光刻版清洗設備工藝 光刻技術(shù)是大規(guī)模集成電路制造技術(shù)和微光學、微機械技術(shù)的先導和基礎，他決定了集成電路（IC）的集成度[1]。光刻版在使用過程中不可避免地會粘上灰塵、光刻膠等污染物，這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。近些年，國家將 LED照明列入為重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)，LED 行業(yè)迅猛發(fā)展。LED 制造過程中，具有光刻版的使用量多，使用頻繁的特點。大多生產(chǎn)廠家為了節(jié)省成本，主要采用接觸式曝光。接觸式曝光雖然可以利用成本低廉的設備達到較高的曝光精度，但是由于甩膠式涂膠方法會造成晶圓邊緣膠層過厚，在接觸式曝光過程中光刻版極易接觸到晶圓邊緣的光刻膠，導致光刻膠粘附到光刻版表面（圖 1）。對于 IC 行業(yè)，因為線條更細，精度要求更高，所以光刻版的潔凈程度更加重要。對于硅片清洗而言，其顆粒移除率（PRE）不需要達到 100%，但對于光刻版而言卻并非如此，其原因是對于產(chǎn)品良率而言，光刻版表面顆粒的影響更大，單晶圓缺陷只影響一個缺陷，而一個光刻版卻影響到每一個芯片[2，3]。由于零成像缺陷是可以實現(xiàn)的，工廠內(nèi)生產(chǎn)的光刻版需要經(jīng)常清洗。為了保證光刻版潔凈，必須定期對光刻版進行清洗，而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。1 光刻版清洗工藝1.1 光刻膠及其他有機污染物的去除對于光刻膠及其他有機污染物，比較常見的方法是通過有機溶劑將其溶解的方法將其去除...
發(fā)布時間:
2017
-
01
-
11
瀏覽次數(shù)：281
從半導體原材料到轉(zhuǎn)化為各式各樣的集成電路或者分立器件，其轉(zhuǎn)化過程利用了幾百種復雜程度不同的化學反應。毫無疑問，在半導體的制造工業(yè)中，需要大量的特殊材料和化學品。芯片制造首要是一種化學工藝，或者更準確地說，是一系列的化學 物理工藝過程，高達20％工藝步驟是wafer清洗和表面的處理。 近年來光電與光伏半導體工業(yè)發(fā)展迅速，相關(guān)的制程越來越復雜，線寬越來越窄（已將進入納米級)，工藝要求也越來越高，生產(chǎn)過程需要使用大量的化學藥品，而這些化學品都具有一定危險性和腐蝕性，稍有疏忽，就會造成人員傷亡和設備的損失，所以如何將這些化學品在保證品質(zhì)的前提下安全輸送到制程設備并安全使用是至關(guān)重要的，同時如何將這些使用過的化學品合理地回收處理，也將是半導體產(chǎn)業(yè)工廠生產(chǎn)安全的重要問題，這些都對工廠各系統(tǒng)的持續(xù)無故障運行能力以及所提供的制程相關(guān)原料品質(zhì)提出了更高的要求。在半導體產(chǎn)業(yè)化的生產(chǎn)中，化學液供應系統(tǒng)主要以中央供應系統(tǒng)為主，用量較少之化學液則采取人工供應方式。 中央化學液供應系統(tǒng)縮寫為CDS(Chemical Dispense Systerm）或者簡寫為BCD(Bulk Chemical Distribution)，它是為生產(chǎn)線24h不間斷供應化學液的系統(tǒng)。一般使用CDS系統(tǒng)的化學液都有需求量大、危險性高的特點。 CDS系統(tǒng)上主要供應給以下的工藝步...
