化學(xué)氣相沉積裝置有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置達(dá)成上述目的，其特征在于包括：腔室，提供對(duì)基板進(jìn)行處理的處理空間；氣體供給部，向腔室的內(nèi)部供給處理氣體；以及基板支撐部，配置于腔室的內(nèi)部，具備安裝基板的收容槽，對(duì)基板進(jìn)行加熱；且在收容槽的內(nèi)側(cè)形成有安裝基板的安裝部，在安裝部的邊緣與收容槽之間形成有中間槽。在基板安裝到安裝部的情況下，中間槽的寬度可被所述基板遮擋60％至95％。中間槽可形成為內(nèi)部的邊角具有棱角的形態(tài)。在此情況下，中間槽的寬度可為1mm至3mm。從安裝部的上表面測(cè)定的中間槽的深度可相對(duì)于從基板支撐部的上表面測(cè)定的中間槽的深度而為40％至80％。進(jìn)而，基板可沿圓形的圓周面而在至少一部分具備平面，收容槽具備從邊緣向內(nèi)側(cè)突出形成而防止基板旋轉(zhuǎn)的突出部。此時(shí)，基板的平面可與突出部接觸。在此情況下，基板的圓周面與平面接觸的角隅區(qū)域不與突出部接觸。突出部相對(duì)于安裝部的中心的圓周角度可相對(duì)小于基板的平面相對(duì)于安裝部的中心的圓周角度。進(jìn)而，能夠以可裝卸的方式配置突出部。基板支撐部可包括安裝基板并加熱的加熱器區(qū)塊，從加熱器區(qū)塊的底部向上部形成插入槽，在插入槽的內(nèi)側(cè)具備測(cè)定加熱器區(qū)塊的溫度的熱電偶。從加熱器區(qū)塊的底部測(cè)定的插入槽的高度可相對(duì)于加熱器區(qū)塊的高度而為60％至90％。發(fā)明效果根據(jù)具有上述構(gòu)成的，在基板支撐部的收容槽安裝基板的安裝部與收容槽的內(nèi)表面之間形成中間槽，由此引導(dǎo)如顆粒等的異物形成到...
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![MOCVD工藝]( "MOCVD工藝")
MOCVD工藝１反應(yīng)室流體力學(xué)模擬系統(tǒng)：反應(yīng)室流體力學(xué)模擬子系統(tǒng)包括３個(gè)部分：（1）有限差分網(wǎng)格的自動(dòng)剖分；（2）氣流傳輸方程的求解；（3）模擬結(jié)果的可視化處理，各部分的關(guān)系及功能如圖１所示，剖分模塊可對(duì)任何結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室按用戶(hù)要求進(jìn)行自動(dòng)有限差分網(wǎng)格剖分，并產(chǎn)生剖分文件供模擬模塊使用，模擬模塊對(duì)傳輸方程在現(xiàn)有網(wǎng)格上進(jìn)行快速求解，并存儲(chǔ)數(shù)據(jù)文件供顯示模塊使用，顯示模塊可以＝維填充或等值線(xiàn)方式顯示速度分布、壓力分布和溫度分布，并可打印輸出，亦可保存成圖像文件。 生長(zhǎng)高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜的前提條件是反應(yīng)室內(nèi)的氣流應(yīng)為層流，最佳反應(yīng)室結(jié)構(gòu)是指能夠產(chǎn)生層流分布的結(jié)構(gòu)，最佳結(jié)構(gòu)是相對(duì)的，與生長(zhǎng)條件密切相關(guān)這就要求設(shè)計(jì)人員必須根據(jù)生長(zhǎng)的材料系統(tǒng)及生長(zhǎng)條件來(lái)設(shè)計(jì)反應(yīng)室結(jié)構(gòu)，２化學(xué)反應(yīng)熱力學(xué)模擬系統(tǒng)：對(duì)于MOCVD系統(tǒng)，在一定條件下，當(dāng)反應(yīng)物的消耗速率及生成物的產(chǎn)生速率近似相等時(shí)，就可以認(rèn)為達(dá)到一種動(dòng)平衡，這時(shí)熱力學(xué)分析的相平衡理論就可以運(yùn)用于系統(tǒng)，通常進(jìn)行熱力學(xué)分析有兩種方法，一種是求解質(zhì)量作用方程組，可得到系統(tǒng)中各物種于平衡態(tài)時(shí)的濃度；另一種是以系統(tǒng)相平衡時(shí)自由能最小為判據(jù)，同樣可得到反應(yīng)后組分，后者更適于處理復(fù)雜的多元復(fù)相系統(tǒng)，在開(kāi)發(fā)熱力學(xué)模擬系統(tǒng)時(shí)我們采用了后者，將自由能最小原理推廣到多元復(fù)相系統(tǒng)，并將各種工藝參數(shù)對(duì)系統(tǒng)引起的物種分配變化，集成于一個(gè)模擬系統(tǒng)處理，采用目前比較先進(jìn)的VC...
