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外延片清洗機-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領域，濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術的不斷發(fā)展，濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 m.hbweixin.com 400-8768-096 ；18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（m.hbweixin.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導線電刷、Ｎ２保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。南通華林科納CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點，該方法經(jīng)實驗驗證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用，產(chǎn)品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標：最大晶...

雙腔甩干機

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

枚葉式清洗機-華林科納CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制）液體濺射（塵埃強制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在自動模式情形...

單片清洗機CSE

發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應用領域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進封裝等設備名稱CSE-單片清洗機類型單片式適用領域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網(wǎng)，關注http://m.hbweixin.com ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...

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半導體硅片的化學清洗技術

一. 硅片的化學清洗工藝原理　　硅片經(jīng)過不同工序加工后，其表面已受到嚴重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類：　　A. 有機雜質(zhì)沾污：可通過有機試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術來去除?！　. 顆粒沾污：運用物理的方法可采機械擦洗或超聲波清洗技術來去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。　　C. 金屬離子沾污：必須采用化學的方法才能清洗其沾污，硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類：　　a. 一類是沾污離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面。　　b. 另一類是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面?！　」钂伖馄幕瘜W清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進行清洗去除沾污?！　. 使用強氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面?！　. 用無害的小直徑強正離子（如H+）來替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中?！　. 用大量去離水進行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發(fā)出來，例如：　　⑴ 美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術?！　、?美國原CFM公司推出的Full-Flow systems...

發(fā)布時間: 2018 - 08 - 22

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晶圓電鍍流程——蘇州華林科納CSE

華林科納晶圓電鍍設備分兩個系列， CPE(半自動)/CPEA（全自動），主要用于半導體晶圓凸點UBM金屬層制作以及陶瓷基板上的金屬層的電鍍；還可用于硅片制造中表層剝離、去除雜質(zhì)以及大尺寸圖形腐蝕等方面。? 目前,比較典型的凸點制作工藝流程主要包括焊料凸點制作和金凸點制作。? 焊料凸點制作工藝流程: ? 清洗→濺射Ti/Cu→光刻1→電鍍Cu/Ni→去膠→腐蝕→介質(zhì)制作→光刻2→腐蝕介質(zhì)→去膠→濺射Ti/Cu→光刻3→鍍Cu/Ni→鍍焊料→去膠→腐蝕Cu→腐蝕Ti→硅片回流→檢測凸點→劃片分割→成品。? 金凸點制作工藝流程: ? 清洗→濺射TiW/Au→厚膠光刻→掃膠→電鍍Au→去膠→清洗→腐蝕Au→腐蝕TiW→退火→檢測→成品。? 一般來說,凸點制備過程中,主要采用電鍍銅、鎳、金、錫鉛、錫銀等鍍種,一些特殊的凸點工藝還使用金錫、錫、銀、銦、化學鍍鎳等鍍種。更多的半導體清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

發(fā)布時間: 2016 - 11 - 02

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半導體工藝-刻蝕（Ecth）——華林科納CSE

刻蝕的目的是把經(jīng)曝光、顯影后光刻膠微圖形中下層材料的裸露部分去掉，即在下層材料上重現(xiàn)與光刻膠相同的圖形?？涛g方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術，國內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進行，國內(nèi)腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納（打個廣告），腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡...

發(fā)布時間: 2016 - 07 - 25

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半導體工藝-光刻（Lithography）——華林科納CSE

光刻的作用是把掩模版上的圖形轉(zhuǎn)換成晶圓上的器件結(jié)構(gòu)，它對集成電路圖形結(jié)構(gòu)的形成，如各層薄膜的圖形及摻雜區(qū)域等，均起著決定性的作用。光刻的基本流程：前處理——涂膠——對版曝光——顯影——顯影檢查——后烘——腐蝕——腐蝕檢查——去膠——檢驗歸批。前處理硅片容易吸附潮氣到它的表面，硅片暴露在潮氣中叫做親水性。對于光刻膠的粘附性，具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要，所以在成底膜和光刻膠旋涂前要進行脫水烘焙。典型的烘焙是在傳統(tǒng)的充滿惰性氣體（如氮氣）的烘箱或者真空烘箱中完成，實際的烘焙溫度是可變的，常用的溫度是200—250℃。脫水后的硅片馬上要用OAP （常用HMDS溶液：六甲基二硅胺烷）成底膜進行表面處理，它起到提高粘附力的作用。在硅片成底膜操作后盡快涂膠，使潮氣問題達到最小化。成底膜的方法有：1、滴浸潤液和旋涂：溫度和用量容易控制，但系統(tǒng)需要排液和排氣裝置，HMDS溶液消耗量大。2、噴霧分滴和旋轉(zhuǎn)：優(yōu)點是噴霧有助于硅片上顆粒的去除，缺點是處理時間長和HMDS消耗大。3、氣相成底膜和脫水烘焙：最常用，氣相成底膜一般200—250℃下約30S完成。優(yōu)點是由于沒有與硅片接觸減少了來自液體HMDS顆粒沾污的可能，HMDS的消耗量也小。一種方法是先進行脫水烘焙，再將單個硅片置于熱板上通過熱傳導熏蒸形成底膜，這種方法優(yōu)點是硅片由里向外烘焙，低缺陷密度，均勻加熱和可重復性。另一種方法是以...

