作為中國光伏行業(yè)主流媒體的MPV《現(xiàn)代光伏》雜志和全球太陽能光伏網(wǎng)在金秋欲交給行業(yè)一份不同的答卷?！癙V TOP 50”自2010年開展以來，一直得到業(yè)內(nèi)的積極參與和支持，已經(jīng)成功地舉辦了四屆。2014年度評(píng)選最終榜單于2014年12月18日發(fā)布，并舉行頒獎(jiǎng)典禮。活動(dòng)始終堅(jiān)持公開、公正、公平的評(píng)選原則，評(píng)審組委會(huì)成員來自國家政府、權(quán)威光伏行業(yè)學(xué)、協(xié)會(huì)的專家學(xué)者。為了提高活動(dòng)的透明度和規(guī)范性，評(píng)選設(shè)置了公眾投票和專家評(píng)審環(huán)節(jié)，整合參選標(biāo)準(zhǔn)、提高評(píng)選獎(jiǎng)項(xiàng)含金量。多家行業(yè)媒體對(duì)此次評(píng)選進(jìn)行全面報(bào)道，多方位的報(bào)道和推廣了CSE蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司。
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料摘要FeCl3·6H2O用于單晶ZnO薄膜的濕法刻蝕。該方法對(duì)抑制酸蝕氧化鋅薄膜時(shí)通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。正如觸針輪廓儀和掃描電子顯微鏡所證實(shí)的那樣，在廣泛的蝕刻速率范圍內(nèi)獲得了“U”形輪廓和光滑的表面形態(tài)。據(jù)推測，由 X 射線光電子光譜檢測到的鐵沉積是形成合適的溶液流體力學(xué)參數(shù)的原因。通過超聲波處理可以輕松去除沉積層，這使得該過程易于控制。這些結(jié)果表明，該方法有望用于加工基于 ZnO 的光電器件。 關(guān)鍵詞：蝕刻，X射線光電子能譜，深度剖析，氧化鋅 介紹近年來，ZnO 單晶薄膜引起了極大的關(guān)注，主要是因?yàn)樗闹苯訉拵叮▇ 3.4 eV）、大的自由激子結(jié)合能（~ 60 meV），因此其在短波長光電解耦中的應(yīng)用前景廣闊。在這些器件的制造中，例如發(fā)光二極管 (LED) 和激光二極管，臺(tái)面蝕刻方法起著重要作用。濕化學(xué)蝕刻的可能性是 ZnO 相對(duì)于另一種寬帶隙半導(dǎo)體 GaN 的根本優(yōu)勢。各種各樣的 蝕刻劑如 HCl、HNO3、H3PO4 或 H3PO4/HAc/H2O 已用于 ZnO 的濕化學(xué)蝕刻 。在他們的研究中，一種特殊的酸被用作蝕刻劑。其機(jī)理是氧化鋅在酸溶液中反應(yīng)生成溶于水的鋅鹽，從而制成蝕刻圖案。然而，在酸蝕刻過程中觀察到的“W”形蝕刻輪廓。使器件具有開路，這阻礙了酸蝕刻劑在 ZnO 器件制...
