一、概述電阻器作為三大被動元器件之一，是電子電路中不可缺少的元件，而傳統(tǒng)直插的薄膜電阻器目前已經(jīng)逐漸的退出了舞臺，取而代之的是性能更加穩(wěn)定的片式薄膜電阻器。ＮiＣr 合金薄膜具有高電阻率、低溫飄、高精度、高穩(wěn)定等優(yōu)點，因此廣泛應用于制作精密薄膜電阻器。目前，行業(yè)內(nèi) ＮiＣr 合金薄膜的沉積主要方法有真空蒸發(fā)、氣相沉積、磁控濺射與離子濺射等。片式薄膜電阻的制造，是在平面磁控濺射下完成在三氧化二鋁陶瓷基片上的 ＮiＣr 膜沉積，然后通過光刻工藝來實現(xiàn)電阻圖形，因此研究 ＮiＣr 薄膜的沉積及濕法刻蝕對于片式薄膜電阻器的加工來說具有重要意義，本文通過使用掃描電子顯微鏡觀察不同濺射功率、濺射時間下的 ＮiＣr 膜層形貌，分析了濺射功率、濺射時間對濺射的影響，同時使用濕法刻蝕做出所需要的電阻圖形。二、NiCr 薄膜的沉積片式薄膜電阻器的 ＮiＣr 薄膜的沉積，采用平面磁控濺射技術，通過機械泵抽低真空，再通過低溫泵冷凝表面氣體繼續(xù)抽高真空，最終使得真空室內(nèi)達到 10-4 帕，充入反映氣體，一般使用高純氬氣。在陰極（濺射靶材）和陽極（三氧化二鋁陶瓷基片）之間施加一定電壓，電子在電場 E 的作用下，會向在陽極的基片運動，在這個運動過程中，電子與氬氣發(fā)生碰撞，形成輝光放電，從而使其產(chǎn)生 Ar＋和新的電子。Ar＋在電場的作用下加速向在陰極的 ＮiＣr 靶材運動，并以高能量撞擊 ＮiＣr 靶材表面，將一...
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一、主要生產(chǎn)設備 二、工藝流程簡述 2工藝流程簡述(1)清洗工序簡述在硅晶圓片加工過程中，幾乎每一道工藝進行前或完成后都必須要對硅晶圓片清洗以有效去除前一工序造成的污染，做到表面清潔，為下一工序創(chuàng)造條件。在進行前需預清洗的工藝有：氧化、光刻、擴散、化學氣相沉積、濺射等。在完成后需后清洗的工藝有：刻蝕、去膠、劃片。芯片清洗是完全清除芯片表面的塵埃顆粒、殘留的有機物和吸附在表面的金屬離子。本項目采用物理清洗和化學清洗內(nèi)種方式，同時也結(jié)合使用。物理清洗主要是利用去離子水對殘留物的物理沖刷作用來清除表面殘留物，主要方式有刷洗、淋洗、高壓水噴射流動水浸泡、高溫蒸汽、低溫噴激以及使用超聲波等?；瘜W清洗是利用清洗劑與殘留物的化學反應，形成易揮發(fā)或易溶解的產(chǎn)物來清除污染物，本項目采用的化學清洗介質(zhì)有無機酸堿清洗液、有機清洗液。對不同的去除對象，典型方式如下：去除有機污染物：H2SO4+H2O2(4:1)、丙酮、異丙醇；去除微塵和一些金屬雜質(zhì)：NH4OH+H2O2+H2O(1:1:5):去除氧化膜：HF+H2O(1:50)去除殘留清洗液：純水、高純水。芯片最主要的清洗方式是將芯片浸在液體槽內(nèi)或使用液體噴霧清洗，清洗工藝流程示意見圖7。清洗過程中，當高濃度清洗液難以滿足使用要求時，作為廢液收集處理；低濃度的清洗廢水排到廢水處理系統(tǒng)；較干凈的清洗排水檢測回用；部分清洗液揮...
