根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，2018至2020年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)受到中美貿(mào)易摩擦、疫情等影響，整體市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)力不足致使成長(zhǎng)持續(xù)受到壓抑。然受到車用、工業(yè)與通訊需求助力，2021年第三代半導(dǎo)體成長(zhǎng)動(dòng)能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長(zhǎng)力道最為明顯，預(yù)估其今年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6,100萬(wàn)美元，年增率高達(dá)90.6%。TrendForce集邦咨詢進(jìn)一步表示，首先，預(yù)期疫苗問(wèn)世后疫情有所趨緩，進(jìn)而帶動(dòng)工業(yè)能源轉(zhuǎn)換所需零組件如逆變器、變頻器等，以及通訊基站需求回穩(wěn)；其次，隨著特斯拉（Tesla）Model 3電動(dòng)車逆變器逐漸改采SiC器件制程后，第三代半導(dǎo)體于車用市場(chǎng)逐漸備受重視；最后，中國(guó)政府為提升半導(dǎo)體自主化，今年提出十四五計(jì)劃投入巨額人民幣擴(kuò)大產(chǎn)能，上述都將成為推升2021年GaN及SiC等第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)的動(dòng)能。電動(dòng)車、工業(yè)及通訊需求回溫，帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體器件營(yíng)收上揚(yáng)觀察各類第三代半導(dǎo)體器件，GaN器件目前雖有部分晶圓制造代工廠如臺(tái)積電（TSMC）、世界先進(jìn)（VIS）等嘗試導(dǎo)入8英寸晶圓生產(chǎn)，然現(xiàn)行主力仍以6英寸為主。因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源傳輸?shù)刃枨笾鸩教嵘?，預(yù)期2021年通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8億和6,100萬(wàn)美元，年增30.8%及90.6%。其中，GaN功率器件年增最高的主因是手機(jī)品牌如小米（Xiaomi）、OPPO、Vi...
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1.1寬禁帶半導(dǎo)體的概念和發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。第二代半導(dǎo)體GaAs與Si相比除了禁帶寬度增大外，其電子遷移率與電子飽和速度分別是Si的6倍和2倍，因此其器件更適合高頻工作。GaAs場(chǎng)效應(yīng)管器件還具有噪聲低、效率高和線性度好的特點(diǎn)但相比第三代半導(dǎo)體GaN和SiC，它的熱導(dǎo)率和擊穿電場(chǎng)都不高，因此它的功率特性方面的表現(xiàn)不足。為了滿足無(wú)線通信、雷達(dá)等應(yīng)用對(duì)高頻率、寬禁帶、高效率、大功率器件的需要從二十世紀(jì)九十年代初開(kāi)始，化合物半導(dǎo)體電子器件的研究重心開(kāi)始轉(zhuǎn)向?qū)捊麕О雽?dǎo)體。我們一般把禁帶寬度大于2eV的半導(dǎo)體稱為寬禁帶半導(dǎo)體。寬禁帶半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)，在高溫、高頻、大功率、光電子及抗輻射等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。1.2主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料近年來(lái)，發(fā)展較好的寬禁帶半導(dǎo)體材料主要是SiC和GaN，其中SiC的發(fā)展更早一些，碳化硅、氮化鎵、硅以及砷化鎵的一些參數(shù)如下圖所示：如上圖所示，SiC和GaN的禁帶寬度遠(yuǎn)大于Si和GaAs，相應(yīng)的本征載流子濃度小于硅和砷化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體的最高工作溫度要...
