一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡述 圖1IR-UFPA探測器生產(chǎn)流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)圖 圖2IR-UFPA探測器委托封裝生產(chǎn)流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)圖項目探測器生產(chǎn)及委托封裝工藝流程基本相同，區(qū)別僅是探測器生產(chǎn)過程總所需硅片及讀出電路外購，探測器委托封裝所需硅片及讀出電路均由客戶提供，本環(huán)評統(tǒng)一進行生產(chǎn)及封裝工藝流程簡述。(1)原材料外購根據(jù)項目產(chǎn)品生產(chǎn)需要，外購硅片（或客戶提供）、光刻膠、讀出電路電子組件、錯窗窗口等原輔材料備用。(2)硅片分割外購入項目的硅片為晶圓，采用劃片機將晶圓進行劃片之后，得到單片硅片，劃片過程中產(chǎn)生機械噪聲。(3)硅片背金生長硅片背金生長包括硅片北面氧化膜去除、清洗、硅片背面金屬生長三個部分探測器芯片背面氧化層去除可采用純物理的磨拋背減和化學腐蝕。磨拋背減是采用常規(guī)的磨拋，需對探測器芯片加壓，會對芯片物理結(jié)構(gòu)帶來損傷，導致芯片機械性能降低?；瘜W腐蝕是直接采用化學試劑對芯片北面進行腐蝕，不會對芯片結(jié)構(gòu)帶來物理損傷。本項目中采用化學腐蝕方式進行芯片北面氧化層去除?；瘜W方式包括干法腐蝕及濕法腐蝕兩種，濕法腐蝕是采用稀釋的氫氟酸完成氧化層去除，腐蝕過程中若不做好保護措施，可能會對芯片正面帶來損傷，干法腐蝕是采用電感精合等離子體設(shè)備進行氧化層去除。清洗采用干法清洗，即是采用輝光放電的方式進行清洗，輝光放電是指低壓氣體中顯示輝光的氣體放電現(xiàn)...
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一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡述 工藝說明：①第一次焊接：焊料使用預成型焊片，不含助焊劑，芯片和DBC在真空狀態(tài)下行焊接；②X-ray檢測空洞：使用X-ray檢測焊接空洞；③等離子體清洗：使用Ar等離子體對芯片表面進行清洗，以獲得清潔表面，增強后續(xù)綁線的可靠性；④鋁線鍵合：對芯片進行鋁絲綁線：⑤第二次焊接：焊料使用預成型焊片，不含助焊劑：銅底板和DBC在真空狀態(tài)下進行焊接；⑥涂密封膠和灌注硅凝膠：通過密封膠、外殼、硅膠等將模塊密封起來。IGBT的制造工藝：IGBT的制程正面和標準BCD的LDMOS沒差，只是背面比較難搞：1) 背面減?。阂话阋?~8mil，這個厚度很難磨了，容易碎片。2) 背面注入：都磨到6~8mil了，還要打High current P+ implant E14的dose，很容易碎片的，必須有專門的設(shè)備dedicate。甚至第四代有兩次Hi-current注入，更是挑戰(zhàn)極限了。3) 背面清洗：這個一般的SEZ就可以。4) 背面金屬化：這個只能用金屬蒸發(fā)工藝，Ti/Ni/Ag標準工藝。5) 背面Alloy：主要考慮wafer太薄了，容易翹曲碎片。免責聲明：文章來源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系本網(wǎng)站刪除。
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1 CMP后清洗技術(shù)及研究現(xiàn)狀清洗是利用物理、化學或機械作用的方法使吸附在表面的污染物解吸而離開物體表面的過程。物理方法是利用光、電、熱等物理作用使污染物獲得能量，通過自身的振動而脫離基體表面；化學方法則是利用清洗劑和污染物進行化學作用，使大分子污染物生成可溶于清洗劑的小分子物質(zhì)而脫離基體表面或破壞污染物與基體表面之間的鍵合作用而使之脫離；機械方法是利用摩擦等機械能作用，使表面吸附的顆粒等污染物脫離表面。在超光滑表面的清洗中，不同工件、不同工序?qū)Ρ砻媲鍧嵍鹊囊蟛煌?，必須針對不同的對象及目的采取不同的清洗方法，以滿足工藝對清潔度的要求[4]。目前超光滑表面清洗技術(shù)總體上可分為濕法和干法清洗。濕法清洗一直是晶片清洗技術(shù)的主流。它是利用溶劑、各種酸堿、表面活性劑和水的混合物通過腐蝕、溶解等化學反應(yīng)，結(jié)合一定的機械作用以去除晶片表面的沾污物。1.1 清洗方法與工藝技術(shù)目前常用的CMP后清洗的方法有浸泡、噴淋、擦洗、超聲波、兆聲波[5]等。其中浸泡、噴淋大多作為中間過程，不是單獨的清洗方法。擦洗是一種應(yīng)用廣泛、低廉、高效的接觸式清洗方式，是刷子和工件表面持續(xù)接觸的介于邊別到彈流潤滑的摩擦學過程，通過刷子與Si片表面的接觸力結(jié)合液力的拖曳力作用，去除Si片表面拋光過程中滲人的顆粒[6]J.M.Lim等人[7]發(fā)現(xiàn)擦洗可有效清除Si片表面上直徑大于0.2um粒子污染物，但對清除金屬離子、有機物...
