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外延片清洗機-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備設(shè)備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 m.hbweixin.com 400-8768-096 ；18913575037更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（m.hbweixin.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。南通華林科納CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點，該方法經(jīng)實驗驗證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標：最大晶...

雙腔甩干機

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...

枚葉式清洗機-華林科納CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制）液體濺射（塵埃強制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在自動模式情形...

單片清洗機CSE

發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://m.hbweixin.com ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...

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組件生產(chǎn)工藝簡介

組件線又叫封裝線，封裝是太陽能電池生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟，沒有良好的封裝工藝，多好的電池也生產(chǎn)不出好的組件板。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證，而且還增強了電池的抗擊強度。產(chǎn)品的高質(zhì)量和高壽命是贏得可客戶滿意的關(guān)鍵，所以組件板的封裝質(zhì)量非常重要。 4.1流程圖： 1、電池檢測——2、正面焊接—檢驗—3、背面串接—檢驗—4、敷設(shè)（玻璃清洗、材料切割、玻璃預(yù)處理、敷設(shè)）——5、層壓——6、去毛邊（去邊、清洗）——7、裝邊框（涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠）——8、焊接接線盒——9、高壓測試——10、組件測試—外觀檢驗—11、包裝入庫； 4.2組件高效和高壽命如何保證： 1、高轉(zhuǎn)換效率、高質(zhì)量的電池片；下面是電池的結(jié)構(gòu)示意圖：（1）金屬電極主柵線；（2）金屬上電極細柵線；（3）金屬底電極；（4）減反射膜；（5）頂區(qū)層（擴散層）；（6）體區(qū)層（基區(qū)層）； 2、高質(zhì)量的原材料，例如...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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制絨設(shè)備工序流程

單晶制絨操作工藝單晶硅片制絨工藝流程，主要包括以下幾個方面。 1.裝片 ①戴好防護口罩和干凈的橡膠手套。 ②將倉庫領(lǐng)來的硅片從箱子中取出，以2o0片為一個生產(chǎn)批次，把硅片插入清洗小花籃，在裝片過程中，由于硅片易碎，插片員需輕拿輕放；來料中如有缺角、崩邊、隱裂等缺陷的硅片，不能流人生產(chǎn)線，及時報告品管員，將這些硅片分類放置、集中處理；有缺片現(xiàn)象時，要在缺片記錄上記錄缺片的批號、廠商、箱號和缺片數(shù)。 ③在“工藝流程卡”上準確記錄硅片批號、生產(chǎn)廠家、電阻率、投入數(shù)、投入時間和主要操作員。 ④裝完一個生產(chǎn)批次后，把“工藝流程卡”隨同硅片一起放在盒架上，等待制絨。 2.開機 ①操作員打開工藝排風，打開壓縮空氣閥門，打開設(shè)備進水總閥。 ②操作員打開機器電源，待設(shè)備...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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鍺拋光片拋光清洗技術(shù)的要點

鍺單晶拋光片主要用于航天領(lǐng)域中的太陽電池系統(tǒng)中，在鍺單晶襯底上外延GaAs等材料制成的單結(jié)以及多結(jié)化合物太陽能電池具有轉(zhuǎn)換效率高、耐高溫、抗輻射、可靠性強等優(yōu)勢?；衔锾栯姵卦贛OCVD工藝中需要生長多層晶體材料，并且是異質(zhì)結(jié)生長，容易產(chǎn)生晶格畸變。因此，化合物太陽電池對鍺單晶拋光片的表面質(zhì)量提出了較為苛刻的要求。 1．鍺單晶片的化學腐蝕工藝技術(shù) 通過采用不同的化學腐蝕液對鍺單晶片進行化學腐蝕，從腐蝕速率和表面光潔度及粗糙度等方面進行比較，最終選擇了一種比較適用于超薄鍺片拋光的化學腐蝕工藝，并通過不同腐蝕液對鍺腐蝕速率影響的研究，為鍺的清洗工藝、拋光工藝提供了較為詳細的參考。 2．鍺單晶片的拋光工藝技術(shù) 主要討論了拋光工藝參數(shù)對拋光片幾何參數(shù)和表面質(zhì)量的影響，并通過工藝實驗，得到了最佳的超薄鍺單晶拋光片的拋光工藝。 3．鍺單晶拋光片的清洗工藝技術(shù)闡述了鍺單晶拋光片的清洗機理，通過對鍺拋光片表面有機物和顆粒的去除技術(shù)研究，建立了超薄鍺單晶拋光片的清洗技術(shù)。利用該技術(shù)清洗的超薄鍺單晶拋光片完全滿足了空間高效太陽電池的使用要求。

