冷卻階段在注塑加工過程中起著至關(guān)重要的作用。在這一階段，剛剛成型的注塑件需要迅速冷卻固化，以便在較短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定的形狀和尺寸。為了確保產(chǎn)品質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率并降低生產(chǎn)成本，我們必須對冷卻階段進(jìn)行精確控制。 一、冷卻時(shí)間的控制 冷卻時(shí)間直接影響到注塑件的冷卻效果和生產(chǎn)周期。冷卻時(shí)間過短可能導(dǎo)致塑料無法充分冷卻固化，進(jìn)而影響產(chǎn)品尺寸精度和機(jī)械性能；而冷卻時(shí)間過長則會(huì)延長生產(chǎn)周期，降低生產(chǎn)效率。因此，根據(jù)塑料種類、模具設(shè)計(jì)和產(chǎn)品要求，精確計(jì)算和控制冷卻時(shí)間至關(guān)重要。 為了合理設(shè)定冷卻時(shí)間，需要充分了解所用塑料的冷卻速率和模具溫度等因素。對于不同塑料材料，其導(dǎo)熱性能和熱膨脹系數(shù)存在差異，因此需要分別進(jìn)行測試和調(diào)整。同時(shí)，模具溫度也會(huì)影響冷卻速率，因此需要根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)條件進(jìn)行合理設(shè)定。圖1 華林科納PFA注塑制品二、冷卻均勻性的優(yōu)化 冷卻均勻性是指注塑件各部位冷卻速度的一致性。在冷卻過程中，如果各部位冷卻速度不均勻，可能會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品出現(xiàn)收縮不均、內(nèi)應(yīng)力過大等問題。因此，優(yōu)化模具設(shè)計(jì)和改進(jìn)冷卻系統(tǒng)布局是提高冷卻均勻性的關(guān)鍵。 通過合理設(shè)計(jì)模具的冷卻水路，確保冷卻液在模具內(nèi)均勻流動(dòng)，可以有效提高冷卻均勻性。此外，采用適當(dāng)?shù)募訜岷捅卮胧?，控制模具溫度分布的均勻性，也是提高冷卻均勻性的重要手段。 三、溫度控制的精確性 在冷卻階...
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在流體系統(tǒng)中，閥門扮演著至關(guān)重要的角色，它們控制著流體的流動(dòng)、方向和流量。而流量系數(shù)（Cv）作為閥門的一個(gè)重要參數(shù)，對于系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性具有深遠(yuǎn)的影響。本文將深入探討閥門流量系數(shù)（Cv）在流體系統(tǒng)中的作用及其對系統(tǒng)性能的影響。 首先，我們來了解一下閥門流量系數(shù)（Cv）的基本概念。Cv值表示閥門在單位時(shí)間內(nèi)通過某一特定截面積的流體量，它是衡量閥門流通能力的關(guān)鍵指標(biāo)。Cv值的大小直接反映了閥門對流體流動(dòng)的阻礙作用，因此，它對于流體系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性具有重要影響。圖1 華林科納氣動(dòng)隔膜閥 一、流量控制與系統(tǒng)穩(wěn)定性 閥門流量系數(shù)（Cv）對流體系統(tǒng)的流量控制具有重要影響。在恒定的流體壓力下，Cv值越大，通過閥門的流量越大，這為精確控制流體流量提供了可能。通過合理選擇和調(diào)整閥門的Cv值，可以實(shí)現(xiàn)對流體流量的精確控制，從而確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。 此外，Cv值的大小也會(huì)影響流體系統(tǒng)的穩(wěn)定性。