摘要：研究了一種新穎的添加了表面活性劑和HF的RCA的改進(jìn)工藝，并和標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝與目前被廣泛采用的稀釋RCA工藝進(jìn)行了比較后指出，改進(jìn)工藝對(duì)金屬沾污和表面顆粒的有效去除能力，使0.18mm以上的顆粒能夠控制在15顆以?xún)?nèi)，金屬沾污能夠有效降至109原子cm-2以下（Al略高小于1010cm-2）。1 引言 目前在半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中，普遍采用的清洗工藝是改進(jìn)的RCA清洗技術(shù)，多年來(lái)，人們對(duì)RCA清洗技術(shù)的清洗效果進(jìn)行了深入的研究，kern證明RCA工藝可在硅片的表面形成1～1.5nm的氧化硅鈍化膜[1]，okumura觀察到標(biāo)準(zhǔn)的RCA清洗對(duì)硅片表面有較嚴(yán)重的粗糙化作用[2]，研究人員一直沒(méi)有放棄取代技術(shù)的研究。1994年，山東大學(xué)發(fā)明了可以與標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝相媲美的新型清洗技術(shù)[3]，采用了DGQ-1和DGQ-2新型清洗劑，近年來(lái)也被廣泛采用。本文主要討論了添加表面活性劑和HF的RCA改進(jìn)清洗技術(shù)對(duì)拋光片金屬沾污和表面顆粒的影響。2 實(shí)驗(yàn)方法 分別采用φ150mm，p(100)，8～11Ω·cm；φ125mm，p（111），3～5Ω·cm；φ100mm，n（100），0.0012～0.0015Ω·cm；φ100mm...
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一、概述： 電子工業(yè)清洗是一個(gè)很廣的概念，包括任何與去除污染物有關(guān)的工藝，但針對(duì)不同的對(duì)象，清洗的方法有很大的區(qū)別。目前在電子工業(yè)中已廣泛應(yīng)用的物理化學(xué)清洗方法，從運(yùn)行方式來(lái)看，大致可分為兩種：濕法清洗和干法清洗。濕法清洗已經(jīng)在電子工業(yè)生產(chǎn)中廣泛應(yīng)用，清洗主要依靠物理和化學(xué)（溶劑）的作用，如在化學(xué)活性劑吸附、浸透、溶解、離散作用下輔以超聲波、噴淋、旋轉(zhuǎn)、沸騰、蒸氣、搖動(dòng)等物理作用下去除污漬，這些方法清洗作用和應(yīng)用范圍各有不同，清洗效果也有一定差別。CFC清洗在過(guò)去的清洗工藝中，從清洗效力及后續(xù)工序上都占有很重要的地位，但由于其損耗大氣臭氧層，而被限制使用。對(duì)于替代工藝，在清洗過(guò)程中，不可避免的存在需后續(xù)工序的烘干（ODS類(lèi)清洗不需烘干，但污染大氣臭氧層，目前限制使用）及廢水處理，人員勞動(dòng)保護(hù)方面的較高投入，特別是在電子組裝技術(shù)，精密機(jī)械制造的進(jìn)一步發(fā)展，對(duì)清洗技術(shù)提出越來(lái)越高的要求。環(huán)境污染控制也使得濕法清洗的費(fèi)用日益增加。相對(duì)而言，干法清洗在這些方面有較大優(yōu)勢(shì)，特別是以等離子清洗技術(shù)為主的清洗技術(shù)已逐步在半導(dǎo)體、電子組裝、精密機(jī)械等行業(yè)開(kāi)始應(yīng)用。因此，有必要了解等離子清洗的機(jī)理及其應(yīng)用工藝。二、等離子體清洗機(jī)理 等離子體是正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。由離子、電子、自由激進(jìn)分子、光子以及中性粒子組成。是物質(zhì)的第四態(tài)?！ ⊥ǔＧ闆r下，人們普遍認(rèn)為的物質(zhì)有三態(tài)：固態(tài)、液態(tài)...
