1前言等離子清洗技術(shù)被廣泛應(yīng)用于電子、生物醫(yī)藥、珠寶制作、紡織等眾多行業(yè)，由于各個(gè)行業(yè)的特殊性，需要針對行業(yè)需要，采用不同的設(shè)備及工藝。在電子封裝行業(yè)中，使用等離子清洗技術(shù)，目的是增強(qiáng)焊線/焊球的焊接質(zhì)量及芯片與環(huán)氧樹脂塑封材料之間的粘結(jié)強(qiáng)度。為了更好地達(dá)到等離子清洗的效果，需要了解設(shè)備的工作原理與構(gòu)造，根據(jù)封裝工藝，設(shè)計(jì)可行的等離子清洗料盒及工藝。等離子清洗的工作原理是通過將注入氣體激發(fā)成等離子體，等離子體由電子、離子、自由基、光子以及其他中性粒子組成。由于等離子體中的電子、離子和自由基等活性粒子存在，其本身容易與固體表面發(fā)生反應(yīng)。反應(yīng)類型可以分為物理反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)，物理反應(yīng)主要是以轟擊的形式使污染物脫離表面，從而被氣體帶走；化學(xué)反應(yīng)是活性粒子與污染物發(fā)生反應(yīng)，生成易揮發(fā)物質(zhì)再被帶走[1]。在實(shí)際使用過程中，通常使用Ar氣來進(jìn)行物理反應(yīng)，使用O2或者H2來進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，其反應(yīng)原理示意圖如圖1所示。等離子清洗的效果通常用滴水實(shí)驗(yàn)來直觀反應(yīng)，如圖2所示，等離子清洗前接觸角約為56°，等離子清洗后表面接觸角約為7°。在電子封裝中，通常使用物理化學(xué)結(jié)合的方式進(jìn)行等離子清洗，以去除在原材料制造、運(yùn)輸、前工序中殘留的有機(jī)污染物及芯片焊盤和引線框架表面形成的氧化物。等離子清洗設(shè)備的反應(yīng)室主要分為感應(yīng)耦合“桶式”反應(yīng)室、電容耦合“平行平板”反應(yīng)室、“順流”反應(yīng)室三種。目前國內(nèi)...
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一、多晶硅錠的制備工藝根據(jù)生長方法的不同，多晶硅可分為等軸晶、柱狀晶。通常在熱過冷及自由凝固的情況下會形成等軸晶，其特點(diǎn)是晶粒細(xì)，機(jī)械物理性能各向同性。如果在凝固過程中控制液固界面的溫度梯度，形成單方向熱流，實(shí)行可控的定向凝固，則可形成物理機(jī)械性能各向異性的多晶柱狀晶，太陽能電池多晶硅錠就是采用這種定向凝固的方法生產(chǎn)的。在實(shí)際生產(chǎn)中，太陽能電池多晶硅錠的定向凝固生長方法主要有澆鑄法、熱交換法（H EM）、布里曼（B ridgem an）法、電磁鑄錠法，其中熱交換法與布里曼法通常結(jié)合在一起。熱交換法及布里曼法都是把熔化及凝固置于同一坩堝中（ 避免了二次污染），其中熱交換法是將硅料在坩堝中熔化后，在坩堝底部通冷卻水或冷氣體，在底部進(jìn)行熱量交換，形成溫度梯度，促使晶體定向生長。布里曼法則是在硅料熔化后，將坩堝或加熱元件移動使結(jié)晶好的晶體離開加熱區(qū)，而液硅仍然處于加熱區(qū)，這樣在結(jié)晶過程中液固界面形成比較穩(wěn)定的溫度梯度，有利于晶體的生長。其特點(diǎn)是液相溫度梯度dT/dX 接近常數(shù)，生長速度受工作臺下移速度及冷卻水流量控制趨近于常數(shù)，生長速度可以調(diào)節(jié)。本項(xiàng)目生產(chǎn)所用結(jié)晶爐是采用熱交換與布里曼相結(jié)合的技術(shù)。本項(xiàng)目采用中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所研發(fā)的擁有先進(jìn)技術(shù)的R13450-1型多晶硅鑄錠爐，它采用先進(jìn)的多晶硅定向凝固技術(shù)，將硅料高溫熔融后通過特殊工藝定向冷凝結(jié)晶,從而達(dá)到太陽能...