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![芯片生產(chǎn)中所用的清洗設(shè)備]( "芯片生產(chǎn)中所用的清洗設(shè)備")
當(dāng)我們談?wù)撔酒a(chǎn)業(yè)時(shí)，首先想到的就是光刻、刻蝕、沉積、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）等工藝，在過(guò)去的一段時(shí)間內(nèi)，《每日財(cái)報(bào)》基本對(duì)這些環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)了覆蓋。今天要講的是一個(gè)看起來(lái)不起眼但同樣重要的環(huán)節(jié)——清洗。半導(dǎo)體清洗主要是為了去除芯片生產(chǎn)中產(chǎn)生的各種沾污雜質(zhì)，是芯片制造中步驟最多的工藝，幾乎貫穿整個(gè)作業(yè)流程。由于硅片的加工過(guò)程對(duì)潔凈度要求非常高，所有與硅片接觸的媒介都可能對(duì)硅片造成污染，硅片清洗的好壞對(duì)器件性能有嚴(yán)重的影響，因此幾乎每一步加工都需要清除沾污。在很多人看來(lái)，芯片生產(chǎn)中所用的清洗設(shè)備似乎并沒(méi)有什么技術(shù)門檻，也就沒(méi)有那么大的價(jià)值，但事實(shí)卻并非如此，芯片制造是一個(gè)極其復(fù)雜和精致的產(chǎn)業(yè)，任何一環(huán)出現(xiàn)問(wèn)題都會(huì)前功盡棄。在半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中，晶圓制造設(shè)備采購(gòu)大約占整體的80%，測(cè)試設(shè)備大約占9%，封裝設(shè)備大約占7%，其他設(shè)備大約占4%，同時(shí)清洗設(shè)備在晶圓制造設(shè)備中的采購(gòu)費(fèi)用占比約為6%，因此可以推算出清洗設(shè)備約占半導(dǎo)體設(shè)備投資的4.8%。1、芯片良率的“保鏢”芯片制造需要在無(wú)塵室中進(jìn)行，如果在制造過(guò)程中，有沾污現(xiàn)象，將影響芯片上器件的正常功能。據(jù)估計(jì)，80%的芯片電學(xué)失效都是由沾污帶來(lái)的缺陷引起的。沾污雜質(zhì)是指半導(dǎo)體制造過(guò)程中引入的任何危害芯片成品率及電學(xué)性能的物質(zhì)，具體的沾污包括顆粒、有機(jī)物、金屬和自然氧化層等。一般來(lái)說(shuō)，工藝越精細(xì)對(duì)于控污的要求越高，而且難度越大，隨著半導(dǎo)體芯片...
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![一文看懂半導(dǎo)體關(guān)鍵材料]( "一文看懂半導(dǎo)體關(guān)鍵材料")
2018年下半年，受智能手機(jī)出貨量的下滑等因素影響，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了下行周期。不過(guò)隨著5G建設(shè)和車聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的發(fā)展，目前半導(dǎo)體市場(chǎng)正在回暖。我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)已超過(guò)萬(wàn)億規(guī)模，業(yè)已成為國(guó)家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。為此，為您全面介紹行業(yè)概況、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)、上游關(guān)鍵原材料、本行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及材料重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域。報(bào)告合集涵蓋高純?yōu)R射靶材、CMP材料、半導(dǎo)體硅片、電子氣體、封裝基板、光刻膠、光纖預(yù)制棒、濕電子化學(xué)品、半導(dǎo)體設(shè)備等九大市場(chǎng)0 1高純?yōu)R射靶材2017年全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)容量達(dá)132.5億美元（半導(dǎo)體領(lǐng)域占半導(dǎo)體晶圓制造材料市場(chǎng)3%左右），預(yù)計(jì)到2020年全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)200億美元。顯示、記錄媒體、太陽(yáng)能、半導(dǎo)體是顯示靶材四大應(yīng)用市場(chǎng)，面板市場(chǎng)最大，占市場(chǎng)35%，在中國(guó)這一比例超過(guò)50%。0 2CMP材料CMP化學(xué)機(jī)械拋光是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓全局均勻平坦化的關(guān)鍵工藝,用較軟的材料來(lái)進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。CMP拋光材料具有技術(shù)壁壘高，客戶認(rèn)證時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn)。全球芯片拋光液市場(chǎng)主要被在美國(guó)、日本、韓國(guó)企業(yè)所壟斷，占據(jù)全球90%以上的高端市場(chǎng)份額。0 3半導(dǎo)體硅片硅片也稱硅晶圓，是制造半導(dǎo)體芯片最重要的基本材料。2018-2022年硅片的需求繼續(xù)放大，勝高統(tǒng)計(jì)全球晶圓廠給出的總需求指引，其復(fù)合增長(zhǎng)率為9.7%（未統(tǒng)計(jì)中國(guó)新建廠）；SEMI 統(tǒng)計(jì)12寸硅片上半年累計(jì)漲...