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一般來(lái)說(shuō)：用于清洗的超聲波，其頻率應(yīng)在20KHz~80KHz之間，頻率低噪音大，換能器的體積也偏大，高頻率的超聲波通常被應(yīng)用于探傷，醫(yī)療診斷和超聲波加濕。超聲波設(shè)備概述 一定頻率范圍內(nèi)的超聲波作用于液體介質(zhì)內(nèi)可起到清洗工件的作用。這一清洗技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)，受到了各行各業(yè)的普遍關(guān)注。超聲波清洗機(jī)的運(yùn)用極大地提高了工作效率和清洗精度，以往清洗死角、盲孔和難以觸及的藏污納垢之處一直使人們備感頭痛，新技術(shù)的開(kāi)發(fā)和運(yùn)用使這一工作變得輕而易舉。近年來(lái)，隨著電子技術(shù)的日新月異，超聲波清洗機(jī)也同我們?nèi)粘Ｉ铍x不開(kāi)的收音機(jī)一樣，經(jīng)過(guò)了幾代的演變，技術(shù)更加先進(jìn)，效果更加顯著，同樣，它的價(jià)格也越來(lái)越多的被社會(huì)所接受，在各行各業(yè)中逐漸被廣泛運(yùn)用。超聲波清洗設(shè)備主要由以下組件構(gòu)成： 1、清洗槽：盛放待洗工件，不銹鋼制成，可安裝加熱及控溫裝置。 2、換能器（超聲波發(fā)生器）：將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能，壓電陶瓷換能器，頻率、功率視具體機(jī)型。 3、電源：為換能器提供所需電能，逆變電源，進(jìn)口IGBT元件，安裝過(guò)流保護(hù)線路。 換能器將高頻電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能之后，會(huì)產(chǎn)生振幅極小的高頻震動(dòng)并傳播到清洗槽內(nèi)的溶液...
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芯片清洗用超純水設(shè)備優(yōu)點(diǎn) 1、無(wú)需酸堿再生：在混床中樹(shù)脂需要用化學(xué)藥品酸堿再生，而EDI則消除了這些有害物質(zhì)的處理和繁重的工作。保護(hù)了環(huán)境。 2、連續(xù)、簡(jiǎn)單的操作：在混床中由于每次再生和水質(zhì)量的變化，使操作過(guò)程變得復(fù)雜，而EDI的產(chǎn)水過(guò)程是穩(wěn)定的連續(xù)的，產(chǎn)水水質(zhì)是恒定的，沒(méi)有復(fù)雜的操作程序，操作大大簡(jiǎn)便化。 3、降低了安裝的要求：EDI系統(tǒng)與相當(dāng)處理水量的混床相比，有較不的體積，它采用積木式結(jié)構(gòu)，可依據(jù)場(chǎng)地的高度和靈活的構(gòu)造。模塊化的設(shè)計(jì)，使EDI在生產(chǎn)工作時(shí)能方便維護(hù)。 芯片清洗用超純水設(shè)備的工藝流程 1、采用離子交換方式，其流程如下：原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂過(guò)濾床→陰樹(shù)脂過(guò)濾床→陰陽(yáng)樹(shù)脂混床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)。 &...