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在太陽能電池片制造行業(yè)中，通常單晶硅片需要進(jìn)行清洗，去除各種雜質(zhì)，或者利用化學(xué)品對硅片行刻蝕后形成特定的表面狀態(tài)，這樣才能夠繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)工藝生產(chǎn)。其中，利用堿溶液KOH進(jìn)行刻蝕清洗，是一種重要的硅片處理方式。在濕法設(shè)備中集成多種化學(xué)品后，可以在單個(gè)設(shè)備上完成刻蝕、清洗等不同工藝，達(dá)到對硅片進(jìn)行綜合處理的目的。KOH溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)、刻蝕時(shí)間等對硅片表面狀態(tài)有重要影響。KOH刻蝕過程中需要使用大量的化學(xué)品，近年來隨著技術(shù)的進(jìn)步，出現(xiàn)了KOH堿刻蝕輔助添加劑，通過在KOH溶液中混合輔助添加劑，不僅能夠達(dá)到原先的工藝要求，還能夠有效減少化學(xué)品用量，降低化學(xué)品廢液的處理量和難度，為今后KOH堿刻蝕大規(guī)模用提供了條件1 實(shí)驗(yàn)材料和工藝實(shí)驗(yàn)中，使用砂漿切割和金剛線切割的單晶硅片外觀尺寸為156mm×156mm,厚度為200um,電阻率為1-3Q·cm。該單晶硅片為市場常見硅片。電池片生產(chǎn)工藝采用車間量產(chǎn)的PERC(射極純化及背電極）單晶生產(chǎn)工藝。各類化學(xué)品原液質(zhì)量分?jǐn)?shù)如表1所示。2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論2.1KOH預(yù)清洗砂漿切割的硅片表面有大量的切割損傷和各種雜質(zhì)等“，需要進(jìn)行清洗才能開展下一步擴(kuò)散工藝。通常采用KOH刻蝕的方式來對硅片進(jìn)行預(yù)清洗，去除硅片表面各種臟污雜質(zhì)等，達(dá)到清洗效果。清洗工藝中，通?？涛g時(shí)間對工藝效果影響較大。實(shí)驗(yàn)中，保持KOH溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)18%不變，反應(yīng)溫度...
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光刻是制造半導(dǎo)體器件和集成電路微圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝，其工藝質(zhì)量直接影響著器件成品率、可靠性、器件性能以及使用壽命等參數(shù)指標(biāo)。光罩是光刻工藝中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，光刻版必須非常潔凈，所有硅片上的電路元件都來自版圖。如果光刻版不潔凈，存在污染顆粒，這些顆粒就會被復(fù)制到硅片表面的光刻膠上，造成器件性能的下降。然而，光刻版在使用過程中不可避免的會粘上灰塵、光刻膠等污染物，這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。為了保證光刻版潔凈，必須定期對光刻版進(jìn)行清洗，而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設(shè)備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。本文對全自動光刻版清洗機(jī)進(jìn)行了介紹，主要包括清洗的工藝原理和清洗的工作過程。1工藝原理1.1清洗藥液1.1.1丙酮溶液對于光刻膠及其他有機(jī)污染物，比較常見的方法是通過有機(jī)溶劑將其溶解的方法將其去除，例如利用丙酮浸泡光刻版，在浸泡的同時(shí)，可以采用超聲，提高浸泡效果。對于比較干凈的光刻版，浸泡基本就能將有機(jī)污染物去除干凈。對于光刻膠較多的光刻版，浸泡只能將光刻膠泡軟，還需要用無塵布或無塵棉，蘸取丙酮輕輕擦洗，或在光刻版清洗設(shè)備中采用毛刷刷洗，通過外力將頑固的光刻膠去除掉。1.1.2濃硫酸+雙氧水濃硫酸加雙氧水的混合物，對于所有的有機(jī)材料都是有效的。它采用濃硫酸和過氧化氫的混合物，之后是去離子水（DI）沖洗，稱為Piranha刻蝕。這種方法對于特別難去除的光刻膠或由于接觸過高溫等環(huán)...