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濕法刻蝕是化學(xué)清洗方法中的一種，是化學(xué)清洗在半導(dǎo)體制造行業(yè)中的應(yīng)用，是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源顯著的侵蝕，這層掩蔽膜用來(lái)在刻蝕中保護(hù)硅片上的特殊區(qū)域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域。從半導(dǎo)體制造業(yè)一開(kāi)始，濕法刻蝕就與硅片制造聯(lián)系在一起。雖然濕法刻蝕已經(jīng)逐步開(kāi)始被干法刻蝕所取代，但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應(yīng)用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比，濕法刻蝕的好處在于對(duì)下層材料具有高的選擇比，對(duì)器件不會(huì)帶來(lái)等離子體損傷，并且設(shè)備簡(jiǎn)單。1 濕法刻蝕及其應(yīng)用1.1濕法刻蝕濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，是利用合適的化學(xué)試劑先將未被光刻膠覆蓋的晶片部分分解，然后轉(zhuǎn)成可溶的化合物達(dá)到去除的目的。濕法刻蝕是刻蝕的一種方法,其他的有干刻蝕，等離子刻蝕等。濕法刻蝕這種刻蝕技術(shù)主要是借助腐蝕液和晶片材料的化學(xué)反應(yīng)，因此我們可以借助化學(xué)試劑的選取、配比以及溫度的控制等來(lái)達(dá)到合適的刻蝕速率和良好的刻蝕選擇比。1.2 濕法刻蝕的過(guò)程（1）反應(yīng)物擴(kuò)散到欲被刻蝕材料的表面；（2）反應(yīng)物與被刻蝕材料反應(yīng)；（3）反應(yīng)后的產(chǎn)物離開(kāi)刻蝕表面擴(kuò)散到溶液中，隨溶液被排出。在上述三步反應(yīng)中，進(jìn)行速度最慢的就是控制刻蝕速率的步驟，也就是說(shuō)，該步驟的進(jìn)行速率就是反應(yīng)速率...
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背景技術(shù)濾光片可以用來(lái)選取所需要輻射的波段，從而廣泛應(yīng)用于相機(jī)等光學(xué)儀器。濾光片在組裝時(shí)，需要使用UV膠將濾光片粘在鏡座上。操作時(shí)，先在濾光片表面點(diǎn)膠，膠水固化后即可將濾光片固定至鏡座。然而，由于膠水在鏡片的表面擴(kuò)散較快，膠水在固化前會(huì)溢出到濾光片的有效區(qū)域，從而影響成像質(zhì)量?；诖?，有必要提供一種可防止濾光片溢膠的濾光片表面處理方法。一種濾光片表面處理方法，包括以下步驟：將濾光片放入含有增稠劑和無(wú)機(jī)鹽的清洗液中浸泡；使用甩干機(jī)甩干所述濾光片，其中，所述增稠劑選自O(shè)ES液體增稠劑、瓜膠、阿拉伯膠及聚丙烯酸鈉中的至少一種，所述無(wú)機(jī)鹽選自氯化鈉、氯化鉀、氯化鎂及氯化鈣中的至少一種。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述清洗液中所述增稠劑的質(zhì)量濃度為30mg/L~500mg/L,所述無(wú)機(jī)鹽的質(zhì)量濃度為10mg/L~100mg/L。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述清洗液中還含有表面活性劑。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述清洗液中還含有陰離子表面活性劑或非離子表面活性劑。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陰離子表面活性劑為烷基磺酸鈉或脂肪醇硫硫酸納。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述清洗液由含有增稠劑和無(wú)機(jī)鹽的洗潔精與水混合形成，其中，所述水與所述洗潔精的體積比為1000:1.5~1000:1。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述甩干機(jī)的轉(zhuǎn)速為35轉(zhuǎn)/秒~50轉(zhuǎn)/秒。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述濾光片表面處理方法還包括步驟：在將濾光片放入有增稠劑和無(wú)機(jī)鹽的...
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隨著集成電路器件的納米化、高密度化、高集成度及多層金屬互連的進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)越來(lái)越先進(jìn)，對(duì)實(shí)際制造的多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)也提出了更多新的要求。器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜性，使得半導(dǎo)體器件對(duì)顆粒污染、雜質(zhì)濃度和數(shù)量越來(lái)越敏感。據(jù)2019年1月28日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電南科14廠發(fā)生一起不合格原料污染事故，預(yù)估損失上萬(wàn)片晶圓，受到影響的主要是16/12nm工藝。NVIDIA的GPU芯片、海思、聯(lián)發(fā)科的手機(jī)芯片以及一些ARM服務(wù)器處理器都使用了這一工藝，這也是臺(tái)積電的主要營(yíng)收來(lái)源之一。臺(tái)積電發(fā)生的污染源已被確認(rèn)，分別為前段刻蝕的鐵離子污染和光刻膠原材料污染。前段晶體管受到污染可能會(huì)導(dǎo)致器件發(fā)生不正常的漏電，進(jìn)而影響產(chǎn)品的良率、電學(xué)性能和可靠性。2019年2月15日，臺(tái)積電坦承，受到南科14廠污染事件影響，本季營(yíng)收將減少約5.5億美元。受到影響的客戶包括輝達(dá)、聯(lián)發(fā)科、海思和賽靈思等重量級(jí)客戶，其中輝達(dá)的投片量超過(guò)上萬(wàn)片。考慮到此次事故涉及的是相對(duì)先進(jìn)的16/12nm工藝，加上受到影響的股價(jià)大跌，臺(tái)積電的實(shí)際損失有可能超過(guò)了40億美元。如果再算上事故造成的停機(jī)以及產(chǎn)能和交付上的損失，則后果將更加慘重。 這一事件非常強(qiáng)烈地傳遞了這樣一個(gè)信號(hào)，隨著集成電路特征尺寸越來(lái)越小，半導(dǎo)體器件對(duì)生產(chǎn)工藝過(guò)程中的顆粒、有機(jī)殘留物、雜質(zhì)等污染物及濕法清洗的去除能力、缺陷控制、關(guān)鍵尺寸調(diào)控等的...