發(fā)布時間: 2016 - 07 - 25

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影響超聲波清洗的因素

超聲清洗的物理機制主要是超聲空化，所以要達到良好的清洗效果必須選擇適當?shù)穆晫W參數(shù)和清洗劑的物理化學性質(zhì)?！　÷晱?。聲強愈高，空化愈強烈。但聲強達到一定值后，空化趨于飽和。聲強過大會產(chǎn)生大量氣泡增加散射衰減，同時聲強增大會增加非線性衰減，而減弱遠離聲源地方的清洗效果。　　頻率。頻率越高空化閾愈高，也就是說要產(chǎn)生聲空化，頻率愈高，所需要的聲強愈大。例如在水中要產(chǎn)生空化，在400kHz時所需要的功率要比在10kHz時大10倍。一般采用的頻率范圍是20—40kHz。低頻空化強度高，適用于大清洗件表面及污物與清洗件表面結(jié)合強度高的場合，但不易穿透深孔和表面形狀復雜的部件，且噪聲大；較高頻率雖然空化強度較弱，但噪聲小，適用于較復雜表面形狀、狹縫及污物與清洗件表面結(jié)合力弱的清洗。聲場分布。穩(wěn)定的混響場對清洗有利，如果清洗槽中有駐波聲場，則因聲壓分布不均勻，清洗件得不到均勻的清洗。因此，在可能的條件下，槽的幾何形狀要選擇適合于建立混合聲場的形狀。除此以外，可以采用雙頻、多頻和掃頻工作方式以避免清洗“死區(qū)”?！　∏逑匆旱臏囟取囟壬咭后w的表面張力系數(shù)和粘滯系數(shù)會下降，因而空化閾值下降，使空化易于產(chǎn)生；但由于溫升，蒸汽壓增大會降低空化強度。水的較佳溫度為60攝氏度，不同的清洗劑有不同的最佳溫度?！　≌硿禂?shù)。粘滯系數(shù)大的液體難于產(chǎn)生空化，而且傳播損失也加大，不利于清洗?！　≌羝麎?。蒸汽壓低，空化閾高...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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噴霧清洗設備及工藝

稀釋酸清洗工藝是在200mm和300mm晶圓的兩套不同的FSI ZETA?/SUP噴霧清洗系統(tǒng)上進行的。200mm系統(tǒng)如圖1所示。在PFA處理盒里，晶圓必須保持水平。200mm系統(tǒng)可處理4籃晶圓，每籃25片，而300mm系統(tǒng)可處理2籃，每籃25片。籃子放置在旋轉(zhuǎn)速度高達500rpm的PFA轉(zhuǎn)盤上。旋轉(zhuǎn)的晶圓籃放在有密封塞的氮氣凈化腔內(nèi)?；瘜W試劑，清洗水和氮氣由附在腔蓋的中心噴灑柱噴出，液體從邊上的噴灑柱噴向凈化腔的墻壁?；瘜W試劑使用混合分管進行混合和稀釋?；旌媳壤晒に嚺浞酱_定，并由精確的流程控制器進行嚴格控制。使用IR發(fā)熱器來控制試劑噴進腔前的溫度。試劑流經(jīng)晶圓表面的溫度由安裝在腔內(nèi)的溫度計嚴格監(jiān)視。這種測量法可使工藝最優(yōu)化，或者在精密的刻蝕應用中，可用來控制刻蝕時間以取得所需的刻蝕成度。本文中，我們用稀釋的H2SO4, H2O2和HF混合物來去除鋁線條（M1和M2），氧化層通孔及鍵合焊盤窗口的殘留物。在所有情況下，無需進行主動的溫度控制就可以取得良好效果?；瘜W試劑在混合后溫度達35℃, 在霧化發(fā)送進腔內(nèi)的過程中降溫. 晶圓表面溫度經(jīng)過3分鐘的處理，慢慢地從室溫升至25℃左右。在M1和M2的清洗中，我們也檢測了在處理晶圓前先把混合物冷卻至25℃，如下所述。表1列示出用于本操作中的噴霧時間范圍，試劑的溫度及濃度的范圍。M1金屬疊層包括一個位于Al-Cu-Si合金下的 T...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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藍寶石晶片清洗工藝