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目錄設(shè)備規(guī)范1.設(shè)備概述2.清洗槽構(gòu)成3.設(shè)備構(gòu)成4.設(shè)備動力條件5.附加材料6.其它承諾7.工藝及安全8.設(shè)備可靠性保障措施9.設(shè)備出廠須經(jīng)客戶檢驗(yàn)合格10.安裝說明11.設(shè)備主要配置清單12.類似設(shè)備照片1.概述1.1設(shè)備概要設(shè)備類型：手動清洗槽：清洗槽兩個(gè)（水洗與酸洗共用）+配酸槽一個(gè)1.2設(shè)備特點(diǎn)：·清洗能力強(qiáng)，性能穩(wěn)定，安全可靠；·設(shè)備成本合理，自動化程度高，使用成本低；·技術(shù)先進(jìn)，結(jié)構(gòu)合理，適宜生產(chǎn)線上大批次操作；·清洗形式：①酸洗時(shí)：浸泡+工件自旋轉(zhuǎn)②水洗時(shí)：浸泡+溢流+工件自旋轉(zhuǎn)。·上下料由人工完成·清洗能力：爐管：2個(gè)/次；晶舟：1個(gè)/次1.3本體：面向設(shè)備，靠近操作側(cè)外側(cè)為爐管清洗槽，內(nèi)側(cè)為配酸槽，左側(cè)為晶舟清洗槽。本體尺寸約為：3400X1800X2100mm長x寬x高）,如附圖所示藥液、廢水分別獨(dú)立排放本體為碳鋼骨架外包耐腐蝕 PP材料（德國進(jìn)口聚丙烯）焊接而成，耐強(qiáng)酸堿本體操作側(cè)有透明 PVC門，形式為上下升降式本體設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門，手動調(diào)節(jié)可鎖定本體內(nèi)操作側(cè)附近設(shè)有水槍與氮?dú)鈽尭?套本體臺面高度約950mm本體配備防酸日光燈，萬向腳輪與調(diào)整地腳2. 清洗槽構(gòu)成 注：當(dāng)清洗槽注滿水時(shí)，整個(gè)爐管被水完全浸沒。2.1清洗槽（1#):·內(nèi)槽尺寸：2300*700...
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鍍膜后清洗機(jī)一、入料→切液1→溶劑滾刷洗→切液2→DI水噴淋洗→DI水超聲波清洗→DI水滾刷洗→切液3→BJ清洗→DI水噴淋洗→DI水沖洗→風(fēng)刀干燥→下片含除靜電裝置循環(huán)使用并溢流水方向:DI水沖洗(可控制入水量1015L/Min范圍)→DI水噴淋洗B(水箱)→BJ清洗(水箱)→DI水滾刷洗(水箱)→DI水噴淋洗A(水箱)→排水管二、清洗工件規(guī)格及描述基板尺寸:250mm×250mm(最小);650mm×650mm(最大)基板厚度:0.41.1mmITO玻璃特征:玻璃表面已雙面鍍了ITO,經(jīng)本設(shè)備清洗后到需方的設(shè)備進(jìn)行噴油(墨)等表面處理.三、設(shè)備的能力輸送高度930±30mm百級間高度工作寬度700mm(有效最大:650mm)傳動方式傘齒輪傳動(外傳動)輸送速度1~3m/min(變頻無級可調(diào))(客戶正常使用:2.5~3m/min)輸送方向左進(jìn)右出設(shè)備尺寸9615(長)1580(寬)1300(高)(mm)(不含電控柜,風(fēng)柜)四、耗用資源總耗電量182KW總耗氣量20003000NL/Min由客戶提供0.4MPa以上的潔凈壓縮空氣純水耗量1015L/Min由客戶提供15兆以上純水總抽氣量80M3/Min壓力≥750Pa由客戶提供抽風(fēng)系統(tǒng)五、其它選項(xiàng)(一)用電安全1.設(shè)備采用三相380V,50HZ,并且...
