黑硅作為興起的一種新型硅材料,以其在可見(jiàn)光與近紅外波段有極高的光吸收率，使其對(duì)光線十分敏感 ,它的光敏感度可以達(dá)到傳統(tǒng)硅材料的 100 ～ 500 倍。在正常情況下 ,一個(gè)光子只能產(chǎn)生一個(gè)電子 ,而在黑硅這種材料中 ,由于它具備光電導(dǎo)增益效果,可以由一個(gè)光子產(chǎn)生多個(gè)電子, 從而使電流增大200 ～ 300 倍 ,使其在微光探測(cè)方面的性能較一般材料有著飛躍般的進(jìn)步 ,并且黑硅的制造工藝可以較容易地嵌入到目前的半導(dǎo)體工藝中, 使其在照相機(jī) 、夜視儀等光電探測(cè)方面有著廣闊的應(yīng)用前景 。 目前國(guó)際上其通用的制備方式主要有兩種 :飛秒激光器刻蝕和深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)。其中 ,飛秒激光器刻蝕是SF6 環(huán)境下, 利用飛秒激光器產(chǎn)生的超短脈沖激光對(duì)硅片表面進(jìn)行輻照,其激光脈沖的高能在與硅片表面作用的同時(shí), 在表面附近積聚大量能量 , 能瞬間使背景氣體SF6 分解出游離的 F-離子, 并與表面汽化的 Si 原子生成易揮發(fā)的 SiF2 和 SiF4 ,使硅片表面不斷被刻蝕 ,最終形成準(zhǔn)規(guī)則排列的微米量級(jí)尖錐結(jié)構(gòu) 。這樣改造后的硅表面具有極高的光吸收率 , 而反應(yīng)離子刻蝕(RIE)的原理是利用一定壓強(qiáng)下的刻蝕氣體在高頻電場(chǎng)的作用下 ,通過(guò)氣體輝光發(fā)電產(chǎn)生等離子體(其中包含了大量的分子游離基團(tuán)), 通過(guò)電場(chǎng)加速活性基團(tuán)對(duì)被刻蝕物體進(jìn)行離子轟擊和化學(xué)反應(yīng) ,生成揮發(fā)性氣體, 反應(yīng)產(chǎn)物在低壓真...
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![2017年4月10日半導(dǎo)體行業(yè)新聞]( "2017年4月10日半導(dǎo)體行業(yè)新聞")
半導(dǎo)體新聞 1、力晶合肥12寸廠6月量產(chǎn) DRAM缺貨或持續(xù)至明年力晶董事長(zhǎng)黃崇仁出席臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)會(huì)員大會(huì)，他表示，目前臺(tái)灣地區(qū)旗下所有12寸廠的產(chǎn)能都滿載，還把客人趕走了，因?yàn)楦揪筒粔蛴?，而新投資的大陸合肥也就是晶合廠預(yù)計(jì)6月落成量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能規(guī)劃2萬(wàn)片。市場(chǎng)關(guān)心存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況，黃崇仁引用美光執(zhí)行長(zhǎng)杜肯的說(shuō)法，這一波存儲(chǔ)器的熱度將會(huì)延續(xù)到今年底，如果沒(méi)有新廠蓋出來(lái)的話，明年會(huì)缺貨更嚴(yán)重。黃崇仁說(shuō)，以他對(duì)杜肯的認(rèn)識(shí)，他是非常保守的人，這次在法說(shuō)會(huì)上釋出如此樂(lè)觀的訊息，我也認(rèn)同他的看法。黃崇仁表示，臺(tái)灣P1、P2、P3廠的產(chǎn)能全部滿載，市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，現(xiàn)在還把客人趕走，因?yàn)楫a(chǎn)能實(shí)在不夠用，而且以現(xiàn)在的設(shè)備來(lái)生產(chǎn)，是非常有競(jìng)爭(zhēng)力，未來(lái)會(huì)考慮慢慢擴(kuò)產(chǎn)，不過(guò)大陸合晶晶合廠不會(huì)生產(chǎn)存儲(chǔ)器。力晶大舉投資的大陸12寸晶合廠正在趕工當(dāng)中，預(yù)計(jì)最快6月落成投產(chǎn)，初期月產(chǎn)能規(guī)劃維持2萬(wàn)片不變，先以導(dǎo)入90納米，并生產(chǎn)面板驅(qū)動(dòng)芯片、傳感等為主，據(jù)悉已經(jīng)有不少?gòu)S商開(kāi)始搶先下單，力晶臺(tái)灣廠也希望產(chǎn)能全滿，所以也會(huì)把部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到晶合廠。力晶臺(tái)灣P3產(chǎn)能由存儲(chǔ)器模組大廠金士頓全吃下，以生產(chǎn)DRAM為主，今年將轉(zhuǎn)進(jìn)2X納米制程，月產(chǎn)能維持3萬(wàn)片。至于P1與P2廠生產(chǎn)面板驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片、CMOS傳感器等等，合計(jì)月產(chǎn)能約6~7萬(wàn)片。 2、...