藍寶石晶片的凈化包括清洗方式、清洗劑的配方、清洗設備、清洗環(huán)境和清洗工藝。清洗方式主要分為濕式清洗和干式清洗, 目前濕式清洗在藍寶石晶片表面凈化中仍處于主導地位。下面主要就藍寶石晶片的濕式清洗的清洗劑性質(zhì)、清洗設備、清洗環(huán)境分別闡述。清洗劑的性質(zhì) 清洗劑的去污能力, 對濕式清洗的清洗效果有決定性的影響, 根據(jù)藍寶石晶片清洗目的和要求, 選擇適當?shù)那逑磩┦菨袷角逑吹氖滓襟E。藍寶石晶片清洗中常用的化學試劑和洗液主要有無機酸、氧化劑、絡合劑、雙氧水溶劑、有機溶劑、合成洗滌劑、電子清洗劑等七大類清洗設備 ●超聲波清洗機超聲波清洗機是微電子工業(yè)中廣泛應用的一種清洗設備, 超聲波的清洗原理是: 在強烈的超聲波作用下(常用的超聲波頻率為20-40kHz), 清洗劑內(nèi)部會產(chǎn)生疏部和密部, 疏部產(chǎn)生近乎真空的空穴, 當空穴消失的瞬間, 其附近便產(chǎn)生強大的局部壓力, 使分子內(nèi)的化學鍵斷裂, 從而使藍寶石晶片表面的雜質(zhì)解吸。當超聲波的頻率和空穴的振動頻率共振時,...

發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23

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硅片納米微粒清洗潔凈新技術

１引言目前，半導體行業(yè)中廣泛使用的清洗方法仍是ＲＣＡ（美國無線電公司）清洗法。但在向下一代６５ｎｍ節(jié)點的邁進中，新結(jié)構(gòu)的納米器件對于清洗設備不斷提出了新的挑戰(zhàn)，因而對硅片表面各種污染物的控制規(guī)定了納米微粒去除的特殊要求。根據(jù)國際半導體技術發(fā)展路線圖計劃，當半導體器件從９０ｎｍ提升到６５ｎｍ工藝時，必須將清洗過程中單晶硅和氧化硅的損失量從０.１ｎｍ減小到０.０５ｎｍ［１］。這就對新一代清洗設備和清洗技術提出了無損傷和抑制腐蝕的新工藝要求，所以研發(fā)新穎的、合適的硅片表面的納米微粒清洗技術勢在必行。２傳統(tǒng)的硅片濕法清洗和干法清洗技術２.１污染物雜質(zhì)的分類根據(jù)污染物產(chǎn)生的原因，大致可將它們分為顆粒、有機物雜質(zhì)、金屬污染物三類。（１）顆粒：主要是一些聚合物、光致抗蝕劑等。顆粒的存在會造成ＩＣ芯片短路或大大降低芯片的測試性能［２］。（２）有機物雜質(zhì)：它在硅片上以多種方式存在，如人的皮膚油脂、防銹油、潤滑油、松香、蠟等。這些物...

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硅片的化學清洗工藝

硅片經(jīng)過不同工序加工后，其表面已受到嚴重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類： A. 有機雜質(zhì)沾污：可通過有機試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術來去除。 B. 顆粒沾污：運用物理的方法可采機械擦洗或超聲波清洗技術來去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。 C. 金屬離子沾污：必須采用化學的方法才能清洗其沾污。硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類：一類是沾污離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面。另一類是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面。硅拋光片的化學清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進行清洗去除沾污。 ...

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硅拋光片化學清洗的辦法有哪些

硅片的表面受到比較嚴重的污染，這時候可以考慮使用如下幾種化學清洗方法進行清潔： a.使用強氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 b.用無害的小直徑強正離子(如H+)來替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中。 c.用大量去離水進行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發(fā)出來，例如： ⑴美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術。 ⑵美國原CFM公司推出的Full-Flowsystems封閉式溢流型清洗技術。 ⑶美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學清洗技術(例GoldfingerMach2清洗系統(tǒng))。 &#...

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