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目 錄 一、 FSI清洗機(jī)介紹： 二、 FSI組成及結(jié)構(gòu)功能： 三、 軟件操作介紹： 四、 程序以及輸出功能： 五、 流量控制： 六、 Chemical Auto fill功能介紹： 七、 常見故障以及維修方法：一、 FSI清洗機(jī)介紹 FSI用途：FSI用于圓片的表面清洗系統(tǒng)，可以去除顆粒、金屬離 子以及剝離部分氧化膜； FSI設(shè)備全稱： MERCURY MP Surface Condition Division System， FSI公司早期的Spray System Product； FSI工作原理：在密封的Chamber中,圓片對稱放在Turntable 上，在Turntable的旋轉(zhuǎn)的同時(shí)利用N2把Chemical形成高霧化或者低霧化噴灑在圓片表面，有兩個(gè)噴嘴：Spray post 和 Side-bowl spray post，...
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窄帶濾光片是用于密集波分復(fù)用光纖通信系統(tǒng)，是其關(guān)鍵器件之一，它通常是全介質(zhì)濾光片，也就是間隔層與反射層都是由鍍制介質(zhì)薄膜形成，其特點(diǎn)是鍍制難度高，成品率低，成本高等。窄帶濾光片的原理 1、光波中的電磁波理論 從理論上講，窄帶濾光片的光學(xué)特性研究，就是電磁波通過多層介質(zhì)薄膜間傳播的研究。因此，麥克斯韋方程組是處理光學(xué)薄膜系統(tǒng)問題的Z基本的方法?！ ?、在介質(zhì)界面上光波的反射與折射 有若干介質(zhì)界面存在于光學(xué)膜系中，各介質(zhì)界面上的反射和折射規(guī)律關(guān)系到膜系的光學(xué)性質(zhì)與光波。須考慮光波從復(fù)折射率的介質(zhì)入射到該介質(zhì)時(shí)，與另一介質(zhì)的復(fù)折射率界面的反射和折射過程?！ ?、光學(xué)薄膜的特征矩陣 對于無吸收的介質(zhì)光學(xué)薄膜，其特征矩陣的顯著特點(diǎn)從三方面考慮：行列式值為1，即單位模矩陣;對角元素或者是實(shí)數(shù)，或者是純虛數(shù);Z重要的是主對角線上的元素相等。在有效的光學(xué)厚度為四分之一波長的整數(shù)倍時(shí)，特征矩陣變得非常簡單。窄帶濾光片的發(fā)展現(xiàn)狀 為了適應(yīng)我國光通信業(yè)高速發(fā)展的實(shí)際需求，通過對窄帶濾光片的優(yōu)化結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)、分析和修正技術(shù)進(jìn)行深入研究，在濾光片的主膜系鍍制工藝技術(shù)方面有所突破;實(shí)現(xiàn)了改造進(jìn)口設(shè)備性能，完成了鍍膜材料的部分國產(chǎn)化;了解了高致密性、低損耗膜層的制備技術(shù)，還有高精度實(shí)時(shí)監(jiān)控技術(shù);生成提高了鍍制后的減薄、拋光和劃片工藝;建立完善了檢測系統(tǒng)?！ ⊥瑫r(shí)還形成了一套較為完整的光通信，用于窄帶濾光...