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—華林科納 網(wǎng)絡(luò)部離子注入出現(xiàn)：隨著集成電路集成度的提高，對(duì)期間源漏結(jié)深的要求，切傳統(tǒng)的擴(kuò)散已無(wú)法景尊控制雜質(zhì)的分布形式以及濃度了。離子束射到固體材料以后，離子束與材料中的原子或分子將發(fā)生一系列物理的和化學(xué)的相互作用，入射離子逐漸損失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。離子束的用途：摻雜、曝光、刻蝕、鍍膜、退火、凈化等，不同的用途需要不同的離子量。 離子注入系統(tǒng)： 離子注入的特點(diǎn)：（1） 可以獨(dú)立控制雜質(zhì)分布和雜質(zhì)濃度（2） 各向異性摻雜（3） 容易獲得高濃度摻雜 離子注入與擴(kuò)散的比較 離子注入的優(yōu)缺點(diǎn):（1） 優(yōu)點(diǎn)：可控性好，注入溫度低，工藝靈活，可以獲得任意的摻雜濃度分布，結(jié)面比較平坦，均勻性和重復(fù)性好，擴(kuò)大了雜質(zhì)的選擇范圍。（2） 缺點(diǎn)：離子注入將在靶中產(chǎn)生大量晶格缺陷，難以獲得很深的結(jié)深，離子注入的生產(chǎn)效率比擴(kuò)散低系統(tǒng)復(fù)雜安昂貴。更多的半導(dǎo)體濕法腐蝕刻蝕清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
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導(dǎo)讀： 法國(guó)專利與技術(shù)分析公司KnowMade Co.日前發(fā)表一份報(bào)告，聲稱七家專利授權(quán)公司可能對(duì)于經(jīng)營(yíng)半導(dǎo)體市場(chǎng)的業(yè)者構(gòu)成威脅。法國(guó)專利與技術(shù)分析公司KnowMade Co.日前發(fā)表一份報(bào)告，聲稱七家專利授權(quán)公司（patent licensing companies；PLC）可能對(duì)于經(jīng)營(yíng)半導(dǎo)體市場(chǎng)的業(yè)者構(gòu)成威脅。這七家公司分別是WiLAN、Acacia Research、Conversant IP Management （原為Mosaid）、Intellectual Ventures、Rambus、Round Rock Research以及Tessera。 KnowMade主要根據(jù)2013年以來(lái)的專利收購(gòu)行動(dòng)與訴訟行為進(jìn)行評(píng)估。根據(jù)KnowMade表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有吸引專利授權(quán)公司的特性，預(yù)計(jì)這些專利授權(quán)公司將尋求從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲取更多的資金。KnowMade并參考了RPX Corp.在2015年三月發(fā)表的一份報(bào)告中所提到的：“2014年非實(shí)施專利事業(yè)體（NPE）讓營(yíng)運(yùn)公司付出了法律費(fèi)用以及和解或判決等其他有關(guān)法律成本等估計(jì)約122億美元?！盞nowMade執(zhí)行長(zhǎng)兼共同創(chuàng)辦人Nicolas Baron說(shuō)：“WiLAN可能是半導(dǎo)體公司的主要威脅。” 在2015年期間，WiLAN從英飛凌科技（Infineon Technologies）、奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda）和飛思卡爾（...