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濾波器結(jié)構(gòu):所設(shè)計(jì)的并聯(lián)電感耦合波導(dǎo)濾波器采用了三諧振器電感膜片耦合的結(jié)構(gòu)如圖1所示。圖1濾波器結(jié)構(gòu)示意圖濾波器是四面封閉、兩端開(kāi)口的腔體結(jié)構(gòu)腔體內(nèi)部全部金屬化立體結(jié)構(gòu)如圖2所示。濾波器的設(shè)計(jì)尺寸為240mm×50mm×25mm頻率140GHz帶寬10GHz。圖2濾波器立體結(jié)構(gòu)示意圖濾波器工藝路線(xiàn):研制波導(dǎo)濾波器的工藝步驟如下(圖3)備片硅片厚800m。刻蝕掩模制備由于刻蝕深度達(dá)800m,刻蝕掩模需要使用厚度大于3m的氧化層或0.5m厚的鋁或鉻層。光刻:光刻腐蝕氧化層形成深槽刻蝕掩模。刻蝕:ICP刻蝕硅刻蝕深度800m將硅片刻蝕穿通。鍵合硅片去除刻蝕掩模后采用陽(yáng)極鍵合技術(shù)封閉濾波器的底面。金屬化濺射Au使硅結(jié)構(gòu)表面金屬化電鍍加厚金屬厚度3~8m。鍵合采用Au-Si共晶鍵合技術(shù)封閉濾波器的頂面,完成濾波器的芯片加工。劃片通過(guò)劃片工藝獲得設(shè)計(jì)外形尺寸的THz濾波器樣品。關(guān)鍵工藝技術(shù):THz濾波器要求刻蝕深度深、四面封閉、內(nèi)部金屬化等。相較一般的體微加工工藝有其特殊性和難度主要的關(guān)鍵工藝技術(shù)有硅深槽刻蝕、腔體內(nèi)部金屬化和三層鍵合工藝。硅深槽刻蝕技術(shù):采用等離子刻蝕機(jī)研究硅深槽刻蝕的兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題掩模的選擇和橫向腐蝕的控制。試驗(yàn)表明厚度大于3m的熱氧化硅或0.5m的金屬鋁或鉻膜可以滿(mǎn)足刻蝕硅通孔的要求同時(shí)深槽刻蝕需要提高刻蝕速率以滿(mǎn)足刻蝕800m硅通孔的要求。最終的工藝加...
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![LED濕法清洗設(shè)備]( "LED濕法清洗設(shè)備")
LED濕法清洗設(shè)備主要由供液機(jī)柜、供液源、輸送單元、輸送管路、電氣控制、排風(fēng)裝置、漏液檢測(cè)等部分組成。供液機(jī)柜:供液機(jī)柜通常由耐腐蝕的PP（聚丙烯）材料焊接而成，機(jī)柜上設(shè)有進(jìn)風(fēng)口及排風(fēng)裝置。排風(fēng)裝置除將酸、堿腐蝕氣體及時(shí)排出供液機(jī)柜外，還可以降低機(jī)柜內(nèi)揮發(fā)出的有機(jī)溶劑濃度，避免發(fā)生燃燒和爆炸。同時(shí)排風(fēng)口裝有風(fēng)壓檢測(cè)傳感器，當(dāng)廠(chǎng)務(wù)端排風(fēng)出現(xiàn)故障時(shí)，發(fā)出警報(bào)，以利維護(hù)人員及時(shí)處理。在供液機(jī)柜內(nèi)一般設(shè)計(jì)有滾輪機(jī)構(gòu)，方便更換供液桶。機(jī)柜內(nèi)設(shè)有水槍?zhuān)糜诟g液的沖洗。腐蝕區(qū)與供液泵、控制系統(tǒng)之間物理隔離，以避免電子元器件及金屬零件等被腐蝕。供液源:LED工藝線(xiàn)上供液源采用容積為20L的供液桶，供液桶為標(biāo)準(zhǔn)尺寸的耐腐蝕塑料桶，通常一種化學(xué)液配備兩只供液桶，兩只供液桶一用一備，交替進(jìn)行工作，實(shí)現(xiàn)不間斷供液。輸送系統(tǒng):化學(xué)液輸送方式分泵浦輸送和惰性氣體輸送。