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一、主要生產(chǎn)設備 二、工藝流程簡述 工藝流程簡述：(1)清洗外購的硅片（經(jīng)過拉單品、切割、研磨等）,需先經(jīng)清洗，除去沾污的硅片表面的金屬與油污。清洗的方法是：先用H2S04去除金屬雜質(zhì)，然后用有機溶劑(異丙醇、丙酮）去除油污，再用純水反復沖洗，以得到潔凈的硅片表面。清洗后的硅片用氮氣吹干后，送下道工序氧化。清洗工序貫穿于整個生產(chǎn)過程。清洗工藝與LED基片清洗工藝相同。(2)氧化氧化工藝是通過氧氣與硅發(fā)生反應，在硅片表面生成一層二氧化硅膜。原料硅片經(jīng)清洗吹干后，放入加熱反應爐，在高溫條件下，與氧氣作用，在上面生長一層Si02氧化層，起到器件保護和隔離、表面純化、柵氧電介質(zhì)、摻雜阻擋層等作用。(3)光刻光刻是集成電路芯片制造的核心工藝，光刻的本質(zhì)是要把臨時電路結(jié)構(gòu)復制到以后要進行蝕刻或離子注入的硅片上。光刻工藝按其先后順序主要分為氣相成底膜、勻膠、軟烘、曝光、曝光后烘焙、顯影、堅膜烘焙、顯影檢查這八個步驟，以上步驟都將在光刻區(qū)內(nèi)完成。清洗后的硅片先在表面均勻涂上一層光刻膠，光刻膠主要由對光與能量非常敏感的高分子聚合物和有機溶劑組成，前者是光刻膠的主體，主要成分為酚醛樹脂、丙二醇愁酯等，后者是光刻膠的介質(zhì)，主要成分為丙酮、丁酮等，由于光刻膠涂層很薄，為了使涂覆的光刻膠層絕對均勻，涂覆的方法是讓硅片旋轉(zhuǎn)，使光刻膠在其表面形成薄層。因而大量的光刻膠被離心力帶出...
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所謂Lift-Off工藝，即揭開一剝離工藝，是一種集成電路工藝，可以用來省略刻蝕步驟。圖1、普通光刻工藝示意圖我們先來看一下普通的光刻工藝（如圖1所示)：首先進行成膜，然后將涂布在基板上的光刻膠進行圖形化曝光，顯影除去曝光的光刻膠，接著進行刻蝕，最后將剩余光刻膠剝離，留在基板上的就是需要的成膜圖形。圖2、Lift-Off工藝示意圖然后看一下Lift-Off工藝（如圖2所示）：首先將涂布在基板上的光刻膠進行圖形化曝光，顯影除去曝光的光刻膠，然后進行成膜，最后將剩余光刻膠和上面的成膜一起剝離，剩余在基板上的就是需要的成膜圖形。Lift-Off工藝在理論上可以省掉刻蝕步驟，降低成本，但在顯示中卻并沒有被使用。這是因為半導體膜厚很低(納米級），圖形也很小(納米級)，可以通過剝離來揭掉，而顯示的膜厚很高（亞微米級)、圖形很大(微米級），會有殘留。免責聲明：文章來源于網(wǎng)絡，如有侵權請聯(lián)系本網(wǎng)站刪除。
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1理論分析化合物半導體器件絕大多數(shù)都是采用外延層做有源層,單晶做襯底。影響晶片表面質(zhì)量的拋光及拋光后表面的清洗處理成為影響外延質(zhì)量的重要因素。高質(zhì)量的免洗拋光片的表面應當具備以下要素:表面無顆粒、有機物、金屬離子沾污;表面氧化層必須能夠在高溫處理下完全去除;拋光片表面去除氧化層后必須平坦均一。微粒往往被認為是表面污染源的點源,表面顆粒會引起圖形缺陷、影響外延質(zhì)量布線的完整性以及鍵合強度和表層質(zhì)量。研究表明,當表面顆粒度小于10@013μm時,不會影響外延質(zhì)量。金屬離子沾污會破壞薄氧化層的完整性,增加漏電流密度,影響器件的穩(wěn)定性,增加暗電流,造成結(jié)構(gòu)缺陷或霧狀缺陷。Cu、Au、Fe等重金屬元素形成深能級而降低少數(shù)載流子的壽命,并產(chǎn)生晶格缺陷。因此,清除這些金屬雜質(zhì)是十分必要的。在晶片中,金屬離子污染物個數(shù)必須被控制在1010/cm2甚至更少。表面有機沾污容易使外延片表面出現(xiàn)白斑,蠟和有機試劑是重要的污染源,因此表面去蠟和去除有機試劑必須徹底。盡管拋光片包裝在惰性氣氛下,但晶片表面自然氧化層早已在包裝前形成。當外延生長溫度加熱到580℃以上時,GaAs晶片表面的自然氧化層便會自動分解去除。但當溫度高于450℃時,由于As2O3的揮發(fā),原來的Ga2O3和As2O3按化學計量比組成的混合物將變成純凈的Ga2O3。研究表明,在去除表面氧化層的過程中有揮發(fā)性的Ga2O的產(chǎn)生,反應過程為...