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一、芯片清洗用超純水設(shè)備優(yōu)點(diǎn) 1、無(wú)需酸堿再生：在混床中樹(shù)脂需要用化學(xué)藥品酸堿再生，而EDI則消除了這些有害物質(zhì)的處理和繁重的工作。保護(hù)了環(huán)境。 2、連續(xù)、簡(jiǎn)單的操作：在混床中由于每次再生和水質(zhì)量的變化，使操作過(guò)程變得復(fù)雜，而EDI的產(chǎn)水過(guò)程是穩(wěn)定的連續(xù)的，產(chǎn)水水質(zhì)是恒定的，沒(méi)有復(fù)雜的操作程序，操作大大簡(jiǎn)便化。 3、降低了安裝的要求：EDI系統(tǒng)與相當(dāng)處理水量的混床相比，有較不的體積，它采用積木式結(jié)構(gòu)，可依據(jù)場(chǎng)地的高度和靈活的構(gòu)造。模塊化的設(shè)計(jì)，使EDI在生產(chǎn)工作時(shí)能方便維護(hù)。 二、芯片清洗用超純水設(shè)備的工藝流程 1、采用離子交換方式，其流程如下： 原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂過(guò)濾床→陰樹(shù)脂過(guò)濾床→陰陽(yáng)樹(shù)脂混床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)。 2、采用兩級(jí)反滲透方式，其流程如下： 原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→第一級(jí)反滲透 →PH調(diào)節(jié)→中間水箱→第二級(jí)反滲透(反滲透膜表面帶正電荷)→純化水箱→純水泵→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)。...
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![行業(yè)新聞：保利協(xié)鑫1.5億美元收購(gòu)美國(guó)光伏材料鼻祖SunEdison]( "行業(yè)新聞：保利協(xié)鑫1.5億美元收購(gòu)美國(guó)光伏材料鼻祖SunEdison")
日前，H股光伏“龍頭”保利協(xié)鑫正式對(duì)外宣布，該公司已于美國(guó)時(shí)間3月31日，成功完成了對(duì)美國(guó)SunEdison的收購(gòu)案。而SunEdison曾是全球最領(lǐng)先的清潔能源資產(chǎn)公司之一。早在去年8月份，保利協(xié)鑫就曾對(duì)外公布，該公司與美國(guó)SunEdison各公司簽署了協(xié)議，保利協(xié)鑫將以1.5億美元的全現(xiàn)金方式收購(gòu)SunEdison及其附屬公司SunEdison Products Singapore、MEMC Pasadena和Solaicx的部分技術(shù)和資產(chǎn)。但彼時(shí)這項(xiàng)收購(gòu)還存在較多不確定性，其中包括有無(wú)其他出價(jià)競(jìng)爭(zhēng)，以及美國(guó)破產(chǎn)法院的裁決、美國(guó)司法部反壟斷局、聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)、美國(guó)外國(guó)投資委員，以及中國(guó)商務(wù)部和新加坡相關(guān)部門的審查結(jié)果。而今，保利協(xié)鑫宣布完成了對(duì)美國(guó)SunEdison的收購(gòu)案，則意味著上述障礙已被逐一跨越。完善硅烷流化床產(chǎn)業(yè)鏈值得一提的是，與預(yù)案不同，此番保利協(xié)鑫并未收購(gòu)了韓國(guó)SMP股權(quán)。在業(yè)內(nèi)人士看來(lái)，“這是專注于技術(shù)收購(gòu)。例如，其未收購(gòu)美國(guó)及韓國(guó)的現(xiàn)有制造工廠和生產(chǎn)線，只是接收美國(guó)的技術(shù)及研發(fā)人員，也不承擔(dān)韓國(guó)項(xiàng)目的債務(wù)?！比绱艘粊?lái)，保利協(xié)鑫收購(gòu)SunEdison，將獲得電子級(jí)硅烷流化床顆粒硅技術(shù)及資產(chǎn)、第五代CCZ連續(xù)直拉單晶技術(shù)及資產(chǎn)、包含相關(guān)設(shè)備及知識(shí)產(chǎn)權(quán)等“干貨”。其中，針對(duì)電子級(jí)硅烷流化床顆粒硅技術(shù)，保利協(xié)鑫相關(guān)人士認(rèn)為，“盡管國(guó)內(nèi)晶硅生產(chǎn)企業(yè)大都還在采用傳統(tǒng)的西門...