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1Marangoni干燥機理分析：Marangoni干燥原理如圖1所示,晶片在IPA氣氛下與水分離（可通過晶片提拉或水慢排的方式實現(xiàn)）,完全分離后,流體慢排使花籃干燥，開啟排風將IPA蒸汽抽掉,同時通入氮氣吹干晶片表面殘留的IPA。 在IPA蒸汽存在的環(huán)境中，由于IPA的表面張力比水小得多（25℃,IPA表面張力為20.9×10-3N/m:水的表面張力為72.8×10-3N/m），所以會在坡狀水流表層形成表面張力梯度,產(chǎn)生Marangoni對流,使水更容易從晶片表面脫離。 圖1中的第2個步驟“晶片緩慢提拉”是Marangoni干燥的核心環(huán)節(jié).提拉過程中，晶片表面的水會呈坡狀流下，如圖2所示,如果兩片晶片距離很近（例如處在花籃的相鄰槽中）,這種坡狀水流會相連為彎月形[1].這種坡狀水流的最高點與晶片接觸，主要受到4種力的作用，即水的重力G，晶片/水的界面張力γls，晶片的表面張力γs和水的表面張力γl,θ為水與晶片的接觸角,如圖3所示。2實驗部分利用100mm（4英寸）硅拋光片進行IPA干燥,分兩組實驗，干燥后利用光散射測試系統(tǒng)檢測水痕缺陷。A組：分別在提拉速率1mm/s、2mm/s和3mm/s下進行不同IPA流量的Marangoni干燥，減壓排風階段氮氣流量80L/min。B組：提拉速率1mm/s、IPA流量20L/min下進行Marango...
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SiC單晶的清洗：SiC單晶的濕化學清洗法研究中，樣品的清洗和接觸角的測定在同一實驗室完成，有效避免樣品的再次污染；為防止清洗過程中的污染，清洗所用的容器均是定制的聚四氟乙烯（PTFE）器皿。實驗中嘗試了不同的濕化學清洗法，下面是主要清洗方法的流程：1、RCA清洗法：（1）將30mlH2SO4倒入聚四氟乙烯容器中，邊攪拌邊緩慢加入10mlH2O2，將SiC單晶樣品放入混合液中，恒溫加熱30min；（2）DI水沖洗3min，將樣品表面的混合液沖洗干凈，N2吹干；（3）將30mlDI水倒入聚四氟乙烯容器中，然后加入10mlNH3OH和10mlH2O2，將樣品放入混合液中，恒溫加熱20min；（4）DI水沖洗，N2吹干；（5）將30mlDI水倒入聚四氟乙烯容器中，然后加入10mlHCl和10mlH2O2。將樣品放入混合液中，恒溫加熱20min；（6）DI水沖洗，N2吹干。2、硫酸和雙氧水混合液（SPM）單步清洗法：（1）將30mlH2SO4倒入聚四氟乙烯容器中，然后邊攪拌邊緩慢加入10mlH2O2，將SiC單晶樣品放入混合液中，恒溫加熱30min；（2）DI水沖洗3min左右，將樣品表面的混合液沖洗干凈，N2吹干。3、實驗用清洗劑+SPM兩步清洗法：（1）用干凈的電動牙刷蘸取適量實驗用清洗劑刷洗SiC單晶樣品5min；（2）DI水沖洗3min，將樣品表面的清洗劑沖洗干凈；（3）將樣品置于...