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半導(dǎo)體族群6月營收回溫，第3季產(chǎn)業(yè)能見度轉(zhuǎn)趨明朗，國內(nèi)晶圓龍頭臺(tái)積電第2季財(cái)報(bào)繳出優(yōu)于預(yù)期成績，第3季展望樂觀且調(diào)高全年資本支出，半導(dǎo)體設(shè)備族群喜出望外，漢微科（3658）、盟立（2464）、京鼎（3413）、弘塑（3131）、辛耘（3583）、家登（3680）、漢唐（2404）等第3季業(yè)績可望逐月回升。6月SEMI北美半導(dǎo)體設(shè)備B／B值在1.0，已連續(xù)第7個(gè)月站上1以上水準(zhǔn)，其中訂單金額連續(xù)3個(gè)月走高至5月的17.49億美元，且較去年同期成長13.1%，隱含未來3至6個(gè)月設(shè)備出貨展望正向，而設(shè)備出貨金額亦連續(xù)2個(gè)月增加至5月的16.01億元，顯示半導(dǎo)體資本支出維持?jǐn)U張。半導(dǎo)體設(shè)備族群業(yè)績風(fēng)向球臺(tái)積電，第2季業(yè)績表現(xiàn)優(yōu)于法人預(yù)期，第3季營收2,540至2,570億元，季增14.51%至15.86%；毛利率預(yù)估50%至52%，營益率39.5%至41.5%優(yōu)于市場預(yù)估。今年資本支出由原訂90億至100億美元，上調(diào)為95億至105億美元，創(chuàng)下臺(tái)積電歷年新高紀(jì)錄，外資法人甚至預(yù)估隨著臺(tái)積電加快在7奈米及5奈米布建腳步，明年資本支出有機(jī)會(huì)再創(chuàng)新高，半導(dǎo)體設(shè)備雨露均沾。股后漢微科出嫁ASML將第4季下市，第3季展望可望隨著臺(tái)積電基本面好轉(zhuǎn)有所起色，但另一隱憂是大客戶之一英特爾上季財(cái)報(bào)及本季財(cái)測目標(biāo)不如預(yù)期，其中金雞母部門資料中心成長趨緩，是否影響漢微科設(shè)備出貨狀況尚待觀察。而近期才接獲臺(tái)積電1...
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---華林科納CSE 小編隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展、集成度的不斷提高、線寬的不斷減小，對(duì)硅片表面的潔凈度及表面態(tài)的要求也越來越高。要得到高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件，僅僅除去硅片表面的沾污已不再是最終的要求。在清洗過程中造成的表面化學(xué)態(tài)、氧化膜厚度、表面粗糙度等已成為同樣重要的參數(shù)。目前，通常應(yīng)用的清洗方法是濕式化學(xué)清洗法，蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司（CSE）多年經(jīng)驗(yàn)專注于半導(dǎo)體濕式清洗工藝解決方案。即利用有機(jī)溶劑、堿性溶液、酸性溶液、表面活性劑等化學(xué)試劑，配合兆聲、超聲、加熱等物理措施，使有機(jī)物、顆粒、金屬等沾污脫離硅片表面，然后用大量的去離子水沖洗，獲得潔凈的硅片表面的清洗方法。沉積在硅片表面的粒子、金屬、有機(jī)物、濕氣分子和自然氧化膜的一種或幾種而形成了硅片表面沾污；因?yàn)橛袡C(jī)物會(huì)遮蓋部分硅片表面，使氧化層和與之相關(guān)的沾污難以去除。 在濕式清洗工藝中，硅片表面都有一層化學(xué)氧化膜，這層氧化膜是主要的沾污源。如果沒有這層氧化膜可大大降低金屬、有機(jī)物等沾污?？捎肏F清洗或簡化常規(guī)工藝后最后用HF清洗，可通過降低與周圍環(huán)境的接觸來獲得一個(gè)理想的鈍化表面，減少顆粒吸附在敏感的疏水性表面上。這就對(duì)清洗工藝設(shè)備提出了多方面的要求。目前華林科納半導(dǎo)體設(shè)備公司（CSE）的清洗設(shè)備，則是將所有的清洗工藝步驟（清洗和干燥）結(jié)合在一個(gè)工藝槽中，大大地減少了硅片與空氣的接觸。將HF作為最后一道清...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料摘要本文簡要概述了面臨的挑戰(zhàn)晶圓清洗技術(shù)正面臨著先進(jìn)的silicon技術(shù)向非平面器件方向發(fā)展結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體改性清洗的需要， 除了硅。 