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![新聞熱點(diǎn) | 6個(gè)項(xiàng)目集中簽約入駐成都芯谷 總投資38億]( "新聞熱點(diǎn) | 6個(gè)項(xiàng)目集中簽約入駐成都芯谷 總投資38億")
近日總投資38億元的中科院微電子產(chǎn)業(yè)園、華大北斗、聚利科技等6個(gè)項(xiàng)目，集中簽約入駐成都芯谷。這是成都市雙流區(qū)獲批國(guó)家級(jí)臨空經(jīng)濟(jì)示范區(qū)后，首批簽約進(jìn)駐的項(xiàng)目，將極大促進(jìn)其電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 “我們將結(jié)合成都雄厚的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，主攻北斗導(dǎo)航芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)?！鄙钲谌A大北斗科技有限公司總經(jīng)理孫中亮介紹，此次簽約進(jìn)駐成都芯谷的“華大北斗導(dǎo)航芯片研發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目”，未來(lái)將承擔(dān)起研發(fā)設(shè)計(jì)第二代北斗導(dǎo)航芯片的重?fù)?dān)，為北斗導(dǎo)航系統(tǒng)全面進(jìn)入商用、民用提供核心基礎(chǔ)支撐。 記者了解到，當(dāng)天集中簽約的幾個(gè)項(xiàng)目，如中科院微電子西南產(chǎn)業(yè)園、中電物聯(lián)低功耗物聯(lián)網(wǎng)核心通訊設(shè)備研發(fā)基地項(xiàng)目、聚利科技新一代微波毫米波及太赫茲集成電路項(xiàng)目等，主要涉及芯片設(shè)計(jì)研發(fā)、封裝測(cè)試、模塊生產(chǎn)銷售及產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金等核心領(lǐng)域，建成達(dá)產(chǎn)后將為新興電子信息產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)郊喊l(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能。 集成電路產(chǎn)業(yè)被譽(yù)為生產(chǎn)“工業(yè)糧食”的產(chǎn)業(yè)，代表了新興電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主導(dǎo)方向，是國(guó)家和區(qū)域產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)、科技競(jìng)爭(zhēng)、綜合實(shí)力競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)。作為成都集成電路產(chǎn)業(yè)的重要載體，成都芯谷項(xiàng)目規(guī)劃占地總面積約20平方公里，按照產(chǎn)城融合的理念，分為先導(dǎo)區(qū)、發(fā)展區(qū)和制造區(qū)，重點(diǎn)發(fā)展IC設(shè)計(jì)、IC制造、IC封裝測(cè)試及IC...