泵浦輸送是利用泵的壓力做動(dòng)力來(lái)輸送化學(xué)液，其特點(diǎn)是：化學(xué)液可進(jìn)行過(guò)濾處理，輸送產(chǎn)生脈動(dòng)較大，適用于長(zhǎng)距離輸送。惰性氣體輸送是利用氣體的壓力做動(dòng)力來(lái)輸送化學(xué)液。惰性氣體一般采用高純氮?dú)?。該方式的特點(diǎn)是：不易和化學(xué)液反應(yīng)，輸出流量小，需要壓力操作容器，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，易產(chǎn)生故障。CDS較多采用泵浦輸送方式。輸送系統(tǒng)包括供液泵、過(guò)濾器、流量計(jì)等。由于氣動(dòng)隔膜泵或氣動(dòng)風(fēng)囊泵采用壓縮空氣為動(dòng)力源，它的剪切力低、流量大、楊程高、工作中不產(chǎn)生火花、不產(chǎn)生熱量。因此...
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GaN芯片制造流程1. GaNITO芯片前道流程：1.1GaN芯片前道流程演示圖：2. GaNITO芯片后道流程：2.1. GaN芯片后道流程演示圖：免責(zé)聲明：文章來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，不代表本公司觀(guān)點(diǎn)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系作者刪除。
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HB法制備GaAs的工藝流程：①裝料：As量要比化學(xué)計(jì)算的量要稍多一些②加熱除去氧化膜Ga：高真空下，700℃，2hAs：高真空下，280℃，2h③用液氮或干冰將Ga凝固，撞破石英隔窗，將反應(yīng)管放入爐中④升溫：低溫爐617℃，高溫爐1250℃⑤移動(dòng)熔區(qū)合成好熔體⑥生長(zhǎng)單晶，⑦降溫：先將高溫區(qū)降至610℃，再同時(shí)降溫至室溫HB法優(yōu)缺點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備簡(jiǎn)單，生長(zhǎng)系統(tǒng)中溫度梯度小，可生長(zhǎng)低位錯(cuò)密度單晶缺點(diǎn)：①粘舟，產(chǎn)生缺陷生長(zhǎng)截面D形，加工成圓片材料損失②難以生長(zhǎng)非摻雜半絕緣GaAs單晶③難以生長(zhǎng)大直徑75mm液態(tài)密封法LEC、LEP：是對(duì)CZ技術(shù)的一項(xiàng)重大改進(jìn)基本原理：用一種惰性液體覆蓋著被拉制材料的熔體，生長(zhǎng)室內(nèi)充入惰性氣體，使其壓力大于熔體的離解壓力，以抑制熔體中揮發(fā)性組元的蒸發(fā)損失，這樣就可按通常CZ技術(shù)拉制單晶液態(tài)密封法中所用覆蓋劑應(yīng)滿(mǎn)足條件：1.密度小于拉制材料2.對(duì)熔體和坩堝在化學(xué)上必須是惰性的，而且熔體中溶解度小3.熔點(diǎn)低于被拉制材料熔點(diǎn)，且蒸汽壓低，易去掉4.有較高純度，熔融狀態(tài)下透明B2O3滿(mǎn)足上述要求LEC法生長(zhǎng)GaSb熔點(diǎn)低，用1:1KCl+NaCl作覆蓋劑LEC法工藝流程：1.裝料：一石英杯裝Ga，一石英安瓶裝As，石英坩堝中裝B2O32.抽真空下，B2O3加熱脫水900-1000℃，Ga杯，As瓶烘烤除去氧化膜3.降溫至600-700℃，將Ga倒入坩堝內(nèi)沉沒(méi)在B...
