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產(chǎn)品名稱：
晶片凸點電鍍設(shè)備-CSE

上市日期： 2016-06-22

晶片凸點電鍍設(shè)備-南通華林科納CSE

傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進(jìn)行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。

但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個引出端的液晶顯示器（LCD）驅(qū)動電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。

有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點，例如金凸點、焊料凸點、銦凸點，然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。

晶圓電鍍設(shè)備.jpg

更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)m.hbweixin.com；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設(shè)備的相關(guān)方案

晶圓電鍍設(shè)備

傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進(jìn)行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。

更多的半導(dǎo)體清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlcas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。

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枚葉式清洗機-華林科納CSE

2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制）液體濺射（塵埃強制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

2016 - 03 - 07

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)...

IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備-CSE

2016 - 03 - 08

IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工太陽能電池片分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間：一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量：任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點：干燥后無斑點IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 m.hbweixin.com 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: ...

酸/堿刻蝕機

2016 - 03 - 07

刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)，國內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進(jìn)行，國內(nèi)腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納（打個廣告），腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越...

晶片凸點電鍍設(shè)備-CSE

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