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碳化硅磨料所具有的特性（硬度高、抗壓強(qiáng)度高、耐磨性好），使碳化硅磨具在磨削加工中成為磨削硬脆材料及硬質(zhì)合金的理想工具，不但效率高、精度高，而且粗糙度好、磨具消耗少、使用壽命長(zhǎng)，同時(shí)還可改善勞動(dòng)條件。因此廣泛用于普通磨具難于加工的低鐵含量的金屬及非金屬硬脆材料，如硬質(zhì)合金、高鋁瓷、光學(xué)玻璃、瑪瑙寶石、半導(dǎo)體材料、石材等。 碳化硅的分類：（黑碳化硅、綠碳化硅）含量越高純度越高、物理性能越好。含量在98%——特級(jí)品含量在95%-98%——一級(jí)品含量在80%-94%——二級(jí)品含量在70%左右——三級(jí)品 主要雜質(zhì)有：游離硅（F.Si）一部分溶解在碳化硅晶體，一部分與其它金屬雜質(zhì)（鐵、鋁、鈣）呈金屬狀態(tài)存在。游離二氧化硅（F.SiO2）通常存在于晶體表面，大都是由于冶煉碳化硅電阻爐冷卻過(guò)程中，碳化硅氧化而形成。 碳化硅生產(chǎn)工藝：原料破碎配料&混料：采用錘式破碎機(jī)對(duì)石油焦破碎到工藝要求的粒徑。按照規(guī)定配方稱量配料并混勻，采用混凝土攪拌機(jī)對(duì)石油焦和石英砂混料作業(yè)。電爐準(zhǔn)備：把上次用過(guò)的爐重新修整、整理,以再次投入使用。作業(yè)內(nèi)容包括潔理爐底料,修整電極,清理爐墻并修補(bǔ),去裝力、1擋, 檢查、排除爐的其他缺陷。裝爐：按照規(guī)定的爐料類別、部位、尺寸往爐內(nèi)裝填反應(yīng)料、保溫料、爐芯材料,并砌筑具有保溫和盛料作用的熔煉爐側(cè)墻送電冶...
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由全球半導(dǎo)體協(xié)會(huì)中國(guó)委員會(huì)主辦的全球規(guī)模最大、規(guī)格最高的半導(dǎo)體展SEMICON/FPD China 2017 國(guó)際半導(dǎo)體展3月14-16日在上海舉辦。這是全球半導(dǎo)體業(yè)界連續(xù)六年規(guī)格最高、規(guī)模最大的“嘉年華”，近900家展商在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)與逾6萬(wàn)名專業(yè)觀眾互動(dòng)。華林科納半導(dǎo)體CSE在此次展會(huì)參展的產(chǎn)品吸引了很多客戶前來(lái)觀展。
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濕法蝕刻仍被廣泛地應(yīng)用于當(dāng)今集成電路制造領(lǐng)域,因其工藝可精確控制薄膜的去除量以及工藝過(guò)程中對(duì)原材料的損耗較低,在今后很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)其地位將無(wú)法被取代。 隨著工藝尺寸的不斷縮小,器件可靠性變得越來(lái)越重要,但濕法蝕刻均勻性卻逐漸成為提高器件可靠性的一個(gè)瓶頸。集成電路工藝技術(shù)正進(jìn)一步向大尺寸晶圓和小尺寸單個(gè)器件的方向發(fā)展,如何持續(xù)保持和提高濕法蝕刻的均勻性是集成電路工藝技術(shù)研究中的一個(gè)熱點(diǎn)。 濕法刻蝕的設(shè)備目前主要有槽式刻蝕機(jī)和單片刻蝕機(jī)兩種,槽式刻蝕機(jī)采用浸沒(méi)式處理,刻蝕反應(yīng)時(shí)硅片完全浸沒(méi)在藥液槽中,表面較均勻,所以其刻蝕均勻性也較好。 單片刻蝕機(jī)采取噴灑式工藝,由于硅片表面的藥液層厚度較難控制,所以其刻蝕均勻性相對(duì)較差。研究發(fā)現(xiàn),低刻蝕率化學(xué)藥液的均勻性比高刻蝕率藥液好,原因是刻蝕率低的藥液反應(yīng)劇烈程度小,所以容易得到較均勻的表面.在影響濕法刻蝕均勻性的關(guān)鍵因素方面,對(duì)于槽式刻蝕機(jī),硅片進(jìn)出藥液槽的時(shí)間以及硅片從藥液槽到純水槽的傳送速度很關(guān)鍵；對(duì)于單片式刻蝕機(jī),硅片的自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速和噴灑頭的運(yùn)動(dòng)速度對(duì)刻蝕率均勻性影響很大。去離子水清洗方面,加入噴淋和快速排水功能有助于防止二次蝕刻,從而達(dá)到提高刻蝕均勻性的目的。&...
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