如果Cv值選擇不當(dāng)，可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)振蕩或不穩(wěn)定，進(jìn)而影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。因此，在設(shè)計(jì)和選擇流體系統(tǒng)時(shí)，需要充分考慮Cv值的影響，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 二、流體特性與閥門選擇 不同的流體具有不同的物理特性，如粘度、密度等。這些特性會(huì)對流體的流動(dòng)特性產(chǎn)生影響，進(jìn)而影響閥門流量系數(shù)（Cv）的大小。因此，在選擇閥門時(shí)，需要考慮流體的特性，以確保所選的閥門具有合...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級。對金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明，晶面是該晶格中唯一光滑的面，其他面可能只是因?yàn)楸砻嬷亟ǘ枪饣摹Ｍㄟ^這種方式，我們解釋了在方向上KOH：H20中的最小值。實(shí)驗(yàn)對HF：HN03溶液中接近的最小蝕刻率的形狀和從各向同異性向各向異性蝕刻的過渡進(jìn)行了兩個(gè)關(guān)鍵預(yù)測。結(jié)果與理論結(jié)果一致。 介紹 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級。對金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明，晶面是該晶格中唯一光滑的面，其他面可能只是因?yàn)楸砻嬷亟ǘ枪饣摹Ｍㄟ^這種方式，我們解釋了在方向上KOH：H20中的最小值。實(shí)驗(yàn)對HF：HN03溶液中接近的最小蝕刻率的形狀和從各向同異性向各向異性蝕刻的過渡進(jìn)行了兩個(gè)關(guān)鍵預(yù)測。結(jié)果與理論結(jié)果一致。 在本文中，我們添加了一些新的實(shí)驗(yàn)結(jié)果來支持這里給出的觀點(diǎn)。特別是，我們更詳細(xì)地研究了氫氧化鉀蝕刻硅蝕刻酸對接近方向的晶體方向的依賴性，并研究了HF：HN03：...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 目前的硅基技術(shù)要求萬億分之幾(PPT)范圍內(nèi)的表面污染容限，要求烘烤溫度低于800℃的硅外延等工藝的較低熱預(yù)算，以及每次清洗的硅消耗量低于0.1毫米。 這些新的限制現(xiàn)在可能會(huì)超過同類最佳制造清洗序列的能力。一些關(guān)鍵原因是: -其稀釋化學(xué)物質(zhì)的清潔效率，即使與萬億比特化學(xué)物質(zhì)的使用相結(jié)合，也可能無法滿足ppt污染要求， -需要原始穩(wěn)定的氫封端硅表面終端，以滿足許多熱處理的低熱預(yù)算要求， -按照ITRS路線圖的定義，使用過氧化物和基于臭氧的化學(xué)物質(zhì)，每次清潔消耗的硅量固有地超過0.1毫米。 清潔效率 制造環(huán)境中使用的大多數(shù)當(dāng)前濕法清洗工藝仍然用天然、化學(xué)氧化物層終止硅。這種天然或化學(xué)氧化物是清洗后污染的主要部分。傳統(tǒng)的濕法清洗化學(xué)品如氫氧化銨、鹽酸、硫酸、氫氟酸和過氧化氫的凈化已經(jīng)投入了大量的努力。添加H2O2、HCl和醇也常用于dHF混合物中，以抑制污染。雖然這些可能是一些有效的補(bǔ)救措施，但這些混合物中的主要成分超純水(UPW)仍然含有溶解的雜質(zhì)，這些雜質(zhì)會(huì)滲入化學(xué)氧化物或在清洗后終止于硅表面。&...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 清洗工藝的作用是制備完整的硅表面，硅表面純度高，其條件是無顆粒、無金屬粘附、無有機(jī)污染、無水粘附、無天然氧化物、無粗糙度、全覆蓋氫終端、無電荷積聚。 