基片表面向下腐蝕的速率與在其他各方向大致相同，這種刻蝕成為各向同性刻蝕。例如含氫氟酸的溶液刻蝕玻璃和石英就是各向同性的。(2) 各向異性刻蝕：刻蝕劑在某一方向的刻蝕速率遠(yuǎn)大于其他方向時(shí)，就是各向異性刻蝕。例如用氫氧化鈉、氫氧化鉀等堿金屬的氫氧化物或季銨鹽刻蝕硅片時(shí)是各向異性的更多的半導(dǎo)體材料工藝設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華...
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![華林科納半導(dǎo)體--單片清洗機(jī)]( "華林科納半導(dǎo)體--單片清洗機(jī)")
單片清洗機(jī)在安裝調(diào)試的過(guò)程中，會(huì)遇到一些常見(jiàn)問(wèn)題，華林科納CSE的安裝技術(shù)工程師也整理了如下注意事項(xiàng)，可供大家參考:機(jī)械部分1.設(shè)備結(jié)構(gòu)主要分為：設(shè)備殼體，中間選轉(zhuǎn)部分，四周擺臂部分，后部滾刷部分，設(shè)備管路系統(tǒng)，供酸系統(tǒng)；2.中間選轉(zhuǎn)部分在安裝時(shí)，要保證安裝完成后，中間旋轉(zhuǎn)部分的高度可以調(diào)節(jié)，真空壓力要保證好，防止旋轉(zhuǎn)時(shí)及進(jìn)行滾刷時(shí)把片子轉(zhuǎn)飛掉，在腐蝕清洗時(shí)，要保證有一定的轉(zhuǎn)速，藥液從片著四周出去，防止污染片子背面；3.四周擺臂機(jī)構(gòu)，根據(jù)工藝要求每個(gè)擺臂上面的藥液和噴頭也不一樣，工藝制作時(shí)，根據(jù)藥液來(lái)選擇擺臂，擺臂設(shè)計(jì)時(shí)，因?yàn)橛行┧幰河袦囟纫螅瑪[臂應(yīng)該藥液預(yù)熱或者預(yù)冷位置，讓藥液進(jìn)行預(yù)熱或者預(yù)冷，同時(shí)不會(huì)噴到片子上面，擺臂還有擺動(dòng)噴灑藥液的供液，擺動(dòng)的幅度和擺動(dòng)的范圍都是要可以調(diào)整的；4.后部滾刷部分，在整個(gè)機(jī)構(gòu)組裝安裝完成之后，擺動(dòng)的高度也是可以進(jìn)行上下調(diào)整的，滾刷伸出和縮回的距離也應(yīng)該可以進(jìn)行設(shè)定，因?yàn)闈L刷的材料是PVA的，用之前是進(jìn)行真空包裝，安裝之后，要每隔10秒滾刷進(jìn)行滾動(dòng)，滾動(dòng)同時(shí)上面要進(jìn)行噴水，不然滾刷就會(huì)變硬；5.旋轉(zhuǎn)，擺動(dòng)，滾刷，根據(jù)工藝的不同，可以進(jìn)行選擇，然后進(jìn)行不同的組合。電器部分1.在制作程序時(shí)，有要求設(shè)定參數(shù)時(shí)，都應(yīng)該設(shè)有該參數(shù)的最大值和最小值，讓用戶(hù)在范圍內(nèi)進(jìn)行設(shè)定，防止發(fā)生錯(cuò)誤；2.因?yàn)閱纹瑱C(jī)的藥液溫度要求較高，所以制作程序時(shí)要考慮藥液預(yù)熱和預(yù)冷的...