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紅外截止濾光片是一種允許可見(jiàn)光（400nm-700nm)透過(guò)，而截止或反射近紅外光(700nm-1100nm)的光學(xué)濾光片，廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)攝像頭、電腦攝像頭等數(shù)碼成像領(lǐng)域，在攝像鏡頭和CCD/CMOS圖像傳感器之間加上紅外截止濾光片，能濾去通過(guò)攝相鏡頭的高頻段光波，只讓一定范圍內(nèi)的低頻光波通過(guò)，從而有效地濾除紅外光波，消除其對(duì)CCD/CMOS成像的干擾，提高成像的分辨率和色彩還原性，使圖像清晰且穩(wěn)定。傳統(tǒng)的紅外截止濾光片是在白玻璃表面交替形成具有一定厚度的高折射率或低折射率的紅外截止膜，利用多層膜的干涉實(shí)現(xiàn)截止紅外光、透過(guò)可見(jiàn)光的功能。但這種紅外截止膜只考慮到可見(jiàn)光在垂直入射時(shí)的透過(guò)效果，而忽視了大角度入射時(shí)的透過(guò)率，并且在大角度入射時(shí)傳統(tǒng)紅外截止膜的波長(zhǎng)偏移會(huì)導(dǎo)致紅光部分的嚴(yán)重?fù)p失，成像質(zhì)量嚴(yán)重下降。另一種是藍(lán)玻璃紅外截止濾光片，通過(guò)在藍(lán)玻璃表面鍍制紅外截止膜來(lái)達(dá)到截止紅外波的效果。這種藍(lán)玻璃紅外截止濾光片雖然解決了斜角度入射時(shí)光譜偏移的問(wèn)題，但它從紅光處便開(kāi)始吸收光波一直延伸到紅外光，造成部分可見(jiàn)的紅光被過(guò)濾，紅光的損失會(huì)造成色彩還原性的降低，從而影響相機(jī)的成像質(zhì)量。而且藍(lán)玻璃本身原材料成本高，目前還不利于在低端產(chǎn)品上大量普及。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服上述問(wèn)題，而提供一種色彩還原度高、成像效果好、成本低廉的紅外截止濾光片。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是...
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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過(guò)程為：首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過(guò)顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負(fù)性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上；最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。兩種工藝常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長(zhǎng)為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復(fù)印和刻蝕工藝兩個(gè)主要方面。①光復(fù)印工藝：經(jīng)曝光系統(tǒng)將預(yù)制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置，精確傳遞到預(yù)涂在晶片表面或介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上。②刻蝕工藝：利用化學(xué)或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去，從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反復(fù)進(jìn)行。基本步驟1.氣相成底模2.旋轉(zhuǎn)烘膠3.軟烘4.對(duì)準(zhǔn)和曝光5.曝光后烘焙（PEB）6.顯影7.堅(jiān)膜烘焙8.顯影檢查準(zhǔn)分子光刻技術(shù)準(zhǔn)分子光刻技...
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典型光電行業(yè)用超純水設(shè)備工藝光電行業(yè)用超純水設(shè)備采用PLC+觸摸屏控制，全套系統(tǒng)自動(dòng)化程度高，系統(tǒng)穩(wěn)定性高。大大節(jié)省人力成本和維護(hù)成本，水利用率高，運(yùn)行可靠，經(jīng)濟(jì)合理。使設(shè)備與其它同類產(chǎn)品相比較，具有更高的性價(jià)比和設(shè)備可靠性。典型光電行業(yè)用超純水設(shè)備工藝 1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥18MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)?！ ?、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥18MΩ.CM)(最新工藝)?！ ?、預(yù)處理→一級(jí)反滲透→加藥機(jī)(PH調(diào)節(jié))→中間水箱→第二級(jí)反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥17MΩ.CM)(最新工藝)?！ ?、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥15MΩ.CM)(最新工藝)。 5、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥15MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)。 光電行業(yè)用超純水對(duì)水質(zhì)的要求新興的光電材料生產(chǎn)、加工、清洗：LCD液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏、高品質(zhì)燈管顯像管、微...
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