在前一種情況下，關(guān)鍵問題是相關(guān)的 用于下一代CMOS柵極結(jié)構(gòu)以及深3D幾何圖形的垂直表面的清潔和調(diào)理MEMS設(shè)備這些問題加速的步伐除硅以外的半導(dǎo)體正在被引進(jìn)主流制造業(yè)需要發(fā)展特定材料的晶圓清洗技術(shù)。 考慮與每個(gè)挑戰(zhàn)相關(guān)的問題。 關(guān)鍵詞: III-V化合物FinFET集成電路制造 ，MEMS, MOS柵極堆棧，半導(dǎo)體清洗 介紹晶片清洗是最常用的加工方法 ，這也是進(jìn)軍高端硅集成電路制造領(lǐng)域。 因此，化學(xué)的測試和執(zhí)行Si的清洗操作是非常重要的。建立良好的和支持多年的廣泛研究，以及重要的工業(yè)工具基地。因此，硅清潔技術(shù)是迄今為止在所有具有實(shí)際重要性的半導(dǎo)體中最真實(shí)的技術(shù)。 第一個(gè)完整的，基于科學(xué)考慮的清潔配方專門設(shè)計(jì)來清除Si表面 提出了顆粒、金屬和有機(jī)污染物在1970年。 從那時(shí)起，硅清潔技術(shù)就被經(jīng)歷著持續(xù)的進(jìn)化變化。 然而令人驚訝的是，最先進(jìn)的硅清潔仍大致依靠同樣的化學(xué)溶液，只是它們的方式不同準(zhǔn)備和交付到晶圓，是非常不同的這是最初提議的。 另外，選擇曲面?zhèn)鹘y(tǒng)上由濕式清潔化學(xué)物質(zhì)形成的調(diào)節(jié)功能。然而，和現(xiàn)在一樣先進(jìn)的是硅清...
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![電鍍技術(shù)在《中國制造2025》十大重點(diǎn)領(lǐng)域的應(yīng)用]( "電鍍技術(shù)在《中國制造2025》十大重點(diǎn)領(lǐng)域的應(yīng)用")
中共十八屆五中全會(huì)指出，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)新體系，加快建設(shè)制造強(qiáng)國，實(shí)施《中國制造2025》，將以信息化與工業(yè)化深度融合為主線，推進(jìn)智能制造、綠色制造，借助品牌途徑向世界亮出“中國智造”新形象?！吨袊圃?025》戰(zhàn)略的實(shí)施，標(biāo)志著我國制造業(yè)由大變強(qiáng)序幕的拉開。高質(zhì)量是制造業(yè)強(qiáng)大的重要標(biāo)志之一，而以往我國在一些關(guān)鍵材料、零部件和核心系統(tǒng)上，質(zhì)量可靠性不高，長期依賴與出口，改變低水平、低附加值的制造業(yè)現(xiàn)狀，必須從質(zhì)量入手。而電鍍行業(yè)作為制造業(yè)的基礎(chǔ)工業(yè)，將對(duì)制造強(qiáng)國實(shí)現(xiàn)與否，具有基礎(chǔ)性的作用。在《中國制造2025》戰(zhàn)略中的十大重點(diǎn)領(lǐng)域：新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)、高檔數(shù)控機(jī)床和機(jī)器人、航空航天、海洋工程裝備及高技術(shù)船舶、先進(jìn)軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電力裝備、農(nóng)機(jī)裝備、新材料、生物醫(yī)藥及高性能醫(yī)療器械都對(duì)電鍍技術(shù)的依賴很大，需要電鍍工藝去保障或提升其性能品質(zhì)。下面就來看看電鍍技術(shù)在《中國制造2025》十大重點(diǎn)領(lǐng)域的應(yīng)用。(1)新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)對(duì)集成電路及專用設(shè)備、信息通訊設(shè)備、電子計(jì)算機(jī)等基礎(chǔ)設(shè)備依賴極大，需要電鍍技術(shù)來保證設(shè)備的穩(wěn)定性。其中高磷化學(xué)鍍鎳因其獨(dú)特的耐蝕性和耐磨性、穩(wěn)定的非磁性、高電阻率及耐熱等性能，在電子工業(yè)的應(yīng)用極其廣泛。(2)高檔數(shù)控機(jī)床和機(jī)器人目前，大多數(shù)的數(shù)控機(jī)床和機(jī)器人是采用金屬零件組建而成，需要接受高強(qiáng)度的重復(fù)動(dòng)作及高溫高壓的工作環(huán)境。電鍍技術(shù)有助...