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鳳凰科技訊 據(jù)The Investor網(wǎng)站北京時(shí)間4月12日?qǐng)?bào)道，三星電子將從7月份開(kāi)始運(yùn)營(yíng)位于韓國(guó)京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠(chǎng)。新設(shè)施是全球規(guī)模最大的芯片工廠(chǎng)，占地289萬(wàn)平方米。三星將在該工廠(chǎng)量產(chǎn)第四代3D NAND閃存芯片，該芯片垂直堆疊達(dá)到64層。據(jù)《首爾經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，三星已要求合作伙伴在5月底之前供應(yīng)必要的芯片制造設(shè)備。消息稱(chēng)，一開(kāi)始，新工廠(chǎng)的產(chǎn)量將較為有限，需要幾年時(shí)間才能全面運(yùn)轉(zhuǎn)。三星預(yù)計(jì)將于今年開(kāi)始在這一芯片制造綜合體運(yùn)營(yíng)，但是尚未正式宣布具體時(shí)間表。新工廠(chǎng)從2015年開(kāi)始建造，耗資15.6萬(wàn)億韓元(約合136億美元)。平面和垂直NAND閃存芯片的總產(chǎn)能預(yù)計(jì)將達(dá)到每月45萬(wàn)片晶圓，3D NAND閃存芯片將占據(jù)一半以上。三星目前是全球最大的NAND閃存芯片制造商。市場(chǎng)研究公司IHS Markit發(fā)布的報(bào)告顯示，三星去年在NAND閃存芯片市場(chǎng)的份額從2015年的32%增長(zhǎng)到了36.1%。更多半導(dǎo)體相關(guān)新聞信息，可以關(guān)注華林科納（江蘇）CSE網(wǎng)站http://www.hlcas.com/
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華林科納主要通過(guò)偏心旋轉(zhuǎn)改善蝕刻均勻度以及斜度，通過(guò)精準(zhǔn)的溫度控制及時(shí)間調(diào)節(jié)定位蝕刻深度更多的相關(guān)設(shè)備調(diào)試視頻可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（http://m.hbweixin.com），現(xiàn)在熱線(xiàn)咨詢(xún)400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
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導(dǎo)讀： 去年，中國(guó)成功發(fā)射了全球第一顆量子通信衛(wèi)星，目前正在按照預(yù)期工作。在量子通信方面，中國(guó)已經(jīng)走在世界前列。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體計(jì)算機(jī)的提升越來(lái)越困難，而量子計(jì)算機(jī)普遍被視為未來(lái)的新希望，尤其是美國(guó)正全力投入研發(fā)，已經(jīng)有了不少成果。那么中國(guó)呢？其實(shí)也在悄然進(jìn)行中。據(jù)中科院院長(zhǎng)白春禮透露，中科院正在研制中國(guó)第一臺(tái)量子計(jì)算機(jī)，預(yù)計(jì)最近幾年就有望研制成功。白春禮表示，科學(xué)家已經(jīng)能夠?qū)瘟Ｗ雍土孔討B(tài)進(jìn)行調(diào)控，量子通信、量子計(jì)算機(jī)等都將產(chǎn)生變革性的突破。那么，量子計(jì)算機(jī)到底有多厲害？白春禮舉了一個(gè)形象的例子：如果要求解一個(gè)億億億變量的方程組，如果用億億次的當(dāng)今第一超級(jí)計(jì)算機(jī)天河二號(hào)計(jì)算，需要長(zhǎng)達(dá)100年，而使用一臺(tái)萬(wàn)億次的量子計(jì)算機(jī)計(jì)算，只需區(qū)區(qū)0.01秒。去年，中國(guó)成功發(fā)射了全球第一顆量子通信衛(wèi)星，目前正在按照預(yù)期工作。在量子通信方面，中國(guó)已經(jīng)走在世界前列。 更多半導(dǎo)體行業(yè)新聞可以關(guān)注華林科納（江蘇）網(wǎng)站：http://m.hbweixin.com/
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導(dǎo)讀： 隨著聯(lián)電廈門(mén)子公司聯(lián)芯的 28 納米先進(jìn)制程計(jì)劃在今年第二季正式量產(chǎn)，TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，中國(guó)本土晶圓代工廠(chǎng)今年將沖刺在 28 納米最先進(jìn)制程的布局，進(jìn)度最快的本土晶圓代工廠(chǎng)為中芯國(guó)際與華力微電子...隨著聯(lián)電廈門(mén)子公司聯(lián)芯的 28 納米先進(jìn)制程計(jì)劃在今年第二季正式量產(chǎn)，TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，中國(guó)本土晶圓代工廠(chǎng)今年將沖刺在 28 納米最先進(jìn)制程的布局，進(jìn)度最快的本土晶圓代工廠(chǎng)為中芯國(guó)際與華力微電子，然而，隨著外資紛紛于中國(guó)大陸地區(qū)設(shè)立晶圓廠(chǎng)，本土晶圓代工廠(chǎng)面臨技術(shù)、人才、市場(chǎng)上的直接競(jìng)爭(zhēng)壓力。拓墣指出，中國(guó)大陸地區(qū)純晶圓代工廠(chǎng)商目前最先進(jìn)的量產(chǎn)制程為 28 納米，根據(jù)統(tǒng)計(jì)，中芯國(guó)際 28 納米晶圓產(chǎn)品 2016 年的年晶圓產(chǎn)能全球占比不足 1％，與 28 納米制程市占率分別為 66．7％、16．1％ 與 8．4％ 的前三大純晶圓代工廠(chǎng)商臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電仍有較大差距。不過(guò)，根據(jù)中芯國(guó)際季報(bào)顯示，2016 年第四季 28 納米營(yíng)收占比達(dá)到 3．5％。中芯國(guó)際首席CEO邱慈云在 2 月 15 日的法說(shuō)會(huì)上表示，28 納米以下制程會(huì)是 2017 年中芯的成長(zhǎng)動(dòng)能之一，預(yù)期 2017 年底 28 納米以下制程，將占公司營(yíng)收比重達(dá)到 7％～9％。甫公布的中芯國(guó)際 2016 年業(yè)績(jī)報(bào)告中，也展望 2017 年底 28 納米...
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