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一、 紫外光表面清洗和改質(zhì)的工作原理：低壓紫外汞燈發(fā)射的雙波段短波紫外光照射到試件表面后，與有機污染物發(fā)生光敏氧化作用,不僅能去除污染物而且能改善表面的性能，從而提高物體表面的浸潤性和粘合強度，或者使材料表面得到穩(wěn)定的表面性能。根據(jù)不同需要，既可以對物體進行紫外光表面清洗，也可以進行紫外光表面改質(zhì)（或叫表面改善），紫外光表面清洗和改質(zhì)的機理有相同點，但也有區(qū)別。1.1紫外光清洗工作原理：VUV低壓紫外汞燈能同時發(fā)射波長254nm和185nm的紫外光，這兩種波長的光子能量可以直接打開和切斷有機物分子中的共價鍵，使有機物分子活化，分解成離子、游離態(tài)原子、受激分子等。與此同時，185nm波長紫外光的光能量能將空氣中的氧氣（O2）分解成臭氧（O3）:而254nm波長的紫外光的光能量能將O3分解成O2和活性氧（O），這個光敏氧化反應(yīng)過程是連續(xù)進行的，在這兩種短波紫外光的照射下，臭氧會不斷的生成和分解，活性氧原子就會不斷的生成，而且越來越多，由于活性氧原子（O）有強烈的氧化作用，與活化了的有機物（即碳氫化合物）分子發(fā)生氧化反應(yīng)，生成揮發(fā)性氣體（如CO2，CO，H2O，NO等）逸出物體表面，從而徹底清除了粘附在物體表面上的有機污染物。紫外光表面清洗原理表達式： 1.2紫外光改質(zhì)工作原理：低壓紫外汞燈發(fā)射的185nm和254nm波長的紫外光除有清洗去除物體表面的有機污染物的功能...
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半導體晶片清洗機，包括若干根支撐腿，支撐腿頂端共同固定連接有支撐平臺，所述支撐平臺內(nèi)部開設(shè)有第一空腔，第一空腔通過第一軟管與外界的引風機相連接，所述支撐平臺上表面均勻開設(shè)有若干第一通孔，且支撐平臺表面放置有半導體晶片；所述支撐腿側(cè)壁上固定連接有安裝座，安裝座上均固定連接有升降裝置，升降裝置的頂端固定連接有水平桿，兩根水平桿之間共同固定連接有圓板，圓板下側(cè)轉(zhuǎn)動連接有旋轉(zhuǎn)裝置，旋轉(zhuǎn)裝置的底端固定連接有清洗刷，清洗刷呈圓形，清洗刷內(nèi)部開設(shè)有第二空腔，第二空腔下側(cè)均勻開設(shè)有若干第二通孔，所述清洗刷下表面布置有刷毛，清洗刷上側(cè)開設(shè)有進水口:所述圓板上側(cè)放置有清洗水箱，清洗水箱通過第二軟管穿過圓板與旋轉(zhuǎn)裝置內(nèi)部相連通，第二軟管上設(shè)置有泵體。第一通孔直徑為0.5mm-1.5mm。升降裝置為電動推桿或液壓伸縮桿。旋轉(zhuǎn)裝置包括豎直套筒，豎直套筒底端與清洗刷上側(cè)固定連接，豎直套筒的頂端固定連接有圓環(huán)板；所述圓板下側(cè)開設(shè)有截面呈L型的環(huán)形懸掛凹槽，豎直套筒的頂部以及圓環(huán)板均位于環(huán)形懸掛凹槽內(nèi)部；所述豎直套筒的內(nèi)側(cè)壁上固定連接有齒圈，齒圈上嚙合有齒輪，齒輪上側(cè)固定連接有轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸穿過圓板向上延伸，且轉(zhuǎn)軸頂端與位于圓板上的電機輸出軸固定連接。豎直套筒的軸線與清洗刷的軸線相重合。轉(zhuǎn)軸與圓板的接觸處設(shè)置有軸承。第二通孔的直徑為2mm-4mm。進水口截面呈等腰梯形，且進水口的小端朝下設(shè)置。 圖1...
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超高壓清洗機設(shè)計一.高壓水沖毛機：高壓水沖毛機（清洗機）系用于混凝土澆筑施工中混凝土水平施工縫表面沖毛處理的專用機械，是高壓水射流技術(shù)在生產(chǎn)實際中的一種應(yīng)用。該機以清水作為工作介質(zhì)，自來水經(jīng)高壓泵加壓后，經(jīng)節(jié)流閥、噴槍、噴嘴，使高壓水變?yōu)楦咚偕淞鞔驌粲诨炷帘砻?。在高壓水流的沖蝕作用下，混凝土表面乳化皮層迅速剝落呈粗砂狀，從而達到表面處理要求。可用于電力、石油、化工、輕工等各工業(yè)部門的管道、管束內(nèi)外壁，容器與罐槽內(nèi)壁的清洗剝層；車輛、船舶、閘門及鋼質(zhì)設(shè)備的表面除銹、除脂；市政管道疏通、清洗；鑄件清理等工作。其驅(qū)動力有電機或內(nèi)燃機兩種方式，以供用戶選擇。二.混凝土沖毛·混凝土輸送帶的沖洗、噴霧、保濕·大型混凝土清除和剝離鋼筋·混凝土結(jié)構(gòu)的水清拆三.機型擴展其中，本機型可以擴展為表格中對應(yīng)的流量和壓力，以適用于不同行業(yè)的清洗。四.本機組成SL-10027型高壓水射流清洗機，本機包含01部套-調(diào)壓部套02部套-泵體部套03-柱塞筒部套04-壓力顯示部套05-傳動箱部套06-底架部套07-外罩部套08-潤滑冷卻部套09-電氣控制部套。1、進水系統(tǒng)–采用增壓泵進水，避免氣蝕現(xiàn)象的產(chǎn)生–采用高精密過濾器過濾，保證不會有任何雜質(zhì)進入泵體內(nèi)部；–大口徑管路，保證進水充分要求；–采用能量包分配形式進料，保證每個缸體的充分進料；–卡箍式易裝拆結(jié)構(gòu)，并且容易清洗；2、泵體系...