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華林科納針對(duì)所有客戶提供專業(yè)、周到、全面的售后服務(wù)，銷售人員不僅經(jīng)常與客戶電話聯(lián)系，還會(huì)不定期上門回訪客戶。公司對(duì)每個(gè)銷售人員都有規(guī)定，每成交一個(gè)客戶都要定期的聯(lián)系回訪，以下是華林科納銷售人員近期對(duì)上海復(fù)旦大學(xué)的回訪情況。 在回訪過程中，回訪人員必須做到以下兩點(diǎn)：第一：將清洗設(shè)備經(jīng)常碰到的一些問題以及注意事項(xiàng)都提前告知客戶，并且講解處理方法，避免客戶在清洗產(chǎn)品的過程中遇到類似的情況不知如何處理，避免客戶遇到問題時(shí)手忙腳亂，同時(shí)能減小對(duì)工作進(jìn)度的影響，也可以確保設(shè)備的穩(wěn)定性。 第二：回訪客戶時(shí)，回訪人員在生產(chǎn)現(xiàn)場，可以仔細(xì)檢查設(shè)備的現(xiàn)場運(yùn)行情況，同時(shí)可以根據(jù)產(chǎn)品的清洗效果，分析設(shè)備是否運(yùn)行良好，若清洗效果不達(dá)標(biāo)，則可以現(xiàn)場分析原因，并制定合理的解決方案交予客戶。通過現(xiàn)場回訪，華林科納可以真正地幫客戶解決實(shí)際問題，保證了售后服務(wù)的效率和質(zhì)量，華林科納這樣的售后服務(wù)得到了所有客戶的一致認(rèn)可。有些我們?cè)谏a(chǎn)現(xiàn)場無法解決的問題，我們回訪的業(yè)務(wù)人員能第一時(shí)間的把這些問題詳細(xì)記錄下來帶回公司認(rèn)真研究及派專業(yè)的技術(shù)人員處理解決。
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掃碼添加微信，獲取更多濕法資料RCA 清潔工藝可去除硅晶片表面的污染物，從而可以進(jìn)行額外的濕法半導(dǎo)體制造步驟。該過程由兩個(gè)步驟組成，SC1 步驟去除有機(jī)化合物，SC2 步驟去除任何殘留的金屬殘留物或顆粒。專門的 濕式工作臺(tái)可 確保盡可能徹底地去除污染物和顆粒，并使硅晶片保持清潔。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，該設(shè)備小心地沖洗掉污染物并最大限度地減少對(duì)晶片的處理。自動(dòng)化可用于可靠且一致地復(fù)制過程參數(shù)。華林科納可以提供標(biāo)準(zhǔn)和定制的專業(yè)設(shè)備來執(zhí)行 RCA 清潔過程。1.RCA Clean SC1 去除大部分晶圓表面污染SC1 清潔步驟使用化學(xué)品溶解雜質(zhì)，同時(shí)不影響下面的硅表面。將晶片放置在含有等量 NH4OH（氫氧化銨）和 H2O2（過氧化氫）的溶液中，溶液為五份去離子水。將溶液加熱至約 75 攝氏度，并將晶片在溶液中放置 10 至 15 分鐘。有機(jī)殘留物被溶解并去除顆粒。在晶片上形成一層薄薄的氧化硅，并且有一些金屬離子和顆粒污染。2.RCA Clean SC2 去除金屬雜質(zhì)對(duì)于 SC2，將新清洗的晶片置于含有等量鹽酸和過氧化氫和五份去離子水中的浴中。確切的比率可能因應(yīng)用而異。將水浴加熱至約 75 攝氏度，晶片浸泡約 10 分鐘。該解決方案專門消除堿殘留物、金屬氫氧化物和其他金屬顆粒。晶圓現(xiàn)在完全干凈，沒有任何類型的顆粒。3.晶圓清洗設(shè)備必須具備專業(yè)功能我們需要專門的設(shè)備來有效地執(zhí)...