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![功率器件分析儀]( "功率器件分析儀")
高功率模塊具備半導(dǎo)體功率器件的特性測(cè)試功能，主要通過(guò)PCI總線(xiàn)與主控機(jī)進(jìn)行通信，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體功率器件的電激勵(lì)功能和電測(cè)量功能。相關(guān)參數(shù)和指標(biāo)下：最大驅(qū)動(dòng)電壓：±200V最大驅(qū)動(dòng)電流：±1A最小驅(qū)動(dòng)電壓：±2V最小驅(qū)動(dòng)電流：±1nA電壓測(cè)量分辨率：2uV電流測(cè)量分辨率：10fA最大功率：20W由于高功率模塊對(duì)測(cè)試電壓和測(cè)試電流的分辨率要求很高，經(jīng)過(guò)理論計(jì)算最低需要18位AD。經(jīng)過(guò)了大量的理論研究和分析，并綜合考慮系統(tǒng)噪聲、AD的低端數(shù)據(jù)丟失等因素的影響，最終選擇了待測(cè)件的I-V曲線(xiàn)，用戶(hù)可以根據(jù)I-V曲線(xiàn)了解待測(cè)件的相關(guān)電氣特性。在進(jìn)行半導(dǎo)體功率器件參數(shù)測(cè)試過(guò)程中，必須保證程控恒壓源、恒流源的高度穩(wěn)定性。為此，高功率模塊采用了雙控制環(huán)路的方法，使用FPGA[3]控制，實(shí)現(xiàn)恒壓源或恒流源的穩(wěn)定輸出。當(dāng)采用恒壓源作為半導(dǎo)體功率器件激勵(lì)源時(shí)，恒流負(fù)反饋控制環(huán)路處于關(guān)閉狀態(tài)，利用恒壓負(fù)反饋控制環(huán)路實(shí)現(xiàn)恒壓控制；相反，當(dāng)采用恒流源作為半導(dǎo)體功率器件激勵(lì)源時(shí)，恒壓負(fù)反饋控制環(huán)路處于關(guān)閉狀態(tài)，利用恒流負(fù)反饋控制環(huán)路實(shí)現(xiàn)恒流控制。其具體原理框圖如圖2所示。 全范圍大動(dòng)態(tài)控制調(diào)整及斜坡補(bǔ)償技術(shù)：高功率模塊開(kāi)關(guān)電源根據(jù)輸出電壓和負(fù)載變化，通過(guò)反饋閉環(huán)回路[4]調(diào)整開(kāi)關(guān)管的工作占空比實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓輸出，反饋閉環(huán)回路是否穩(wěn)定決定了高壓電源輸出電壓的穩(wěn)定度和工作的可...
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多量子阱層和電子阻擋層；在電子阻擋層上生長(zhǎng)高溫P型層，高溫P型層由多個(gè)周期的超晶格結(jié)構(gòu)組成，每個(gè)周期的超晶格結(jié)構(gòu)均包括InGaN層和BGaN層，InGaN層的生長(zhǎng)溫度小于BGaN層的生長(zhǎng)溫度，InGaN層的生長(zhǎng)壓力大于BGaN層的生長(zhǎng)壓力；在高溫P型層上生長(zhǎng)P型接觸層。InGaN層的生長(zhǎng)溫度為800～1000℃。BGaN層的生長(zhǎng)溫度為900～1100℃。InGaN層的生長(zhǎng)壓力為400～600torr。BGaN層的生長(zhǎng)壓力為100～200torr。InGaN層和BGaN層的厚度相等。高溫P型層的厚度為50～300nm。高溫P型層包括n個(gè)周期的InGaN/BGaN超晶格結(jié)構(gòu)，2≤n≤20。InGaN層為In x Ga 1-x N層，0BGaN層為B y Ga 1-y N層， 0 . 05 圖1圖2圖1是例提供的一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片的制造方法流程圖；圖2是例提供的另一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片的制造方法流程圖。圖1是例提供的一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片的制造方法流程圖，如圖1所示，該制造方法包括：襯底可以為藍(lán)寶石襯底。步驟102、在襯底上依次生長(zhǎng)低溫緩沖層、三維成核層、二維恢復(fù)層、未摻雜的GaN層、N型層、多量子阱層和電子阻擋層。 低溫緩沖層可以為GaN緩沖層，厚度為20～50nm。三維成核層可以為GaN層，厚度為400～60...