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1、適用范圍：六槽清洗機、八槽清洗機的腐蝕清洗的生產(chǎn)。 3、準備工作3.1、配制腐蝕液3.1.1、八槽清洗機按NaOH：H2O==100g:1L的比例的溶液注入第一槽，容量達到規(guī)定要求。按HNO3：HF：H2O：15g：150g：1L的比例的溶液分別注入四、五、六槽容量達到規(guī)定要求。3.1.2、六槽清洗機按HF：HN4F:H2O==40g:5g：1L的比例的溶液注入第一槽，容量達到規(guī)定要求。按HCL：H2O==100g：1L的比例的溶液注入第三槽，容量達到規(guī)定要求按HCLH2O==30g：1L的比例的溶液注入第四槽，容量達到規(guī)定要求3.2、確認各槽清洗溫度設(shè)定及分布正常。3.3、確認各槽清洗狀態(tài)正常各槽內(nèi)注入規(guī)定的溶液正確。3.4、確認各槽控制系統(tǒng)工作正常程序準確時間設(shè)定準確。3.5、確認氮氣流量為5L/min4、操作過程：4.1、確認投入作業(yè)的硅片的型號、批號、數(shù)量、工序。4.2、戴好一次性手套雙手將片子一片一片地插入片架內(nèi)。如果片子經(jīng)過超聲清洗過的片子就無需這樣做直接做下工序4.3、用雙手操作將插滿硅片的片架按順序平穩(wěn)地放入清洗花籃內(nèi)。4.4、用雙手將放有硅片的清洗花籃掛上機械手臂上。4.5、再檢查一遍運行程序正常符合工藝要求。按下“啟動”鍵程序開始運行。4.6、八槽清洗機運行時隨時查看運行狀況確保運行正常。4.7、程序運行結(jié)束設(shè)備報警提示。4.8、雙手操作取...
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㈠、目的和原理：利用氫氧化鈉對多晶硅腐蝕作用，去除硅片在多線切割鋸切片時產(chǎn)生的表面損傷層，同時利用氫氧化鈉對硅腐蝕的各向異性，爭取表面較低反射率較低的表面織構(gòu)。 解釋：①現(xiàn)有多晶硅片是由長方體晶錠在多線切割鋸切成一片片多晶 硅方片。由于切片是鋼絲在金剛砂溶液作用下多次往返削切成硅片金剛砂硬度很高會在硅片表面帶來一定的機械損傷。如果損傷不去除會影響太陽電池的填充因子。②氫氧化鈉俗稱燒堿，是在國民經(jīng)濟生產(chǎn)中大量應(yīng)用化工產(chǎn)品。由電解食鹽水而得，價格比較便宜，每500克6元?；瘜W反應(yīng)方程式為： 分析純氫氧化鋰、氫氧化鉀也可以與硅起反應(yīng)，但價格較貴。如氫氧化鋰每500克23元，用于鎘-鎳電池電解液中。③堿性腐蝕優(yōu)點是反應(yīng)生成物無毒，不污染空氣和環(huán)境。不像HF-HNO3酸性系統(tǒng)會生成有毒的NOx氣體污染大氣。另外，堿性系統(tǒng)與硅反應(yīng)，基本處于受控狀態(tài)。有利于大面積硅片的腐蝕，可以保證一定的平行度。 ㈡、步驟： 1. 本工藝步驟是施博士制定的，是可行的具有指導意義的兩步法堿腐蝕工藝。第一步粗拋光去掉硅片的損傷層。第二步細拋光，表面產(chǎn)生出部分反射率較低的織構(gòu)表面。如果含有[100]晶向的晶粒就可以長出金字塔體狀的絨面。第五步是通過鹽酸中和殘余的氫氧化鈉，化學反應(yīng)方程式為： 2. 第七步氫氟酸絡(luò)合掉硅片表面的二氧化硅層，化...
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