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干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。它是硅片表面物理和化學(xué)兩種過(guò)程平衡的結(jié)果。在半導(dǎo)體刻蝕工藝中，存在著兩個(gè)極端：離子銑是一種純物理刻蝕，可以做到各向異性刻蝕，但不能進(jìn)行選擇性刻蝕；而濕法刻蝕如前面所述則恰恰相反。人們對(duì)這兩種極端過(guò)程進(jìn)行折中，得到目前廣泛應(yīng)用的一些干法刻蝕技術(shù)。例如；反應(yīng)離子刻蝕(RIE --Reactive Ion Etching)和高密度等離子體刻蝕(HDP)。這些工藝都具有各向異性刻蝕和選擇性刻蝕的特點(diǎn)。反應(yīng)離子刻蝕通過(guò)活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。目前，RIE已成為VLSI工藝中用最廣泛的主流刻蝕技術(shù)。 干法刻蝕借助等離子體中，產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個(gè)方向上的刻蝕速度不相同。濕法刻蝕是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料。通常，氮化硅、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)，二氧化硅采用濕法刻蝕技術(shù)，有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。通過(guò)刻蝕，或者是形成了圖形線條，如多晶硅條、鋁條等，或者是裸露了硅本體，為將來(lái)的選擇摻雜確定了摻雜的窗口。
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一. 硅片的化學(xué)清洗工藝原理 硅片經(jīng)過(guò)不同工序加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類(lèi)： A. 有機(jī)雜質(zhì)沾污： 可通過(guò)有機(jī)試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除?！ . 顆粒沾污：運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒?！ . 金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污，硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類(lèi)： a. 一類(lèi)是沾污離子或原子通過(guò)吸附分散附著在硅片表面?！?#160; b. 另一類(lèi)是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面。 硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進(jìn)行清洗去除沾污。 a. 使用強(qiáng)氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 b. 用無(wú)害的小直徑強(qiáng)正離子（如H+）來(lái)替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中?！?#160; c. 用大量去離水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。 自1970年美國(guó)RCA實(shí)驗(yàn)室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年RCA實(shí)驗(yàn)室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來(lái)以RCA...
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一. 硅片的化學(xué)清洗工藝原理 硅片經(jīng)過(guò)不同工序加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類(lèi)： A. 有機(jī)雜質(zhì)沾污： 可通過(guò)有機(jī)試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來(lái) 去除。 B. 顆粒沾污：運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。 C. 金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污，硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類(lèi)： a. 一類(lèi)是沾污離子或原子通過(guò)吸附分散附著在硅片表面。 b. 另一類(lèi)是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面。 硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進(jìn)行清洗去除沾污: A. 使用強(qiáng)氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 B. 用無(wú)害的小直徑強(qiáng)正離子（如H+）來(lái)替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中。 C. 用大量去離水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液...
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1. 觸摸屏應(yīng)用場(chǎng)合及特點(diǎn) 1.1觸摸屏應(yīng)用場(chǎng)合 觸摸屏應(yīng)用范圍十分廣闊，不僅在工業(yè)控制，在其它領(lǐng)域如電信、稅務(wù)、銀行、電力、醫(yī)院、商場(chǎng)的業(yè)務(wù)查詢(xún)；機(jī)場(chǎng)、火車(chē)站、地鐵自動(dòng)購(gòu)票；以及辦公、軍事指揮、電子游戲、點(diǎn)歌點(diǎn)菜、多媒體教學(xué)、房地產(chǎn)預(yù)售；電梯按鈕、旋轉(zhuǎn)門(mén)控制等都獲得廣泛應(yīng)用，在手機(jī)、ipad上應(yīng)用最普遍。 工業(yè)用觸摸屏是與PLC配套使用的設(shè)備，是替代傳統(tǒng)機(jī)械按鈕和指示燈的智能化顯示終端。用觸摸屏上的圖符替代機(jī)械按鈕，可以避免觸點(diǎn)抖動(dòng)，機(jī)械老化，接觸不良，提高系統(tǒng)可靠性。還可通過(guò)設(shè)置參數(shù)，顯示數(shù)據(jù)，以曲線或動(dòng)畫(huà)等形式描繪和監(jiān)控多種被控設(shè)備的工作狀態(tài)和運(yùn)行參數(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)的自動(dòng)控制。 當(dāng)前在一些控制要求較高、參數(shù)變化多、硬件接線有變化場(chǎng)合，觸摸屏與PLC組合控制形式已占主導(dǎo)地位。 1.2 觸摸屏基本工作原理 觸摸屏設(shè)備由觸摸檢測(cè)裝置和觸摸屏控制器構(gòu)成，其中觸摸檢測(cè)裝置安裝在顯示屏幕前面，用于檢測(cè)觸摸面上用戶觸摸點(diǎn)的位置，并將檢...