當(dāng)前的濕表面清潔是在空氣中進(jìn)行的。在大氣中，氧很容易溶解到UPW(超純水)中，結(jié)果，晶片表面立即被氧化。如果表面被氧化，氫終端將丟失，結(jié)果，清洗后形成的柵氧化物的特性將被破壞。 為了避免晶片表面退化，需要在大氣中沒有氧氣的清洗系統(tǒng)。在本研究中，我們評估了能夠?qū)崿F(xiàn)低于10ppm的低氧濃度的清洗工藝。通過氮?dú)獯祾?。用紅外光譜和接觸角測量表面。為了評估低氧濃度的效果，測量水印的產(chǎn)生。實(shí)驗(yàn) 本實(shí)驗(yàn)中的晶圓類型為(100) 8-12歐姆·厘米。當(dāng)清洗后立即在空氣中進(jìn)行UPW清洗時(shí)，從2060到2160 cm-1 [2]的峰消失，并且觀察到在2250 cm-1附近氧化的硅的峰。由于通過UPW蝕刻硅而增加表面粗糙度，出現(xiàn)了峰的移動(dòng)。當(dāng)在低氧濃度下進(jìn)行UPW沖洗時(shí)，維持氫終止。據(jù)了解，在低氧濃度下漂洗時(shí)，表面幾乎沒有氧化硅。 雖然清洗后立即的接觸角約為78度，但與隨后在空氣中UPW漂洗8小時(shí)的接觸角變得...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 縮小特征尺寸的另一種選擇是增加集成電路(IC)封裝的密度和功能。模具尺寸和模具厚度已經(jīng)大大減少。 推動(dòng)薄模具需求的主要因素包括便攜式通信和計(jì)算設(shè)備、存儲(chǔ)卡、智能卡、以及CMOS圖像傳感器、混合、箔式柔性系統(tǒng)、led、MEMS、太陽能和電源設(shè)備。關(guān)鍵詞:化學(xué)減薄、蝕刻、應(yīng)力消除、波蝕、線性掃描、超薄晶片、處理、非接觸卡盤。介紹 研磨、拋光和稀釋技術(shù);以及將晶圓與載體結(jié)合以進(jìn)行處理、細(xì)化或加工的許多方法。因此，有一種新的化學(xué)稀釋技術(shù)，它可以將晶片稀釋到50µm或更少， 具有更好的均勻性，而且成本比傳統(tǒng)的稀釋更低。減薄和應(yīng)力消除 化學(xué)稀釋是消除亞表面損傷和減輕磨削和拋光留下的應(yīng)力的必要步驟?；瘜W(xué)稀釋也是一種替代拋光(磨削后)的方法。 圖2。材料去除均勻性(總厚度變化或TTV)典型的波蝕線性掃描減薄過程如上所示。在去掉75µm后，最終的厚度為112µm, TTV的范圍從4”晶片的±1.5µm到8”晶片的±2.5µm。 文章全部詳情，請加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料 隨著清潔和環(huán)境需求的增長，該行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的RCA清潔正慢慢地讓位于多種選擇可選擇的晶圓清洗選項(xiàng)列表。關(guān)鍵因素： 清洗設(shè)備的類型，其年代而它的原始成本是關(guān)鍵因素晶圓沾污量該公司的一個(gè)部門經(jīng)理例如，抽油煙機(jī)和再循環(huán)系統(tǒng)，”DePinto說。 “如果你如果你愿意花錢，這是可行的?！敝亟饘佟拔酃浮痹陲w利浦Semicanductors。 該公司以前加工100mm晶圓雙極模擬設(shè)備。 “我們首先要考慮的是去除沉重的負(fù)擔(dān)金屬和化學(xué)清潔 ’’ 工程師艾倫·默滕斯報(bào)道。兩步清洗： Werner Kern博士，當(dāng)時(shí)設(shè)計(jì)了RCA清潔，1965年RCA的使用，五年后公開審理。 這兩步清潔是一種氧化和絡(luò)合的治療。 它使用H202 - NHIOH和Hz02 - HC1水溶液在75-80°C下攪拌10分鐘。科恩說，從化學(xué)角度來說，它現(xiàn)在起作用了一個(gè)顧問，因?yàn)镠202在高pH值是一種強(qiáng)氧化劑，會(huì)破壞有機(jī)污染物，并分解了H20 + 02。 NH40H是強(qiáng)絡(luò)合劑對...