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一、主要生產(chǎn)設備 二、工藝流程簡述GaN基倒裝LED芯片制造流程包括清洗、光刻、刻蝕、PECVD、蒸鍍、退火、SiO2沉積、減薄研磨、劃裂、測試、分選和表面檢驗等。生產(chǎn)流程如圖2.2-1所示。(1)清洗：清洗工作是在不破壞外延片表面特性的前提下，有效的使用化學溶液清除外延片表面的各種殘留污染物。將外延片先經(jīng)過酸洗（硝酸）、超純水洗。酸洗槽20L,每批可酸洗4英寸外延片24片，通常酸洗56批次（即2天）更換一次酸洗液：以下各類無機和有機清洗槽尺寸和更換頻率同硝酸清洗槽。沖洗槽用純水沖洗，將其表面粘附的酸洗液沖洗干凈。本項目沖洗槽清洗方式為使用大量高純水對外延片進行沖洗清潔，沖洗次數(shù)為8遍，常溫。清洗干凈后再次經(jīng)過酸洗（硫酸和雙氧水混合液）、超純水洗等。清洗干凈后甩干并烘干后進入下一道工序。產(chǎn)污環(huán)節(jié)：無機清洗工序有G:氮氧化物、G2硫酸霧揮發(fā)，酸洗槽約兩天更換一次，產(chǎn)生S1廢硝酸和S2廢硫酸。水洗工序產(chǎn)生酸性廢水。(2)N區(qū)光刻：N區(qū)光刻及刻蝕主要是在外延片上制作出N電極圖形。光刻是通過光刻膠的感光性能，外延片表面涂膠后，在紫外光的照射下將光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移至外延片上，最終加工成所需要的產(chǎn)品圖形。包括涂膠、軟烤、曝光、顯影。1)涂膠、軟烤：涂敷光刻膠之前，將洗凈的外延片表面涂上附著性增強劑，可增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg...
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一、主要生產(chǎn)設備 二、工藝流程簡述工藝流程說明：(1)檢測：利用顯微鏡對襯底進行檢測，看有無雜質(zhì)。檢測合格的襯底進入下一工序。(2)沉積：①將藍寶石襯底放入由石英管和石墨基座組成的反應器中；②再按照NH3和H2比（5:95)通入NH3和H2混合氣體；③將載氣H2(N2保護）通入三甲（乙）基諒、三甲基鋼、三甲基鋁液體罐中將有機金屬蒸汽以及少量二環(huán)戊基鎂夾帶進反應器中，在密閉條件下進行金屬有機物化學沉積反應。主要沉積反應有：Ga(CH3)3+NH3→GaN+3CH4如果欲生長三元固溶體晶體，如Gaj-xAI,N時，可在反應系統(tǒng)中再通入三甲基鋁，反應式為：XAI(CH3)3+(1-x)Ga(CH3)3+NH3=Ga1-XAlxN+3CH4MOCVD的主要作用是在襯底上生長GaN、InGaN、InGaAIN單品膜。④反應廢氣處理：反應氣體中有機氣體（三甲（乙）基嫁、三甲基鋁、三甲基鋼）在高溫條件下絕大部分分解：氨氣有41%反應或分解（2NH3=N2+3H2),還有59%尚未完全分解，因此尾氣G6中含有大量氨氣，不能直接排放到大氣中，必須先進行回收處理。上述沉積過程按要求形成GaN、InCaN(或InGaAIN)雙層疊合膜⑤處延片清洗：將長晶后的外延片用H2SO4+雙氧水清洗后經(jīng)純水沖洗，清除表面附著的離子和有機物金屬。清洗后外延片在烘烤箱中烘干。本工序產(chǎn)生酸性清洗水W4、硫酸霧廢...
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一、主要生產(chǎn)設備 二、工藝流程簡述 (1)固晶：將LED芯片通過固晶機固定在底坐支架指定位置，此過程主要用到的材料為銀膠，主要設備為固晶機，此過程不產(chǎn)生污染物。(2)固晶檢驗：將固晶成品置放于顯微鏡下觀察，主要觀察晶體是否破碎完整、支架是否變形生銹等。此過程會產(chǎn)生不合格的固晶品（固廢）。(3)固晶烘烤：將檢驗合格的固晶品送至固晶烤箱室，對其進行烘烤，此過程主要用到的設備為固晶烤箱，此過程會產(chǎn)生少許的有機廢氣，在固晶烤箱室設置排氣扇，產(chǎn)生的少量廢氣通過排氣扇排出，因產(chǎn)生的廢氣量較少，固對環(huán)境影響較小。(4)焊線：人工將固晶好的支架加入金線，采用焊線機完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接工作。本項目使用的是超聲波焊，采用金線作為焊接材料。其主要原理為由發(fā)生器產(chǎn)生20KHz(或者15KHz)的高壓、高頻信號，通過換能系統(tǒng)，把信號轉(zhuǎn)換為高頻機械振動，加于工件上，通過工件表面及在分子間的摩擦而使傳遞到接口的溫度升高，當溫度達到此工件本身的熔點時，使工件接口迅速融化，繼而填充于接口間的空隙，當震動停止，工件同時早一定的壓力下冷卻定型，便達成完美的焊接。因此，焊線過程不會有粉塵產(chǎn)生，亦不會有焊渣產(chǎn)生。(5)焊線檢驗：在顯微鏡下檢驗金線是否斷線、芯片是否崩裂、金線是否殘留、焊墊是否脫落。此過程主要在顯微鏡下操作，此過程會產(chǎn)生不合格品（固廢）。(6)點膠：點膠機采用硅膠將LED芯片及線路封裝于...