發(fā)布時間:
2017
-
01
-
10
瀏覽次數(shù)：360
半導體濕法清洗專家華林科納介紹硅片清洗機的相關(guān)工藝1、硅片清洗機概述 硅片清洗機廣泛應用于光伏，電子等行業(yè)硅片清洗；由于硅片在運輸過程中會有所污染，表面潔凈度不是很高，對即將進行的腐蝕與刻蝕產(chǎn)生很大的影響，所以首先要對硅片表面進行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機沾污，然后溶解氧化膜，因為氧化層是“沾污陷進”，會引起外延缺陷；再去除顆粒、金屬等，同時使硅片的表面鈍化。 目前多采用傳統(tǒng)的RCA清洗方法，不僅可以去除硅片表面的金屬、有機物等，還可以去除小顆粒等污染物。2、清洗工藝 RCA清洗法 RCA清洗法又稱工業(yè)標準濕法清洗工藝，是由美國無線電公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世紀60年代提出后，由此得名。 RCA濕法清洗由兩種不同的化學溶液組成， SPM具有很高的金屬氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能將有機物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的種有機沾污和部分金屬，當沾污特別嚴重時，難以去除干凈。 DHF（HF），可以去除硅片表面的自然氧化膜，同時抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬，也可以去除自然氧化膜上的氫氧化物。在自然那氧化膜被腐蝕掉時，硅片...
發(fā)布時間:
2017
-
01
-
06
瀏覽次數(shù)：112
半導體加工中的刻蝕技術(shù)包括濕法化學刻蝕 (Wet Chemical Etching)，等離子刻蝕(Plasma Etching)，反應離子刻蝕(Reactive Ion Etching)和離子研 磨(Ion Milling)。與其它刻蝕技術(shù)相比，濕法化學刻蝕工藝的主 要優(yōu)點是成本低，對硅片上器件幾乎無損害，高選 擇比。缺點是各向異性差，工藝控制性(對溫度敏 感)差，微顆?？刂撇?，化學品處理費用高，由于氣 泡等因素很難使用于小的圖形。 半導體工業(yè)中的濕法刻蝕工藝，主要使用酸 液去除金屬、二氧化硅(SiO2)、硅等材料。相比等離子刻蝕，在刻蝕速率和經(jīng)濟性上要高于后者，但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性，在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者，所以濕法刻蝕多 用于線寬尺寸較大，對刻蝕圖形精度要求不太高 的應用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統(tǒng)槽式處理方法相 比，避免了在同一槽內(nèi)批處理時硅片之間的互相污 染，潔凈度好，且單片處理速度更快，對刻蝕圖形的 精度控制也好于后者。 濕法刻蝕供酸管路系統(tǒng)的主體為主循環(huán)回 路，并有其它輔助的管路用于化學液補充或廢液子刻蝕，在刻蝕速率和經(jīng)濟性上要高于后者，但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性，在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者，所以濕法刻蝕多 用于線寬尺寸較大，對刻蝕圖形精度要求不太高 的應用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統(tǒng)槽式處理方法相 比，避免了在同一槽...
發(fā)布時間:
2017
-
01
-
04
瀏覽次數(shù)：125
濕刻蝕是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學反應將被刻蝕物質(zhì)剝離下來的刻蝕方法。大多數(shù)濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。(1) 特點：適應性強，表面均勻性好、對硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。(2) 缺點：圖形刻蝕保真想過不理想，刻蝕圖形的最小線難以掌控。(3) 植入廣告?。≡摴驹谶@濕蝕刻方面比較優(yōu)越?。。。?！蘇州華林科納，成立于2008年3月，總投資4500萬元；目前已形成濕法清洗系統(tǒng)、刻蝕系統(tǒng)、CDS系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)的四大系列數(shù)十種型號的產(chǎn)品； 廣泛應用于大規(guī)模集成電路電力電子器件、光電子器件、MEMS和太陽能電池等領域。 干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝。(1) 特點：能實現(xiàn)各向異性刻蝕，從而保證細小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性。(2) 缺點：造價高。 從所產(chǎn)生通道截面形狀分類，刻蝕又可分為兩類：各向同性刻蝕和各向異性刻蝕。(1) 各向同性刻蝕：刻蝕劑從基片表面向下腐蝕的速率與在其他各方向大致相同，這種刻蝕成為各向同性刻蝕。例如含氫氟酸的溶液刻蝕玻璃和石英就是各向同性的。(2) 各向異性刻蝕：刻蝕劑在某一方向的刻蝕速率遠大于其他方向時，就是各向異性刻蝕。例如用氫氧化鈉、氫氧化鉀等堿金屬的氫氧化物或季銨鹽刻蝕硅片時是各向異性的更多的半導體材料工藝設備相關(guān)資訊可以關(guān)注華...