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VDMOS生產(chǎn)工藝基本結(jié)構(gòu)：?n+襯底，漏極D?n-外延層，漂移區(qū)?p阱（又叫p基區(qū)或體區(qū)）?n+源區(qū)，源極S?多晶硅柵，柵氧層，柵極G整個(gè)器件的構(gòu)成：?前述結(jié)構(gòu)實(shí)際只是器件的一個(gè)元胞，整個(gè)器件實(shí)際是由很多這樣的元胞并聯(lián)而成的?剖面圖 立體圖： 1、 原始硅片磨拋：原始硅片磨去40µm，拋光80µmN+535µm2、清洗，并且用顯微鏡檢查表面3、外延生長N-：ρ=20~30Ω·cm,d=45µm4、清洗5、氧化：dox=6500±250Å，800℃-1000℃-800℃6、一次版7、腐蝕，去膠，清洗腐蝕：溫度25℃8、P+擴(kuò)散預(yù)擴(kuò)：R□=80～100Ω/□?700℃-940℃-700℃主擴(kuò)：R□=150～180Ω/□?800℃-1150℃-800℃9、氧化10、光刻：二次版反刻P+區(qū)，5000pm11、腐蝕，(溫度25℃)t=8.1s12、去膠清洗13、柵氧化?dox=1000-1100Å?作C-V檢查?實(shí)測dox=1060-1050Å14、生長多晶硅7000ű200Å15、 清洗16、三次版：光刻P-區(qū)（多晶硅）三次版留下柵和互連的多晶硅（使多晶硅成為p型）17、腐蝕多晶硅（P-區(qū)），干腐：9'50'&#...
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清洗是工業(yè)生產(chǎn)必不可少的環(huán)節(jié)，目前工業(yè)清洗主要采用有機(jī)溶劑清洗和水溶液清洗。有機(jī)溶劑以揮發(fā)性溶劑（VOC)和含鹵素的氯氟爛（CFC)溶劑為主，每年全世界要用幾百萬噸，由此引起對臭氧層的破壞、對大氣環(huán)境的污染非常嚴(yán)重。1987年世界各國簽署的蒙特利爾公約已經(jīng)規(guī)定了這類溶劑的禁用日程表。水溶液清洗需要復(fù)雜的表面活性劑配方，干燥時(shí)間長，處理的金屬易于生銹，而且會(huì)形成二次污染，也必然要增加設(shè)備和處理費(fèi)用。因此，研究開發(fā)環(huán)境友好的清洗劑和清洗方法成為當(dāng)務(wù)之急。超臨界CO2(SCCO2)是一種可以代替VOC和CFC的清洗劑，具有一定的優(yōu)點(diǎn)。SCCO2對有機(jī)物有一定的溶解能力，清洗過程中對各種清洗材料性能穩(wěn)定，粘度低和擴(kuò)散性高，表面張力低，潤濕性良好，極易滲入待清洗材料內(nèi)部，可有效去除死區(qū)的污垢，清洗后無需干燥，無殘留。1 超臨界流體的特性超臨界流體是指物質(zhì)的溫度和壓力分別處在其臨界溫度和臨界壓力之上時(shí)的一種特殊的流體狀態(tài)。超臨界流體的密度為氣體的數(shù)百倍，接近于液體，粘度接近于氣體，擴(kuò)散系數(shù)大約為氣體的1%,而較液體大數(shù)百倍。一般來講，超臨界流體的密度越大，其溶解度就越大。在恒溫下，超臨界流體中物質(zhì)的溶解度隨壓力升高而增大。將溫度和壓力適當(dāng)變化，可使溶解度在102~103倍的范圍內(nèi)變化。超臨界流體的這一特性，會(huì)產(chǎn)生兩種十分有利的應(yīng)用效果：一方面，目標(biāo)物（如要清除的污染物等）會(huì)最大限度地溶解于超臨...
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