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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太陽能硅片制絨酸洗機

產(chǎn)品簡介：主要用于單晶太陽能電池片制造工藝中的制絨工藝，能夠有效去除硅片表面的機械損傷層和氧化層，并在硅片表面制備一個反射率在10%～20%的織構(gòu)表面，形成類似“金字塔”狀的絨面,有效增強硅片對入射太陽光的吸收,從而提高光生電流密度。產(chǎn)品特點: 預(yù)清潔工序使制絨更均勻低化學劑消耗，可靈活調(diào)整配方　強大的數(shù)據(jù)庫支持異常追蹤　　先進的雙槽制絨工藝槽結(jié)構(gòu),具有更好的溫度及溶液均勻性　　性價比高，售后服務(wù)快捷蘇州華林科納的太陽能制絨酸洗機主要特點如下： 1.適用于8英寸以下的單晶硅及多晶硅太陽能硅片的制絨酸洗 2.設(shè)備骨架用厚壁方鋼制做，外包德國進口磁白聚丙稀pp板，美觀抗腐蝕性能優(yōu)越。 3.隔板：在1#、2#槽和3#、4#槽之間有隔板，1#槽單獨排風，防止1#槽中揮發(fā)的有機氣體與其他氣體混合發(fā)生反應(yīng)。 &#...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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太陽能光伏技術(shù)

1.太陽能概況太陽能是各種可再生能源中最重要的基本能源，生物質(zhì)能、風能、海洋能、水能等都來自太陽能，廣義地說，太陽能包含以上各種可再生能源。太陽能作為可再生能源的一種，則是指太陽能的直接轉(zhuǎn)化和利用。通過轉(zhuǎn)換裝置把太陽輻射能轉(zhuǎn)換成熱能利用的屬于太陽能熱利用技術(shù)，再利用熱能進行發(fā)電的稱為太陽能熱發(fā)電，也屬于這一技術(shù)領(lǐng)域；通過轉(zhuǎn)換裝置把太陽輻射能轉(zhuǎn)換成電能利用的屬于太陽能光發(fā)電技術(shù)，光電轉(zhuǎn)換裝置通常是利用半導(dǎo)體器件的光伏效應(yīng)原理進行光電轉(zhuǎn)換的，因此又稱太陽能光伏技術(shù)。二十世紀50年代，太陽能利用領(lǐng)域出現(xiàn)了兩項重大技術(shù)突破：一是1954年美國貝爾實驗室研制出6％的實用型單晶硅電池，二是1955年以色列Tabor提出選擇性吸收表面概念和理論并研制成功選擇性太陽吸收涂層。這兩項技術(shù)突破為太陽能利用進入現(xiàn)代發(fā)展時期奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。 70年代以來，鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，世界上許多國家掀起了開發(fā)利用太陽能和可再生能源的熱潮。1973年，美國制定了政府級的陽光發(fā)電計劃，1980年又正式將光伏發(fā)電列入公共電力規(guī)劃，累計投入達8億多美元。1992年，美國政府頒布了新的光伏發(fā)電計劃，制定了宏偉的發(fā)展目標。日本在70年代制定了“陽光計劃”，1993年將“月光計劃”（節(jié)能計劃）、“環(huán)境計劃”、“陽光計劃”合并成“新陽光計劃”。德國等歐共體國家及一些發(fā)展中國...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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太陽能電池片生產(chǎn)工藝流程

一、硅片檢測硅片是太陽能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對來料硅片進行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術(shù)參數(shù)進行在線測量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個檢測模塊。其中，光伏硅片檢測儀對硅片表面不平整度進行檢測,同時檢測硅片的尺寸和對角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測模塊用來檢測硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個檢測模組，其中一個在線測試模組主要測試硅片體電阻率和硅片類型，另一個模塊用于檢測硅片的少子壽命。在進行少子壽命和電阻率檢測之前，需要先對硅片的對角線、微裂紋進行檢測，并自動剔除破損硅片。硅片檢測設(shè)備能夠自動裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?，從而提高檢測精度和效率。二、表面制絨單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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太陽能電池片的清洗知識