發(fā)布時間:
2016
-
12
-
28
瀏覽次數(shù)：192
黑硅作為興起的一種新型硅材料,以其在可見光與近紅外波段有極高的光吸收率，使其對光線十分敏感 ,它的光敏感度可以達到傳統(tǒng)硅材料的 100 ～ 500 倍。在正常情況下 ,一個光子只能產(chǎn)生一個電子 ,而在黑硅這種材料中 ,由于它具備光電導增益效果,可以由一個光子產(chǎn)生多個電子, 從而使電流增大200 ～ 300 倍 ,使其在微光探測方面的性能較一般材料有著飛躍般的進步 ,并且黑硅的制造工藝可以較容易地嵌入到目前的半導體工藝中, 使其在照相機 、夜視儀等光電探測方面有著廣闊的應用前景 。 目前國際上其通用的制備方式主要有兩種 :飛秒激光器刻蝕和深反應離子刻蝕(DRIE)。其中 ,飛秒激光器刻蝕是SF6 環(huán)境下, 利用飛秒激光器產(chǎn)生的超短脈沖激光對硅片表面進行輻照,其激光脈沖的高能在與硅片表面作用的同時, 在表面附近積聚大量能量 , 能瞬間使背景氣體SF6 分解出游離的 F-離子, 并與表面汽化的 Si 原子生成易揮發(fā)的 SiF2 和 SiF4 ,使硅片表面不斷被刻蝕 ,最終形成準規(guī)則排列的微米量級尖錐結(jié)構(gòu) 。這樣改造后的硅表面具有極高的光吸收率 , 而反應離子刻蝕(RIE)的原理是利用一定壓強下的刻蝕氣體在高頻電場的作用下 ,通過氣體輝光發(fā)電產(chǎn)生等離子體(其中包含了大量的分子游離基團), 通過電場加速活性基團對被刻蝕物體進行離子轟擊和化學反應 ,生成揮發(fā)性氣體, 反應產(chǎn)物在低壓真...
發(fā)布時間:
2016
-
12
-
14
瀏覽次數(shù)：167
—華林科納 網(wǎng)絡部離子注入出現(xiàn)：隨著集成電路集成度的提高，對期間源漏結(jié)深的要求，切傳統(tǒng)的擴散已無法景尊控制雜質(zhì)的分布形式以及濃度了。離子束射到固體材料以后，離子束與材料中的原子或分子將發(fā)生一系列物理的和化學的相互作用，入射離子逐漸損失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。離子束的用途：摻雜、曝光、刻蝕、鍍膜、退火、凈化等，不同的用途需要不同的離子量。 離子注入系統(tǒng)： 離子注入的特點：（1） 可以獨立控制雜質(zhì)分布和雜質(zhì)濃度（2） 各向異性摻雜（3） 容易獲得高濃度摻雜 離子注入與擴散的比較 離子注入的優(yōu)缺點:（1） 優(yōu)點：可控性好，注入溫度低，工藝靈活，可以獲得任意的摻雜濃度分布，結(jié)面比較平坦，均勻性和重復性好，擴大了雜質(zhì)的選擇范圍。（2） 缺點：離子注入將在靶中產(chǎn)生大量晶格缺陷，難以獲得很深的結(jié)深，離子注入的生產(chǎn)效率比擴散低系統(tǒng)復雜安昂貴。更多的半導體濕法腐蝕刻蝕清洗設備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間:
2016
-
12
-
13
瀏覽次數(shù)：128
一、芯片清洗用超純水設備優(yōu)點 1、無需酸堿再生：在混床中樹脂需要用化學藥品酸堿再生，而EDI則消除了這些有害物質(zhì)的處理和繁重的工作。保護了環(huán)境。 2、連續(xù)、簡單的操作：在混床中由于每次再生和水質(zhì)量的變化，使操作過程變得復雜，而EDI的產(chǎn)水過程是穩(wěn)定的連續(xù)的，產(chǎn)水水質(zhì)是恒定的，沒有復雜的操作程序，操作大大簡便化。 3、降低了安裝的要求：EDI系統(tǒng)與相當處理水量的混床相比，有較不的體積，它采用積木式結(jié)構(gòu)，可依據(jù)場地的高度和靈活的構(gòu)造。模塊化的設計，使EDI在生產(chǎn)工作時能方便維護。 二、芯片清洗用超純水設備的工藝流程 1、采用離子交換方式，其流程如下： 原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→陽樹脂過濾床→陰樹脂過濾床→陰陽樹脂混床→微孔過濾器→用水點。 2、采用兩級反滲透方式，其流程如下： 原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→第一級反滲透 →PH調(diào)節(jié)→中間水箱→第二級反滲透(反滲透膜表面帶正電荷)→純化水箱→純水泵→微孔過濾器→用水點。...