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![單面拋光機(jī)制作工藝]( "單面拋光機(jī)制作工藝")
單面拋光機(jī)制作工藝PG-510型單面拋光機(jī)的主要結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：PG-510型單面拋光機(jī)的結(jié)構(gòu)組成主要由拋光盤(pán)組件、拋光頭組件、拋光液流量控制系統(tǒng)、晶片純水沖洗系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、操作系統(tǒng)等組成。拋光盤(pán)組件的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：拋光盤(pán)組件主要包括拋光盤(pán)部件、主軸系統(tǒng)、拋光盤(pán)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、拋光盤(pán)溫度控制系統(tǒng)組成。PG-510型單面拋光機(jī)拋光盤(pán)組件的整體結(jié)構(gòu)如圖2所示:拋光盤(pán)組件是拋光機(jī)的核心部件，他的主要功能是拋光過(guò)程中帶動(dòng)粘貼在拋光盤(pán)表面的拋光墊作平穩(wěn)旋轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)CMP工藝過(guò)程中磨料對(duì)材料表面化學(xué)反應(yīng)物的磨削去除作用。拋光過(guò)程中，不同的階段對(duì)拋光盤(pán)的轉(zhuǎn)速要求也不盡相同，在拋光的初始階段，由于材料表面粗糙度較低，極易造成拋光墊的快速磨損和損傷，一般要求拋光盤(pán)要慢啟動(dòng)低轉(zhuǎn)速，而在拋光的中間過(guò)程，為了提高拋光效率達(dá)到較高的去除率，要求拋光盤(pán)的轉(zhuǎn)速相對(duì)較高，在拋光結(jié)束時(shí)為了防止納米級(jí)的拋光表面被劃傷，則要求拋光盤(pán)能夠?qū)崿F(xiàn)低轉(zhuǎn)速慢停止，整個(gè)拋光過(guò)程中拋光盤(pán)的速度曲線(xiàn)為梯形，如圖3所示。PG-510型單面拋光機(jī)的拋光盤(pán)驅(qū)動(dòng)采用變頻器與三相異步電機(jī)來(lái)完成，可實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)啟動(dòng)和停止的工藝要求，控制采用PLC模擬量加數(shù)字量控制，模擬量控制轉(zhuǎn)速，數(shù)字量控制方向，整個(gè)拋光過(guò)程中拋光盤(pán)的速度最多可分為十個(gè)階段，不同階段可設(shè)定不同轉(zhuǎn)速，整個(gè)過(guò)程中速度的變換由程序自動(dòng)控制完成。PG-510型單面拋光機(jī)拋光盤(pán)的速度控制范圍為：0~...
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低壓氣相淀積，是在27-270Pa的反應(yīng)壓力下進(jìn)行的化學(xué)氣相淀積。它的特點(diǎn)是：膜的質(zhì)量和均勻性好，產(chǎn)量高，成本低，易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。一般工藝流程：裝片——進(jìn)舟——對(duì)反應(yīng)室抽真空——檢查設(shè)備是否正?！銷(xiāo)2吹掃并升溫——再抽真空——保持壓力穩(wěn)定后開(kāi)始淀積——關(guān)閉所有工藝氣體，重新抽真空——回沖N2到常壓——出爐?；瘜W(xué)氣相沉積的制程，包含了熱的傳達(dá)、邊界層的擴(kuò)散(boundary-layerdiffusion)，吸附于基板表面，反應(yīng)物分解、表面擴(kuò)散、副產(chǎn)物脫離表面等許多步驟，所以有很多個(gè)參數(shù)會(huì)影響沉積作用，如反應(yīng)溫度、壓力、反應(yīng)物流量、晶片擺置的位置和反應(yīng)物的混合比例都是對(duì)是否能沉積出高品質(zhì)的薄膜非常重要的因素。因?yàn)樯鲜龅幕瘜W(xué)氣相沉積制程的幾個(gè)步驟是連續(xù)的，那個(gè)步驟是最慢的速率，將會(huì)決定此化學(xué)氣相沉積的速率，亦即是速率決定步驟。速率決定步驟，一般可分成兩大類(lèi)，一類(lèi)是氣相質(zhì)量輸運(yùn)(gas-phaseprocess)，另一類(lèi)是表面反應(yīng)(surfaceprocess)。對(duì)于氣相質(zhì)量輸運(yùn)最主要的考量點(diǎn)是反應(yīng)氣體撞擊到基板。這個(gè)模型要考慮氣體橫越過(guò)邊界層(boundary-layer)的速度。而此邊界層就是氣體大量流動(dòng)和基板表面之間的范圍。反應(yīng)物的傳輸過(guò)程是藉著氣相的擴(kuò)散來(lái)達(dá)成，而此氣相擴(kuò)散的速率，正比于擴(kuò)散系數(shù)和橫越此邊界層的的濃度梯度(concentrationgradient)。因此物質(zhì)傳...
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