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日前，在Sematech表面預(yù)處理和清洗會(huì)議（SPCC, Austin, Texas）上，F(xiàn)SI International(Chaska, Minn.)公布了濕法清洗方法的新進(jìn)展，可以在清洗碳化的光刻膠時(shí)保持超淺結(jié)（USJ）。 與瓦立安半導(dǎo)體設(shè)備公司（Varian Semiconductor Equipment）展開(kāi)合作，兩家公司研究了等離子浸沒(méi)式離子注入摻雜（PLAD）、毫秒退火和全濕法光刻膠剝離技術(shù)，以從結(jié)區(qū)去除極少量摻雜的硅。清洗工藝將注入蒸汽引入了硫酸和雙氧水的混合液（SPM）中，從而把注入后晶圓光刻膠清洗的時(shí)間縮短到5分鐘。 FSI的首席技術(shù)官（CTO）Jeff Butterbaugh面對(duì)SPCC的100多名觀眾說(shuō)，明年先進(jìn)邏輯器件預(yù)期達(dá)到 碳化已經(jīng)變成去除注入后光刻膠的最大清洗挑戰(zhàn)。無(wú)定形碳是“最困難的挑戰(zhàn)，”Butterbaugh說(shuō)，并補(bǔ)充“任何正在開(kāi)發(fā)注入后光刻膠去除工藝的人，都必須確保去掉光刻膠，尤其是在邊緣部分。你必須要移出所有的殘余光刻膠?！?#160; 去除碳化的光刻膠，使得FSI的化...
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![中國(guó)LED驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)保持增長(zhǎng)勢(shì)頭]( "中國(guó)LED驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)保持增長(zhǎng)勢(shì)頭")
政府的太陽(yáng)能城市計(jì)劃以及扶持國(guó)內(nèi)供應(yīng)商的措施，正在促進(jìn)該市場(chǎng)增長(zhǎng)?！ ?jù)iSuppli公司，在政府刺激政策的推動(dòng)下，隨著使用量越來(lái)越多，中國(guó)LED驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2009年繼續(xù)增長(zhǎng)，并在2013年以前以4.4%的復(fù)合年增長(zhǎng)率擴(kuò)張?！ ≡谌蚪?jīng)濟(jì)和電子產(chǎn)業(yè)沉陷衰退之際，中國(guó)LED驅(qū)動(dòng)器IC市場(chǎng)2009年將僅增長(zhǎng)1%，從2008年的1.153億美元上升到1.165億美元。但是，2010年增速將會(huì)加快到9.6%，規(guī)模將達(dá)到1.277億美元。預(yù)計(jì)2013年中國(guó)LED市場(chǎng)將達(dá)到1.39億美元。 圖1 所示為iSuppli公司對(duì)中國(guó)LED驅(qū)動(dòng)器IC市場(chǎng)的預(yù)測(cè)?！ ≈袊?guó)政府采取措施刺激國(guó)內(nèi)需求，并鼓勵(lì)企業(yè)向LED產(chǎn)業(yè)投資，正在推動(dòng)該國(guó)LED驅(qū)動(dòng)器銷(xiāo)售增長(zhǎng)?！ ≈袊?guó)力推LED技術(shù) 在中國(guó)市場(chǎng)，手機(jī)和便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品是LED驅(qū)動(dòng)器的主要應(yīng)用，2009年占總體市場(chǎng)的67%，相當(dāng)于7800萬(wàn)美元。但是，隨著LED在交通信號(hào)燈和普通照明等領(lǐng)域的應(yīng)用增長(zhǎng)，上述應(yīng)用領(lǐng)域的主導(dǎo)地位將在未來(lái)五年不斷削弱。中國(guó)政府推出了數(shù)十個(gè)項(xiàng)目來(lái)推廣LED技術(shù)，包括“LED城市照明”計(jì)劃。據(jù)中國(guó)科技部，在該計(jì)劃的第一階段，將在2009年以前在20多個(gè)城市安裝100萬(wàn)個(gè)LED燈用于城市照明，包括路燈以及隧道、地鐵、公園和加油站等公共場(chǎng)所的照明燈...
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