發(fā)布時間:
2016
-
12
-
12
瀏覽次數(shù)：83
碳化硅磨料所具有的特性（硬度高、抗壓強度高、耐磨性好），使碳化硅磨具在磨削加工中成為磨削硬脆材料及硬質(zhì)合金的理想工具，不但效率高、精度高，而且粗糙度好、磨具消耗少、使用壽命長，同時還可改善勞動條件。因此廣泛用于普通磨具難于加工的低鐵含量的金屬及非金屬硬脆材料，如硬質(zhì)合金、高鋁瓷、光學玻璃、瑪瑙寶石、半導體材料、石材等。 碳化硅的分類：（黑碳化硅、綠碳化硅）含量越高純度越高、物理性能越好。含量在98%——特級品含量在95%-98%——一級品含量在80%-94%——二級品含量在70%左右——三級品 主要雜質(zhì)有：游離硅（F.Si）一部分溶解在碳化硅晶體，一部分與其它金屬雜質(zhì)（鐵、鋁、鈣）呈金屬狀態(tài)存在。游離二氧化硅（F.SiO2）通常存在于晶體表面，大都是由于冶煉碳化硅電阻爐冷卻過程中，碳化硅氧化而形成。 碳化硅生產(chǎn)工藝：原料破碎配料&混料：采用錘式破碎機對石油焦破碎到工藝要求的粒徑。按照規(guī)定配方稱量配料并混勻，采用混凝土攪拌機對石油焦和石英砂混料作業(yè)。電爐準備：把上次用過的爐重新修整、整理,以再次投入使用。作業(yè)內(nèi)容包括潔理爐底料,修整電極,清理爐墻并修補,去裝力、1擋, 檢查、排除爐的其他缺陷。裝爐：按照規(guī)定的爐料類別、部位、尺寸往爐內(nèi)裝填反應料、保溫料、爐芯材料,并砌筑具有保溫和盛料作用的熔煉爐側(cè)墻送電冶...
發(fā)布時間:
2016
-
12
-
06
瀏覽次數(shù)：97
濕法蝕刻仍被廣泛地應用于當今集成電路制造領域,因其工藝可精確控制薄膜的去除量以及工藝過程中對原材料的損耗較低,在今后很長一段時間內(nèi)其地位將無法被取代。 隨著工藝尺寸的不斷縮小,器件可靠性變得越來越重要,但濕法蝕刻均勻性卻逐漸成為提高器件可靠性的一個瓶頸。集成電路工藝技術(shù)正進一步向大尺寸晶圓和小尺寸單個器件的方向發(fā)展,如何持續(xù)保持和提高濕法蝕刻的均勻性是集成電路工藝技術(shù)研究中的一個熱點。 濕法刻蝕的設備目前主要有槽式刻蝕機和單片刻蝕機兩種,槽式刻蝕機采用浸沒式處理,刻蝕反應時硅片完全浸沒在藥液槽中,表面較均勻,所以其刻蝕均勻性也較好。 單片刻蝕機采取噴灑式工藝,由于硅片表面的藥液層厚度較難控制,所以其刻蝕均勻性相對較差。研究發(fā)現(xiàn),低刻蝕率化學藥液的均勻性比高刻蝕率藥液好,原因是刻蝕率低的藥液反應劇烈程度小,所以容易得到較均勻的表面.在影響濕法刻蝕均勻性的關(guān)鍵因素方面,對于槽式刻蝕機,硅片進出藥液槽的時間以及硅片從藥液槽到純水槽的傳送速度很關(guān)鍵；對于單片式刻蝕機,硅片的自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速和噴灑頭的運動速度對刻蝕率均勻性影響很大。去離子水清洗方面,加入噴淋和快速排水功能有助于防止二次蝕刻,從而達到提高刻蝕均勻性的目的。&...
發(fā)布時間:
2016
-
12
-
02
瀏覽次數(shù)：173