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窄帶濾光片是用于密集波分復(fù)用光纖通信系統(tǒng)，是其關(guān)鍵器件之一，它通常是全介質(zhì)濾光片，也就是間隔層與反射層都是由鍍制介質(zhì)薄膜形成，其特點(diǎn)是鍍制難度高，成品率低，成本高等。所以首先由電磁場傳播的麥克斯韋方程出發(fā)，理論分析了薄膜的光學(xué)特性系統(tǒng)。然后考慮了間隔層厚度、反射層的反射率對濾光片光譜特性的影響。結(jié)合給定的技術(shù)指標(biāo)，按照法布里-珀羅多層介質(zhì)薄膜濾波器的原理，設(shè)計(jì)出一種可用于光通信密集波分復(fù)用系統(tǒng)的窄帶濾光片，并利用離子束濺射鍍膜機(jī)在玻璃基片上完成濾光片的鍍制，并且所鍍制出的濾光片符合設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。一、窄帶濾光片的研究現(xiàn)狀為了適應(yīng)我國光通信業(yè)高速發(fā)展的實(shí)際需求，通過對窄帶干涉濾光片的優(yōu)化結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)、分析和修正技術(shù)進(jìn)行深入研究，在濾光片的主膜系鍍制工藝技術(shù)方面有所突破；實(shí)現(xiàn)了改造進(jìn)口設(shè)備性能，完成了鍍膜材料的部分國產(chǎn)化；了解了高致密性、低損耗膜層的制備技術(shù)，還有高精度實(shí)時(shí)監(jiān)控技術(shù)；生成提高了鍍制后的減薄、拋光和劃片工藝；建立完善了檢測系統(tǒng)。同時(shí)還形成了一套較為完整的光通信，用于窄帶干涉濾光片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)。并實(shí)現(xiàn)了100GHz和200GHz產(chǎn)品批量化生產(chǎn)，經(jīng)檢測產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，通過國內(nèi)外用戶試用，窄帶干涉濾光片產(chǎn)品的總體性能及生產(chǎn)技術(shù)均已達(dá)到國際先進(jìn)水平。二、窄帶濾光片在WDM系統(tǒng)中的應(yīng)用作為波分復(fù)用系統(tǒng)的核心器件，復(fù)用/解復(fù)用器是將不同波長的光信號匯集到一根光纖輸出的器件，稱為復(fù)用器，...
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背景技術(shù)隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，電力負(fù)荷不斷增長，對電網(wǎng)的輸送能力提出了更高的要求。尤其是對電力系統(tǒng)潮流控制、電壓控制及短路電流控制的需求越來越多，因此柔性交流輸電(Flexible AC Transmission Systems，F(xiàn)ACTS)裝置在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越多。FACTS根據(jù)與電網(wǎng)連接的方式可以分為串聯(lián)裝置、并聯(lián)裝置及串并聯(lián)裝置。目前應(yīng)用的串聯(lián)型柔性交流輸電裝置包括:串聯(lián)補(bǔ)償裝置和串聯(lián)諧振型故障電流限制裝置，其示意圖如圖1所示。圖中，31為輸電線路一側(cè)的母線；36為輸電線路另一側(cè)的母線，32為輸電線路一側(cè)的線路開關(guān)；35為輸電線路另一側(cè)的線路開關(guān)，33為輸電線路，34為所安裝的串聯(lián)型裝置。由于裝置串聯(lián)在線路中，故其對地的絕緣要求與線路對地的絕緣要求一致，為降低工程造價(jià)，將串聯(lián)裝置安裝在鋼結(jié)構(gòu)的絕緣平臺上，絕緣平臺再由支柱絕緣子、斜拉絕緣子固定。故串聯(lián)裝置與地面便不存在電氣聯(lián)系，絕緣要求由支柱絕緣子和斜拉絕緣子來滿足，而裝置僅需考慮對絕緣平臺的絕緣要求，大大降低了串聯(lián)裝置本身的絕緣水平。考慮到串聯(lián)型柔性交流輸電裝置串聯(lián)在線路中，為確保主設(shè)備正常運(yùn)行，需要配置過電壓保護(hù)設(shè)備，針對這些一次主設(shè)備還需配置相應(yīng)的二次保護(hù)，進(jìn)而需要采集絕緣平臺上對應(yīng)的電氣量，并將這些電氣量傳遞給地面的保護(hù)裝置，作為保護(hù)裝置進(jìn)行邏輯判斷的依據(jù)。對于串聯(lián)補(bǔ)償裝置，其配套的二次保...
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