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LED封裝資料整理一、主要生產(chǎn)設備 二、工藝流程簡述工藝流程說明：現(xiàn)有LED封裝生產(chǎn)線工藝流程如下：①固晶人工將芯片、膠水、支架采用固晶機進行固晶。本項目所用膠水為硅膠，其理化性質(zhì)穩(wěn)定，固晶在常溫下進行，不會有揮發(fā)性有機物產(chǎn)生。②焊線人工將固晶好的支架加入金線，采用焊線機完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接工作。本項目使用的是超聲波焊，采用金線作為焊接材料。其主要原理為由發(fā)生器產(chǎn)生20KHz(或15KHz)的高壓、高頻信號，通過換能系統(tǒng)，把信號轉(zhuǎn)換為高頻機械振動，加于工件上，通過工件表面及在分子間的磨擦而使傳遞到接口的溫度升高，當溫度達到此工件本身的熔點時，使工件接回迅速熔化，繼而填充于接日間的空隙，當震動停止，工件同時在一定的壓力下冷卻定形，便達成完美的焊接。因此，焊線過程不會有粉塵產(chǎn)生。該過程僅產(chǎn)生少量焊渣。3點膠人工將焊完線的支架、膠水、熒光粉采用點膠機固定。硅膠主要起固定作用，其理化性質(zhì)穩(wěn)定，點膠在常溫下進行，不會有揮發(fā)性有機物產(chǎn)生。④分光人工將點完膠的支架采用分光機對產(chǎn)品進行測試分光，將同一類顏色的產(chǎn)品測試出來進行分類。⑤編帶人工將分好類的產(chǎn)品采用編帶機對產(chǎn)品進行初步包裝，將產(chǎn)品至于面帶和載帶中間。⑥包裝入庫對產(chǎn)品進行通電檢測，合格產(chǎn)品進入最后一道工序包裝入庫；不合格產(chǎn)品進行返修。LED封裝生產(chǎn)工藝流程及污染源分布見下圖。 免責聲明：文章來源于網(wǎng)絡，如有侵權請聯(lián)系本...
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鐵電薄膜鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)具有較強的電光效應，自發(fā)極化以及在可見光和紅外范圍內(nèi)的高透過率]，是理想的電光器件材料。制作縱向PLZT電光器件需要透明導電薄膜作為它的上下電極。銦錫氧化物(ITO)薄膜具有電阻率低，透光性好，高溫穩(wěn)定性好及制備和圖形加工工藝簡單[3等諸多優(yōu)點[3]，是一種理想的透明電極材料。LengL1等在IT0／石英玻璃基底上制備出了電學光學性能優(yōu)良的PLZT鐵電薄膜，驗證了ITO作為PLZT的透明電極的可行性。制作PLZT鐵電薄膜光電子學和集成光學器件常需要ITO電極圖形化。常用的ITO薄膜微圖形化法包括濕法化學刻蝕和干法刻蝕(如超短激光脈沖刻蝕和CH／H：等離子刻蝕[7等)。干法刻蝕ITO薄膜具有圖形轉(zhuǎn)化精度高和各向異性好等優(yōu)點，但所需設備昂貴，刻蝕速率低，且易導致光刻膠掩膜的炭化而難去除；濕法刻蝕成本低，且刻蝕速率較快。但由于HF、HC1、HNO。、H2SO和H3PO都可能刻蝕PLZT薄膜J，往往刻蝕ITO時對PLZT薄膜也會刻蝕。因此，如何選擇刻蝕液配方和刻蝕條件，確保在ITO與PLZT薄膜間具有足夠大的刻蝕選擇性是研制基于PLZT薄膜的光電子器件和集成光學器件所面臨的問題。1實驗采用射頻磁控濺射法用組分為8／65／35(La／Zr／Ti)的PLZT陶瓷靶在玻璃基片上沉積PLZT薄膜，襯底溫度400℃，射頻功率密度0．58W／cm。，濺射氣氛V(Ar)：V...
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