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“水桶理論”已是老生常談。企業(yè)要想做好、做強(qiáng)，必須從產(chǎn)品設(shè)計(jì)、價(jià)格政策、渠道建設(shè)、品牌培植、技術(shù)開發(fā)、財(cái)務(wù)監(jiān)控、隊(duì)伍培育、文化理念、戰(zhàn)略定位等各方面一一做到位才行。任何一個(gè)環(huán)節(jié)太薄弱都有可能導(dǎo)致企業(yè)的最終失敗。企業(yè)核心競爭力的大小往往取決于企業(yè)要素中最薄弱的環(huán)節(jié)。 在中國進(jìn)入市場經(jīng)濟(jì)的最初階段，市場還非常幼稚，競爭對(duì)手都非常幼嫩，不少企業(yè)借助某一個(gè)環(huán)節(jié)的運(yùn)作特色，攻城掠地，不斷取得驕人的戰(zhàn)績，這就使得不少企業(yè)和企業(yè)經(jīng)營者產(chǎn)生一種錯(cuò)覺，認(rèn)為某一環(huán)節(jié)的優(yōu)勢可以控制整個(gè)企業(yè)的命運(yùn)。也就是說，很多人把企業(yè)經(jīng)營管理中的必要條件看成是企業(yè)成功的充分條件了。 把必須做好的一部分當(dāng)成整個(gè)經(jīng)營管理系統(tǒng)的全部，勢必造成其中諸多環(huán)節(jié)被忽視、被省略，至少很多重要環(huán)節(jié)的方方面面做不細(xì)、做不透。這是指導(dǎo)思想上的錯(cuò)誤造成的細(xì)節(jié)差距。 比爾·蓋茨常常說，微軟距離破產(chǎn)永遠(yuǎn)只有18個(gè)月。從企業(yè)需要強(qiáng)調(diào)和重視管理細(xì)節(jié)的角度，我覺得企業(yè)稍大一點(diǎn)就存在此類風(fēng)險(xiǎn)。韓國的大宇700億美元不能說不大，但說倒閉也就倒閉了。因?yàn)槠髽I(yè)大，所以小事沒有人做；因?yàn)槭虑椴淮螅孕∈伦霾煌?。我愿意把工作中小事的失誤比作一只有危害的老鼠，老鼠多了，破壞力巨大。中國的老鼠數(shù)量據(jù)說是人口的3倍，1990年的數(shù)據(jù)：吃掉的糧食30億公斤，咬毀300萬畝森林和3億畝草原，咬傷至少10萬人；在東海讓海軍的艦載導(dǎo)彈發(fā)...
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華林科納FPD設(shè)備項(xiàng)目負(fù)責(zé)人—李豐博士表示，華林科納已經(jīng)具備了FPD設(shè)備與工藝整線配套能力，并與國內(nèi)某知名企業(yè)簽定戰(zhàn)略合作協(xié)議。近兩年，項(xiàng)目組在平板顯示行業(yè)光電方面進(jìn)行了顯示方案、光電控制、光電測量、光學(xué)鍍膜、光學(xué)膠合、器件產(chǎn)品、工藝工裝、工程試驗(yàn)等產(chǎn)業(yè)化研究，掌握了其核心技術(shù)，并取得多項(xiàng)相關(guān)專利，其中包括大尺寸LED背光模組和新型彩色濾光片，這兩個(gè)器件模組是液晶顯示面板部件及材料成本的60%左右。華林科納愿做FPD顯示設(shè)備國產(chǎn)化的領(lǐng)路人，不斷創(chuàng)新，積極進(jìn)取，為客戶提供一流的設(shè)備，先進(jìn)的工藝和完善的服務(wù)。
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