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黑硅制絨—華林科納CSE
Black silicon cloth with soft nap
長(zhǎng)期以來(lái)，多晶太陽(yáng)電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進(jìn)一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題，該技術(shù)將來(lái)勢(shì)必成為多晶電池的標(biāo)配技術(shù)。
多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨，形成蠕蟲(chóng)狀的坑洞；而單晶采用堿制絨，形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池，常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對(duì)值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴(yán)重降低電池效率。南通華林科納CSE開(kāi)發(fā)的濕法黑硅制絨技術(shù)完美的解決以上問(wèn)題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進(jìn)步的必由之路。
![26.jpg]( "26.jpg")
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設(shè)備名稱 | CSE-黑硅制絨設(shè)備 |
用途 | 單晶/多晶太陽(yáng)能電池片的金剛線切割后制絨 |
產(chǎn)能 | 3600-4000PCS/H；年產(chǎn)能120MW |
正常運(yùn)作時(shí)間 | >23h/d |
裝片量 | 200pcs |
碎片率 | <0.1% |
轉(zhuǎn)換效率 | 金剛線切割多晶硅片較傳統(tǒng)酸制絨砂漿切割多晶硅片提升效率0.2%以上 |
反射率 | 16%~18% |
轉(zhuǎn)化效率 | 可以達(dá)到18.9-19.2% |
外觀檢查 | 金剛線切割多晶黑硅絨面均勻，晶界模糊，無(wú)色差； |
安裝調(diào)試時(shí)間 | <1month |
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技術(shù) | 硅片類型多晶片 | 效率提升范圍 % | 功率提升范圍 W |
濕法 | 砂漿 | 0.3-0.4 | 4-6 |
濕法 | 金剛線 | 0.4-0.5 | 4-6 |
干法 | 砂漿 | 0.5-0.6 | 5-7 |
干法 | 金剛線 | 0.5-0.7 | 5-7 |
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