一、電池片工藝流程制絨(INTEX)---擴散（DIFF）---后清洗（刻邊/去PSG）---鍍減反射膜（PECVD）---絲網(wǎng)、燒結(jié)（PRINTER）---測試、分選（TESTER+SORTER）---包裝（PACKING）。二、前清洗（制絨）知識簡介 1、RENA前清洗工序的目的：（1）去除硅片表面的機械損傷層（來自硅棒切割的物理損傷）；（2）清除表面油污（利用HF）和金屬雜質(zhì)（利用HCl）；　　（3）形成起伏不平的絨面，利用陷光原理，增加對太陽光的吸收，在某種程度上增加了PN結(jié)面積，提高短路電流（Isc），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。 2、前清洗工藝步驟：制絨→堿洗 →酸洗→吹干 Etch bath：刻蝕槽，用于制絨。所用溶液為HF+HNO3 ，作用：　　（1）去除硅片表面的機械損傷層；　　&...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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太陽能單（多）晶硅棒檢驗規(guī)范的相關(guān)術(shù)語和定義

1、導(dǎo)電類型conductivity type 2、n-型半導(dǎo)體 n-type semiconductor 多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體。 3、p-型半導(dǎo)體 p-type semiconductor 多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體。 4、載流子 carrier 固體中一種能夠傳輸電荷的載體，又稱荷電載流子。例如，半導(dǎo)體中導(dǎo)電空穴和導(dǎo)電電子。 5、少數(shù)載流子minority carrier 小于載流子總濃度一半的那類載流子。例如：p型半導(dǎo)體中的電子。 6、雜質(zhì)濃度impurity concentration 單位體積內(nèi)雜質(zhì)原子的數(shù)...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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生產(chǎn)芯片需要做的處理

晶片表面清洗潔凈的晶片是芯片生產(chǎn)全過程中的基本要求，但并不是在每個高溫下的操作前都必須進行。一般說來，全部工藝過程中的高達20%的步驟為晶片清洗。而我在這里將要描述的清洗工藝，將貫穿芯片生產(chǎn)的全過程。半導(dǎo)體工藝的發(fā)展過程在很多方面可以說是清洗工藝隨著對無污染晶片需求不斷增長而發(fā)展的過程。晶片表面有四大常見類型的污染，每一種在晶片上體現(xiàn)為不同的問題，并可用不同的工藝去除。這四種類型是： 1．顆粒 2．有機殘余物 3．無機殘余物 4．需要去除的氧化層通常來說，一個晶片清洗的工藝或一系列的工藝，必須在去除晶片表面全部污染物（上述類型）的同時，不會刻蝕或損害晶片表面。它在生產(chǎn)配制上是安全的、經(jīng)濟的，是為業(yè)內(nèi)可接受的。通常對清洗工藝的設(shè)計適用于兩種基本的晶片狀況。一種叫作前線（FEOL），特指那些形成活性電性部件之前的生產(chǎn)步驟。在這些步驟中，晶片表面尤其是MOS器件的柵區(qū)...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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砷化鎵超聲波清洗工藝

砷化鎵是一種感光性能比當前廣泛使用的硅更優(yōu)良的材料。理論上他將接收到的陽光40%的轉(zhuǎn)化為電能，轉(zhuǎn)化率約是硅的2倍，因此衛(wèi)星和太空飛船等多采用砷化鎵作為太陽能電磁板的材料。然而，超聲波清洗器傳統(tǒng)的砷化鎵晶片制造技術(shù)每次只能生成一層晶片，成本居高不下，限制了砷化鎵的廣泛應(yīng)用。砷化鎵晶片在清洗工藝上的要求，是希望能夠達到對晶片表面上殘留的鎵氧化物、砷氧化物和一些對后續(xù)工藝有害的金屬、污垢、油污、雜質(zhì)、蠟點、塵埃、臟點等。在清洗上存在的難題，可以采用超聲波清洗機能夠達到理想的清洗效果。超聲波清洗機的原理分解，可以達到物件全面潔凈的清洗效果，特別對盲孔、深孔、凹凸槽清洗是最理想的清洗設(shè)備，不影響任何物件的材質(zhì)與精度。超聲波還具有的強力空腔化作用，可以在短時間內(nèi)清洗掉砷化鎵晶片上的污垢、油污，完全可保證產(chǎn)品的質(zhì)量。超聲波清洗機清洗效果好，清潔度高且全部工件清潔度一致。清洗速度快，提高生產(chǎn)效率，不須人手接觸清洗液，安全可靠。清洗砷化鎵晶片的高清洗工藝要求，選用超聲波清洗機清洗。言之，超聲波清洗機的基本原理是以每秒幾萬次的振動，在液體中產(chǎn)生超聲波空化作用形成空化泡。在空化泡消失時產(chǎn)生很大的沖擊力，當被洗工件受到這個外力沖擊時，工件表面的沾污就被剝離，達...

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